一种温度梯度下的击穿测试装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及击穿测试装置技术领域，具体涉及一种温度梯度下的击穿测试装置。所述温度梯度下的击穿测试装置包括：壳体；绝缘试样，固定在所述壳体内；高压电极，位于所述壳体内且与所述绝缘试样厚度方向的一侧相接触；低压电极，位于所述壳体内且与所述绝缘试样厚度方向的另一侧相接触；加热机构，适于对所述高压电极或低压电极进行加热。本发明专利技术提供的温度梯度下的击穿测试装置，可控制高压电极与低压电极达到不同的温度，形成温度梯度，从而实现温度梯度下的击穿测量，克服了现有技术中击穿测试装置不能满足温度梯度下测量的缺陷。装置不能满足温度梯度下测量的缺陷。装置不能满足温度梯度下测量的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种温度梯度下的击穿测试装置


[0001]本专利技术涉及击穿测试装置
，具体涉及一种温度梯度下的击穿测试装置。

技术介绍

[0002]绝缘材料的击穿性能代表其最高耐受电压，是确定设备绝缘设计的关键指标。击穿性能的检测通过击穿测试装置完成。击穿测试装置包括高压电极、低压电极，待测绝缘试样位于两个电极之间。现有击穿测试装置测试时两个电极处于同一介质(空气或油)中，两个电极的温度相同，无法对两个电极温度不同的情况进行测试，不能满足温度梯度下的测试。

