具有改进的稳定性的放大器制造技术

本申请涉及一种放大器。本申请还涉及一种包括该放大器的电子设备。本申请特别涉及射频RF放大器。例如，放大器的工作频率可以在100MHz和40GHz之间的范围内。根据本发明专利技术，两级或多级输入匹配网络与耦接到输入匹配网络的多个电容器的非接地端子的接合线附接结构的特定布置一起使用。通过这种布置，可以减少与这些接合线组件相关联的电磁耦合对RF性能的影响。影响。影响。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有改进的稳定性的放大器


[0001]本申请涉及一种放大器。本申请还涉及一种包括该放大器的电子设备。本申请尤其涉及射频(radio
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frequency，RF)放大器。例如，放大器的工作频率可以在100MHz到40GHz之间的范围内。

技术介绍

[0002]上述类型的放大器在本领域中是公知的。这些类型的放大器常用于移动电信的基站中。图1示出了一个示例。该放大器的等效电路如图3所示。需要注意的是，以下使用的附图标记指示图1或图2所示的物理结构，和/或图3所示的等效电气部件。例如，附图标记L1用于指示接合线组件，即物理结构，并用于指示该组件的等效电气部件为电感器L1。此外，L1也可用于表示电感器L1的电感值。类似的考虑也适用于本申请中提到的其他附图。
[0003]在图1中，示出了具有导电基底9的放大器100，第一半导体管芯5设置在导电基底9上。射频功率晶体管Q1设置在管芯上。晶体管Q1具有分别电连接到第三接合线附接结构(BAS)B3和第四BAS B4的输入端和输出端。在本专利技术的上下文中，接合线附接结构可以包括接合焊盘、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种放大器(1)，包括：导电基底(9)；与所述导电基底(9)间隔设置的输入端子(10)；电连接到所述输入端子(10)或与所述输入端子(10)一体形成的第一接合线附接结构BAS(B1)；具有非接地端子和接地端子的第一输入匹配电容器(C1)；电连接到所述第一输入匹配电容器的非接地端子的第二BAS(B2)；第一半导体管芯(5)，所述第一半导体管芯上设置有射频功率晶体管(Q1)，所述射频功率晶体管(Q1)的输出端电连接到第四BAS(B4)；具有非接地端子和接地端子的输出匹配电容器(C2)，所述非接地端子电连接到第五BAS(B5)；与所述导电基底(9)间隔设置的输出端子(11)；电连接到所述输出端子(11)或与所述输出端子(11)一体形成的第六BAS(B6)；用于电连接所述第一BAS(B1)和所述第二BAS(B2)的第一接合线组件(L1)；用于电连接所述第二BAS(B2)和所述射频功率晶体管(Q1)的输入端的第二接合线组件(L2)；在所述第四BAS(B4)和所述第五BAS(B5)之间延伸，并电连接所述第四BAS(B4)和所述第五BAS(B5)的第三接合线组件(L3)；以及用于电连接所述第四BAS(B4)和所述第六BAS(B6)的第四接合线组件(L4)；其中，在从所述输入端子(10)到所述输出端子(11)的方向上，所述第五BAS(B5)设置在所述第二BAS(B2)和所述第四BAS(B4)之间，所述第四BAS(B4)设置在所述第五BAS(B5)和所述第六BAS(B6)之间；其特征在于，所述放大器(1)还包括：具有非接地端子和接地端子的第二输入匹配电容器(C3)，所述非接地端子连接到第七BAS(B7)；所述第七BAS(B7)和所述射频功率晶体管(Q1)的输入端之间的电连接；其中，所述第二接合线组件(L2)在所述第二BAS(B2)和所述第七BAS(B7)之间延伸；在从所述输入端子(10)到所述输出端子(11)的方向上，所述第七BAS(B7)设置在所述第一BAS(B1)和所述第二BAS(B2)之间；以及与所述第二接合线组件(L2)相关联的电感大于与所述电连接(L5)相关联的电感。