用于确定辐射斑的中心的方法、传感器和平台设备技术

一种用于确定由传感器辐照在表面上的辐射斑的中心的方法，所述传感器包括辐射源和检测器。所述方法包括以下步骤：利用辐射源将第一发射辐射束发射到所述表面上以在所述表面上形成所述辐射斑，其中布置在所述表面处的目标的至少一部分由所述辐射斑辐照；利用所述检测器接收第一反射辐射束，所述第一反射辐射束至少包括来自所述辐射斑的由所述目标反射的辐射；基于所述第一反射辐射束检测所述目标的存在；基于所述第一反射辐射束确定所述目标的第一测量位置；基于所述目标的第一测量位置确定如至少在第一方向上投影在所述表面上的所述辐射斑的中心。述辐射斑的中心。述辐射斑的中心。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于确定辐射斑的中心的方法、传感器和平台设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年7月8日提交的欧洲申请19185021.3的优先权，该欧洲申请的全部内容通过引用方式合并入本文。


[0003]本专利技术涉及一种用于由传感器确定辐照在一表面上的辐射斑的中心的方法、一种用于校准传感器的方法、一种传感器、一种平台设备、一种包括平台设备的设备、以及一种器件制造方法。

技术介绍

[0004]光刻设备是被构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可用于制造集成电路(IC)。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置于衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。检查设备例如适于检查已应用于物体(例如衬底)的图案。
[0005]随着半导体制造工艺持续发展，电路元件的尺寸已持续地减小，同时每个装置的功能性元件(诸如晶体管)的数量在过去数十年中一直稳定地增长，遵循了通常被称为“摩尔定律”的趋势。为了跟上摩尔定律，半导体行业正在追寻能够创建越来越小的特征的技术。为了将图案投影在衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定了在衬底上图案化的特征的最小大小。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用具有在4nm至20nm(例如6.7nm或13.5nm)范围内的波长的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可用于在衬底上形成较小的特征。
[0006]在光刻过程的各个阶段，可以使用被配置成利用辐射斑辐照表面的设备。例如，水平传感器或高度传感器可以被用以确定衬底(例如晶片)的高度图或高度轮廓。例如，在实践中，由于制造和校准中的公差，则所述物体的表面上的所述辐射斑的所述中心的部位可能是未知的。这可能导致所述辐射斑的实际位置未知，且因此可能在测量结果中引入不准确性。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的是提供一种由设备(例如传感器)确定或至少估计照射在一表面上的辐射斑的中心的方法。
[0008]此目标利用一种用于确定由传感器辐照在表面上的辐射斑的中心的方法来实现，所述传感器包括辐射源和检测器。所述辐射源可以是远离所述传感器布置的辐射源，所述传感器向用于所述方法的所述传感器提供辐射。所述方法包括以下步骤：利用辐射源将第一发射辐射束发射到所述表面上以在所述表面上形成所述辐射斑，其中布置在所述表面处的目标(或关注的物体)的至少一部分由所述辐射斑辐照；利用所述检测器接收第一反射辐射束，所述第一反射辐射束至少包括来自所述辐射斑的由所述目标反射的辐射；基于所述
第一反射辐射束检测所述目标的存在；基于所述第一反射辐射束确定所述目标的第一测量位置；基于所述目标的所述第一测量位置确定如在至少第一方向上投影在所述表面上的所述辐射斑的中心。
[0009]根据本专利技术，由所述检测器接收所述第一反射辐射束，包括由所述目标(例如，标记)反射的辐射。根据所述第一反射辐射束，可以确定所述目标的所述第一测量位置，提供可以确定所述辐射斑的所述中心所依据的信息。在本专利技术的情境下，确定所述辐射斑的所述中心将被理解为确定所述辐射斑的所述中心在所述表面上的部位。确定所述辐射斑的所述中心的步骤可以用若干种方式实现，例如，根据本文解释的示例。例如，在一些实施例中，可以考虑与所述目标相关的已知或先前确定的信息，例如，与所述目标的位置或不对称性相关的信息。例如，在一些实施例中，可以确定额外的测量位置以提供额外的信息从而导出所述辐射斑的所述中心。由此，可以校准所述传感器。
[0010]在实施例中，布置有所述目标的所述表面是校准物体的上表面，并且当所述校准物体处于第一位置时确定所述目标的所述第一测量位置。所述方法还包括以下步骤：当所述校准物体处于所述第一位置时在接收到所述第一反射辐射束之后，将所述校准物体布置在第二位置，处于第二位置的所述校准物体至少相对于所述第一位置被转动；利用所述辐射源将第二发射辐射束发射到所述表面上以产生所述辐射斑，其中所述目标的至少一部分由所述辐射斑辐照；当所述校准物体处于所述第二位置时利用所述检测器接收第二反射辐射束，所述第二反射辐射束至少包括来自辐射斑的由所述目标反射的辐射；基于所述第二反射辐射束检测所述目标的存在；基于所述第二反射辐射束确定所述目标的第二测量位置。在此实施例中，基于所述目标的所述第一测量位置和所述第二测量位置两者来进行所述辐射斑的所述中心的确定的步骤。有利地，设置校准物体，并且在本实施例中确定所述目标的第二测量位置。如此，提供了额外的信息，根据该额外的信息可以更准确地确定所述辐射斑的上述中心。
[0011]在另一实施例中，所述校准物体在所述第二位置相对于所述第一位置绕大致垂直于所述上表面的轴转动170度至190度，优选地转动大致180度。有利地，所述目标将在沿所述第一方向观看时在所述第二位置中处于相对于所述第一位置的大致相反位置。这允许简化对所述辐射斑的所述中心的确定，因为所述目标的实际位置对于测量位置的贡献将是对于在所述第一测量位置相对于所述第二测量位置的情况大致相反的。
