【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】短路缓解装置
[0001]相关应用的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年4月24日提交的澳大利亚临时专利申请号2019901395的优先权,其内容通过引用整体并入本文。
[0003]本公开涉及用于短路缓解的方法和装置,并且特别地涉及用于电解池中的短路缓解的方法和装置。
技术介绍
[0004]现有技术的电解提炼(EW)和电解精炼(ER)工艺可以以高达96%的电流效率运行,但是仍然存在许多电流低效率的问题。已知发生低效率是由于由于阳极和阴极之间的短路引起的替代反应消耗了电荷而绕过了所有反应,以及由于电解质泄漏和盐桥引起的杂散电流。短路是迄今为止最常见的原因。短路是由弯曲的电极、不正确的电极间距、未对准的电极和结节/树枝状铜生长造成的。最近对澳大利亚一家铜电解精炼厂的调查显示,每天可识别和纠正2200次短路。类似的数字在其它ER和EW罐房中很常见。如果不加以识别和纠正,该问题有可能对生产力产生重大影响,在剩余的4%的电解池电流低效率中最多可占3%。
[0005]通常的工厂实践是使用温度计或高斯计来识 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在具有电触点和电极的电解池中使用的短路缓解装置,所述装置包括:与阻尼负载并联连接的、设置在触点和电极之间的开关,所述开关被配置为选择性地提供触点和电极之间的导电路径,其中所述开关包括并联连接的多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET;以及开关控制器,可操作地与开关相关联,以监测通过开关的电流,并在电流超过第一阈值时产生将开关从导通闭合状态切换到非导通断开状态的切换信号。2.如权利要求1所述的装置,还包括与MOSFET并联连接的故障保护路径。3.如权利要求2所述的装置,其中所述故障安全路径包括电阻大于所述多个MOSFET在其闭合导通状态下的电阻的导体。4.如前述权利要求中的任一项所述的装置,其中所述控制器还被配置为在至少第一操作模式和第二操作模式下操作,其中第一操作模式具有第一阈值并且第二操作模式具有第二阈值。5.如前述权利要求中的任一项所述的装置,其中所述控制器被配置为当通过开关的电流超过第一阈值或第二阈值达预定时间段时产生切换信号。6.如前述权利要求中的任一项所述的装置,其中所述控制器被配置为传输指示电流的数据。7.如前述权利要求中的任一项所述的装置,其中所述控制器被配置为传输指示开关的状态的状态数据。8.如前述权利要求中的任一项所述的装置,其中所述控制器被配置为响应于接收到的配置信号而采用操作模式。9.如权利要求8所述的装置,其中所述配置信号是根据权利要求6的从第二装置的第二控制器接收到的状态数据。10.如权利要求8所述的装置,其中所述配置信号是从电解池控制器接收的。11.如权利要求10所述的装置,其中所述电解池控制器与多个控制器以双向方式通信并且响应于分别从所述多个控制器中的每个控制器接收到的状态数据而产生配置信号。12.如前述权利要求中的任一项所述的装置,其中所述控制器被配置为在预定时间采用低功率状态,使得在低功率状态下,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:D,
申请(专利权)人:联邦科学和工业研究组织,
类型:发明
国别省市:
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