光刻装置和器件的制造方法制造方法及图纸

一种光刻投射装置，其中导管向在真空室内的例如目标台、相关的电机或传感器等可移动部件提供有用物质。导管包括防止由于真空室的真空而发生导管渗气的柔性金属波纹管，该波纹管同时允许可移动部件至少在第一自由度移动。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种导管(conduits)，用于通过线缆，软管或管道向真空室中的可移动部件提供如电能，水，控制信号和气体的有用物质。尤其是本专利技术涉及在光刻投射装置(a lithographic projectionapparatus)中采用这种器件，该光刻投射装置包括用于提供辐射投射射束的辐射系统；用于支撑构图部件的第一目标台，所述构图部件用于根据理想的图案对投射射束进行构图；用于保持基底的第二目标台；设有第一气体排出部件的真空室，用于为投射射束(the projection beam)产生真空射束(a vacuum beam)路径；用于在基底的靶部上投射带图案的射束的投射系统；和用于向所述真空室中可在至少一个自由度上移动的部件提供有用物质的导管。■程控反射镜阵列(a programmable mirror array)。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的理论基础是(例如)反射表面的寻址区域将入射光反射为衍射光，而非可寻址区域将入射光反射为为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的射束中过滤所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，射束根据矩阵可寻址表面的寻址图案而产生图案。程控反射镜阵列的另一实施例利用微小反射镜的矩阵排列，通过使用适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，以使可寻址的反射镜以不同的方向将入射的辐射射束反射到非可寻址反射镜上；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的可寻址图案对反射射束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵寻址。在上述两种情况中，构图部件包括一个或者多个程控反射镜阵列。反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891和美国专利US5,523,193、和PCT专利申请WO 98/38597和WO 98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。在程控反射镜阵列的情况中，所述支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构可以是固定的或者根据需要是可移动的。■程控LCD阵列(A programmable LCD array)，例如由美国专利US5,229,872给出的这种结构，它在这里引入作为参照。如上所述，在这种情况下第一目标台可以是框架或者工作台，例如所述结构可以是固定的或者根据需要是可移动的。为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩膜和掩膜台为例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图部件。光刻投射装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件可产生对应于IC每一层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅片)的靶部上(例如包括一个或者多个电路小片(die))。一般的，单一的晶片将包含相邻靶部的整个网格，该相邻靶部由投射系统逐个相继辐射。在目前采用掩膜台上的掩膜进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻投射装置是，通过一次曝光靶部上的全部掩膜图案而辐射每一靶部；这种装置通常称作晶片分档器(silicon wafer)。另一种装置，通常称作分步扫描装置(a step-and-scan apparatus)，通过在投射射束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩膜图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一靶部；因为一般来说，投射系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩膜台扫描速度的M倍。如这里描述的关于光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,729中获得，该文献这里作为参考引入。在用光刻投射装置制造方法中，(例如在掩膜中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底可进行各种处理，如涂底漆，涂敷抗蚀剂和软烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)，显影，硬烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学-机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯断的其它技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微型集成电路片制造半导体加工实践入门(Microchip FabricationA Practical Guideto Semiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw Hill PublishingCo.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中获得，这里作为参考引入。为了简单的缘故，投射系统在下文称为“镜头”；可是，该术语应广意地解释为包含各种类型的投射系统，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件，该操作部件用于操纵、整形或者控制辐射的投射射束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外，光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩膜台)。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级光刻装置，这里作为参考引入。在光刻装置中，能在基底上成像的特征的尺寸受到投射辐射的波长限制。为了产生具有较高密度器件并因此具有较高运行速度的集成电路，希望能够成像更小的特征。尽管目前最流行的光刻投射装置利用由汞灯或者准分子激光器产生的紫外光，已提出用约13nm的更短波长辐射。这种辐射称为远紫外或者软x射线，可能的辐射源包括产生激光的等离子源，放电等离子源或者来自电子存储环的同步辐射。在JB Murphy等人在Applied Optics Vol.32 No.24pp6920-6929(1993)中“Synchrotron radiation source and condensers for projection x-raylithography(用于投射x射线光刻的同步辐射源和聚光器)”中描述了采用同步辐射的光刻投射装置的设计概要。其它所提出的辐射类型包括电子束和离子束。关于在光刻中使用电子束的更多信息可以从例如美国专利US5,079,112和US 5,260,151及EP-A-0965888中获得。这些类型的射束与EUV都需要将包括掩膜，基底和光学元件的射束路线保持在高真空。这是为防止射束的吸收和/或散射，因此，对于这种带电粒子束一般需要低于约10-6毫巴(millibar)的总压力。在另一方面，对于使用EUV辐射的装置，总的真空压力仅需要在10-3和10-5毫巴(millibar)之间。用于EUV辐射的光学元件会由于在其表面上沉积碳层而被损坏，所以一般额外需要尽可能低的保持碳氢化合物的分压，例如低于10-8或10-9毫巴(millibar)。对于必须置于真空中的部件来说，在高真本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻投射装置包括： 用于提供辐射投射射束的辐射系统； 用于支撑构图部件的第一目标台，所述构图部件用于根据理想的图案对投射射束进行构图； 用于保持基底的第二目标台； 设有第一气体排出部件的真空室，用于为投射射束产生真空射束路径； 用于在基底的靶部上投射带图案的射束的投射系统；和 用于给所述真空室中可在至少一个自由度上移动的部件提供有用物质的导管，其特征在于导管包括柔性的金属波纹管。

【技术特征摘要】
EP 2001-11-30 01204626.41.一种光刻投射装置包括用于提供辐射投射射束的辐射系统；用于支撑构图部件的第一目标台，所述构图部件用于根据理想的图案对投射射束进行构图；用于保持基底的第二目标台；设有第一气体排出部件的真空室，用于为投射射束产生真空射束路径；用于在基底的靶部上投射带图案的射束的投射系统；和用于给所述真空室中可在至少一个自由度上移动的部件提供有用物质的导管，其特征在于导管包括柔性的金属波纹管。2.根据权利要求1所述的光刻投射装置，其中所述导管包括柔性板，用于在与重心平行的第一方向承载所述柔性金属波纹管，并在与第一方向垂直的第二和第三方向引导所述波纹管。3.根据权利要求2所述的光刻投射装置，其中所述导管包括用于将柔性板与柔性金属波纹管连接的连接元件。4.根据权利要求3所述的光刻投射装置，其中所述连接元件由具有高热传导率的金属制成。5.根据权利要求2，3或4所述的光刻投射装置，其中柔性板在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：H雅各布斯，P沃斯特斯，SAJ霍尔，HK范德肖特，RJP范迪森，DW卡兰，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]