[0012]在实施例中，还在至少第二方向上确定所述辐射斑的中心。有利地，可以例如在水平面中确定所述辐射斑在平面中的所述中心。
[0013]在实施例中，将所述校准物体布置在所述第二位置的步骤包括使用由校准传感器获得的测量数据来对准所述校准物体。可选地，将所述校准物体布置在所述第一位置的步骤也包括使用由校准传感器获得的测量数据对准所述校准物体。有利地，使用所述对准传感器和由所述对准传感器获得的所述测量数据允许准确地定位所述校准物体。
[0014]在根据本专利技术的方法的一个实施例中，布置有所述目标的所述表面是物体保持器的表面，所述物体保持器被配置成保持待经受所述传感器的测量的物体。有利地，可以使用已经存在以实现其它功能的所述物体保持器来确定所述辐射斑的所述中心。
[0015]在实施例中，所述方法还包括利用对准传感器确定所述目标的至少第一对准位置(例如，对准标记)的步骤，其中基于所述第一对准位置进一步确定所述辐射斑的所述中心。
有利地，所述第一对准位置提供允许较准确地确定所述辐射斑的所述中心的额外的信息。例如，所述第一测量位置与所述第一对准位置之间的差可以被用于确定所述辐射斑的所述中心。
[0016]在实施例中，还基于所述目标的光学相互作用参数来确定所述辐射斑的所述中心，所述光学相互作用参数表示由所述目标引起的所述第一反射辐射束中的不对称性或不均匀性。有利地，所述光学相互作用参数提供允许较准确地确定所述辐射斑的所述中心的额外的信息。
[0017]在一个实施例中，所述方法还包括确定校正因子(例如，校准后的倾斜的不变点)的步骤，用于校正由所述传感器在第三方向上获得的测量结果。有利地，所述校正因子和所述辐射斑的所确定的中心的组合可以被用于进一步提高所述传感器的测量结果的准确度。
[0018]本专利技术还涉及一种用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于确定由传感器辐照在表面上的辐射斑的中心的方法，所述传感器包括辐射源和检测器，所述方法包括以下步骤：
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利用辐射源将第一发射辐射束发射到所述表面上以在所述表面上形成所述辐射斑，其中布置在所述表面处的目标的至少一部分由所述辐射斑辐照，
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利用所述检测器接收第一反射辐射束，所述第一反射辐射束至少包括来自所述辐射斑的由所述目标反射的辐射，
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基于所述第一反射辐射束检测所述目标的存在，
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基于所述第一反射辐射束确定所述目标的第一测量位置，
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基于所述目标的所述第一测量位置确定如至少在第一方向上投影在所述表面上的所述辐射斑的中心。2.根据权利要求1所述的方法，其中
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布置有所述目标的所述表面是物体的上表面，
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当所述物体处于第一位置时确定所述目标的所述第一测量位置，其中，所述方法还包括以下步骤：
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当所述物体处于所述第一测量位置时在接收到所述第一反射辐射束之后，将所述物体布置在至少第二位置，处于至少第二位置的所述物体至少相对于所述第一位置被转动，
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利用所述辐射源发射至少第二发射辐射束到所述表面上以产生所述辐射斑，其中所述目标的至少一部分由所述辐射斑辐照，
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当所述物体处于至少第二位置时利用所述检测器接收至少第二反射辐射束，所述第二反射辐射束至少包括来自辐射斑的由所述目标反射的辐射，
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基于至少所述第二反射辐射束检测所述目标的存在，
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基于至少所述第二反射辐射束确定所述目标的至少第二测量位置，其中，基于所述目标的所述第一测量位置和至少所述第二测量位置两者来进行确定所述辐射斑的所述中心的步骤。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述物体至少在所述第二位置相对于所述第一位置绕大致垂直于所述上表面的轴线被转动。4.根据前述任一权利要求所述的方法，其中还在至少第二方向上确定所述辐射斑的中心。5.根据权利要求2所述的方法，还包括通过非线性最小二乘拟合和线性回归中的至少一种确定所述辐射斑的中心的步骤。6.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，其中将所述物体布置在至少所述第二位置的步骤包括使用由对准传感器获得的测量数据来对准所述物体。7.根据权利要求1所述的方法，其中，布置有所述目标的所述表面是物体保持器的表面，所述物体保持器被配置成保持待经受所述传感器的测量的物体。8.根据前述权利要求中一项或更多项所述的方法，还包括利用对准传感器确定所述目标的至少第一对准位置的步骤，其中，基于所述第一对准位置进一步进行所述辐射斑的所述中心的确定。9.根据前述权利要求中一项或更多项所述的方法，其中还基于所述目标的光学相互作
用参数来确定所述辐射斑的所述中心。10.一种校准包括辐射源和...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：