2.根据权利要求1所述的放大器(1)，其中，所述电连接的电感使得面向所述射频功率晶体管观察所述电连接时观察到的阻抗的实部与在所述射频功率晶体管的输入端观察的阻抗的实部之间的阻抗变换比小于面向所述射频功率晶体管观察所述第二接合线组件时观察到的阻抗的实部与在所述射频功率晶体管的输入端观察的阻抗的实部之间的阻抗变换比的五分之一，优选地小于十分之一。3.根据前述权利要求中任一项所述的放大器(1)，其中，所述射频功率晶体管是通过硅基横向扩散金属氧化物半导体LDMOS晶体管或氮化镓基高电子迁移率晶体管HEMT实现的。4.根据前述权利要求中任一项所述的放大器(1)，其中，所述射频功率晶体管的总栅极宽度大于1毫米，所述放大器的工作频率在100MHz至40GHz之间的范围内，并且所述放大器
的输出功率超过50W。5.根据前述权利要求中任一项所述的放大器(1)，其中，所述放大器(1)被设计成能在工作频带中工作，所述输出匹配电容器(C2)和所述第三接合线组件(L3)的串联连接被配置为在所述工作频带内的工作频率处或附近与所述射频功率晶体管(Q1)的输出电容(Cds)谐振。6.根据前述权利要求中任一项所述的放大器(1)，其中，所述第一接合线组件(L1)在所述第一BAS(B1)和所述第二BAS(B2)之间延伸。7.根据前述权利要求中任一项所述的放大器(1)，其中，所述第四接合线组件(L4)在所述第四BAS(B1)和所述第六BAS(B2)之间延伸。8.根据前述权利要求中任一项所述的放大器(1)，还包括优选为半导体管芯或陶瓷管芯的第二管芯(6)，所述第一输入匹配电容器(C1)和所述第二输入匹配电容器(C3)集成在所述第二管芯(6)上。9.根据权利要求1至7中任一项所述的放大器(1)，还包括优选为半导体管芯或陶瓷管芯的第二管芯(6)以及优选为半导体管芯或陶瓷管芯的第三管芯(20)，所述第一输入匹配电容器(C1)和所述第二输入匹配电容器(C3)分别集成在所述第二管芯(6)和所述第三管芯(20)上。10.根据权利要求1至7中任一项所述的放大器(1)，还包括优选为半导体管芯或陶瓷管芯的第二管芯(6)，所述第二输入匹配电容器(C3)集成在所述第二管芯(6)上，所述第一输入匹配电容器(C1)集成在所述第一半导体管芯上。11.根据权利要求8至10中任一项所述的放大器(1)，其中，所述输出匹配电容器(C2)集成在所述第二管芯(6)上。12.根据权利要求8至10中任一项所述的放大器(1)，还包括优选为半导体管芯或陶瓷管芯的第四管芯(21)，所述输出匹配电容器(C2)集成在所述第四管芯(21)上，所述第四管芯(21)设置在所述第二管芯(6)和所述第一半导体管芯(5)之间。13.根据权利要求8至12中任一项所述的放大器(1)，还包括具有接地端子和非接地端子的第三输入匹配电容器，所述非接地端子连接到第八BAS(B8)，所述第一接合线组件(L1)包括在所述第一BAS(B1)和所述第八BAS(B8)之间延伸的第一接合线和在所述第八BAS(B8)和所述第二BAS(B2)之间延伸的第二接合线。14.根据权利要求13所述的放大器(1)，其中，所述第三输入匹配电容器集成在所述第二管芯或所述第一半导体管芯上。15.根据前述权利要求中任一项所述的放大器(1)，其中，所述输出匹配电容器(C2)集成在所述第一半导体管芯(5)上。16.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：诸毅，约瑟夫斯，
申请(专利权)人：安普林荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：