一种基于YIG磁光晶体的中红外调Q激光器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于YIG磁光晶体的中红外调Q激光器，包括泵浦源用于产生激光束，激光增益介质、光学偏振元件及YIG磁光晶体沿激光束传输方向依次设置，磁场发生器设在YIG磁光晶体光路外围，磁场发生器与YIG磁光晶体共同构成磁光隔离器，激光束用于对激光增益介质进行泵浦，光学偏振元件用于限制腔内谐振的激光为线偏振激光，磁场发生器还用于调控磁场强度，使得YIG磁光晶体产生法拉第磁光效应，YIG磁光晶体还用于将单程的线偏振激光偏转45

【技术实现步骤摘要】
一种基于YIG磁光晶体的中红外调Q激光器


[0001]本专利技术涉及一种基于YIG磁光晶体的中红外调Q激光器，属于光学仪器


技术介绍

[0002]Er
3+
、Pr
3+
离子激活能够实现2.7
‑
3.0μm波段的中红外激光，这些波段均位于水分子的特征吸收波段，因此在激光手术、激光美容、激光雷达与红外激光对抗方面有着诱人的应用前景，但许多应用需要高峰值功率的调Q脉冲激光输出，因此这些波段的调Q激光器成为激光技术发展的主要方向。
[0003]主动调Q技术能够自主的控制调Q激光的脉冲重复频率，因此在许多应用方面中主动调Q成为了不可或缺的调Q模式。目前上述波段一般采用的主动调Q技术都是采用电光或者声光作为调Q元件，采用较高的电压加以控制激光谐振腔的损耗，进而实现调Q激光输出。其中，电光调Q需要在谐振腔内置入一个电光调Q晶体，目前能应用于2.7
‑
3.0μm波段的电光调Q晶体种类稀少。同时需要几千伏的半波电压，因此导致体积庞大，装置复杂。而采用声光调Q虽然电压较低，但本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于YIG磁光晶体的中红外调Q激光器，其特征在于，包括泵浦源、激光谐振腔、激光增益介质、光学偏振元件、YIG磁光晶体和磁场发生器；所述泵浦源用于产生激光束；所述激光增益介质、所述光学偏振元件及所述YIG磁光晶体沿所述激光束传输方向依次设置在所述激光谐振腔内；所述磁场发生器设置在所述YIG磁光晶体的光路外围，用于产生磁场；所述磁场发生器与所述YIG磁光晶体共同构成磁光隔离器；所述激光束用于对所述激光增益介质进行泵浦；所述光学偏振元件用于限制腔内谐振的激光为线偏振激光；所述磁场发生器还用于调控磁场强度，使得所述YIG磁光晶体产生法拉第磁光效应；所述YIG磁光晶体还用于将单程通过该晶体的所述线偏振激光偏转45
°
。2.根据权利要求1所述的中红外调Q激光器，其特征在于，通过控制施加于所述YIG磁光晶体的磁场强度或所述YIG磁光晶体的厚度，使得单程通过该晶体的所述线偏振激光偏转45
°
。3.根据权利要求2所述的中红外调Q激光器，其特征在于，所述激光增益介质为Er
3+
或P...

【专利技术属性】
技术研发人员：游振宇，涂朝阳，王燕，朱昭捷，李坚富，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：