用于产生宽带辐射的基于中空芯部光子晶体光纤的光学部件制造技术

本发明专利技术公开一种宽带光源装置，被配置为用于产生宽带或白光输出。宽带光源装置包括气室和至少部分地包括在气室内的中空芯部光子晶体光纤。气体混合物被包括在气室和中空芯部光子晶体光纤内。气体混合物包括至少一种拉曼活性分子气体，其构成气体混合物的2％以上，使得宽带光源装置以平衡克尔

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于产生宽带辐射的基于中空芯部光子晶体光纤的光学部件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年6月25日提交的EP申请19182142.0的优先权，该申请通过引用整体并入本文。


[0003]本专利技术涉及一种基于中空芯部光子晶体光纤的宽带辐射发生器，并且具体地，涉及与集成电路制造中的量测应用相关的这种宽带辐射发生器。

技术介绍

[0004]光刻设备是一种被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如在图案形成装置(例如，掩模)处将图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。
[0005]为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4
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20nm范围内(例如，6.7nm或13.本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种宽带光源装置，其被配置为用于产生宽带输出，包括：光学部件，其包括：气室，中空芯部光子晶体光纤，所述中空芯部光子晶体光纤被至少部分地包括在所述气室内；以及气体混合物，所述气体混合物在所述气室和所述中空芯部光子晶体光纤内，并且包括至少一种拉曼活性分子气体，所述至少一种拉曼活性分子气体构成所述气体混合物的2％以上；其中，所述宽带光源装置被配置为以平衡克尔
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拉曼非线性相互作用状态操作。2.根据权利要求1所述的宽带光源装置，其中所述至少一种拉曼活性分子气体构成所述气体混合物的至少5％。3.根据权利要求1所述的宽带光源装置，其中所述至少一种拉曼活性分子气体构成所述气体混合物的至少10％。4.根据前述权利要求中的任一项所述的宽带光源装置，其中所述平衡克尔
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拉曼非线性相互作用状态由包括拉曼过程和基于克尔的调制不稳定性过程的互补过程定义，使得所述宽带光源装置的输出光谱表现出光谱展宽。5.根据前述权利要求中的任一项所述的宽带光源装置，进一步包括用于输出多个所述泵脉冲的泵激光器。6.根据前述权利要求中的任一项所述的宽带光源装置，其中所述气体混合物包括至少一种惰性气体和所述至少一种拉曼活性分子气体。7.根据权利要求1至5中的任一项所述的宽带光源装置，其中所述气体混合物包括至少两种拉曼活性分子气体的混合物。8.根据前述权利要求中的任一项所述的宽带光源装置，其中所述中空芯部光子晶体光纤完全被包括在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：