技术实现思路

[0003]因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中击穿测试装置不能满足温度梯度下测量的缺陷，从而提供一种能够实现温度梯度下测量的击穿测试装置。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术提供的一种温度梯度下的击穿测试装置，包括：
[0005]壳体；
[0006]绝缘试样，固定在所述壳体内；
[0007]高压电极，位于所述壳体内且与所述绝缘试样厚度方向的一侧相接触；
[0008]低压电极，位于所述壳体内且与所述绝缘试样厚度方向的另一侧相接触；
[0009]加热机构，适于对所述高压电极或低压电极进行加热。
[0010]可选的，与所述加热机构配合的高压电极或低压电极为空心电极，所述加热机构包括：
[0011]加热件，位于所述高压电极或低压电极的空腔内；
[0012]加热电源，位于所述壳体外，且与所述加热件串联形成加热回路；
[0013]温度传感器，位于所述空腔内，且适于检测电极温度；
[0014]控制器，位于所述壳体外且串接在所述加热回路中，所述控制器与所述温度传感器连接，所述控制器接收到大于预设值的温度信号时控制所述加热回路断开，所述控制器接收到小于预设值的温度信号时控制所述加热回路接通。
[0015]可选的，所述加热机构适于对所述低压电极进行加热，所述低压电极接地。
[0016]可选的，所述壳体的底板接地，所述低压电极与所述底板连接。
[0017]可选的，所述高压电极连接有高压源，所述高压源未与所述高压电极连接的一端接地。
[0018]可选的，所述加热件为PTC加热元件，所述温度传感器为热电偶。
[0019]可选的，所述绝缘试样包括：
[0020]试样本体，其内部设有适于容置并引出电极的两个柱状空腔，两个所述柱状空腔间隔共线布置且间距为待测绝缘厚度值，所述试样本体沿所述柱状空腔轴向上的两个端面开设有环形槽，所述柱状空腔位于所述环形槽所围区域内。
[0021]可选的，所述环形槽的槽形为U型。
[0022]可选的，所述环形槽的外侧槽壁高于其内侧槽壁。
[0023]可选的，所述环形槽的拐角处皆为圆角。
[0024]本专利技术技术方案，具有如下优点：
[0025]1.本专利技术提供的温度梯度下的击穿测试装置，设有加热机构，加热机构与高压电极或低压电极连接，能够对高压电极或低压电极进行加热，未与加热机构连接的低压电极或高压电极则在使用时置于介质中，其温度由介质温度决定。如此，可控制高压电极与低压电极达到不同的温度，形成温度梯度，从而实现温度梯度下的击穿测量，克服了现有技术中击穿测试装置不能满足温度梯度下测量的缺陷。当然，也可控制两个电极的温度相同，完成现有技术中击穿测试装置的同温度测试，这样即可进行同温度测试，又可进行温度梯度下测试，扩大了本装置的适用范围。
[0026]2.本专利技术提供的温度梯度下的击穿测试装置，将与加热机构配合的高压电极或低压电极设置为空心电极，加热机构能够通过该空心电极形成的空腔，完成空间的拓展以在壳体外部完成相关零部件的安装，结构设计巧妙，空间布置合理。
[0027]3.本专利技术提供的温度梯度下的击穿测试装置，低压电极接地，一方面能够提供0V等电位屏蔽，另一方面能够为试样击穿后的大电流提供泄放通道。
[0028]4.本专利技术提供的温度梯度下的击穿测试装置，在电极空腔内置PTC加热元件和热电偶，能够实现电极准确控温。
[0029]5.本专利技术提供的温度梯度下的击穿测试装置，试样本体沿所述柱状空腔轴向上的两个端面开设有环形槽，柱状空腔位于环形槽所围的区域内。当进行击穿测试时，试样本体的外侧沿面电场方向部分与闪络发展方向相反，利用自身电场分量可阻止沿面闪络发展，阻止沿面闪络的性能强。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]图1为本专利技术实施例击穿测试装置的结构示意图；
[0032]图2为本专利技术实施例绝缘试样(包含电极)的结构示意图；
[0033]图3为本专利技术实施例绝缘试样加工模具的结构剖视图；
[0034]图4为本专利技术实施例绝缘试样仿真图；
[0035]图5为本专利技术实施例测试数据Weibull分布拟合图。
[0036]附图标记说明：
[0037]1、壳体；2、绝缘试样；21、柱状空腔；22、环形槽；3、高压电极；4、低压电极；5、加热机构；51、加热件；52、加热电源；53、温度传感器；54、控制器；6、高压源；7、均压罩；8、阻容分压器；9、加工模具；91、第一模；911、第一模腔；912、第一电极腔；913、注塑口；92、第二模；921、第二模腔；922、第二电极腔。
具体实施方式
[0038]下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0039]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“垂直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0040]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0041]此外，下面所描述的本专利技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0042]实施例
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种温度梯度下的击穿测试装置，其特征在于，包括：壳体(1)；绝缘试样(2)，固定在所述壳体(1)内；高压电极(3)，位于所述壳体(1)内且与所述绝缘试样(2)厚度方向的一侧相接触；低压电极(4)，位于所述壳体(1)内且与所述绝缘试样(2)厚度方向的另一侧相接触；加热机构(5)，适于对所述高压电极(3)或低压电极(4)进行加热。2.根据权利要求1所述的温度梯度下的击穿测试装置，其特征在于，与所述加热机构(5)配合的高压电极(3)或低压电极(4)为空心电极，所述加热机构(5)包括：加热件(51)，位于所述高压电极(3)或低压电极(4)的空腔内；加热电源(52)，位于所述壳体(1)外，且与所述加热件(51)串联形成加热回路；温度传感器(53)，位于所述空腔内，且适于检测电极温度；控制器(54)，位于所述壳体(1)外且串接在所述加热回路中，所述控制器(54)与所述温度传感器(53)连接，所述控制器(54)接收到大于预设值的温度信号时控制所述加热回路断开，所述控制器(54)接收到小于预设值的温度信号时控制所述加热回路接通。3.根据权利要求2所述的温度梯度下的击穿测试装置，其特征在于，所述加热机构(5)适于对所述低压电极(4)进行加热，所述低压电极(4)接地。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：史晓宁，李文鹏，李维康，闫轰达，赵维佳，乔博，赵丽丽，张静媛，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：