杀真菌的N-(吡啶-3-基)羧酰胺类制造技术

本发明专利技术涉及式I化合物作为杀真菌剂的用途，其中各变量如说明书和权利要求书中所给那样被定义。本发明专利技术进一步涉及化合物I和式I化合物的组合物。物的组合物。物的组合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】杀真菌的N
‑
(吡啶
‑3‑
基)羧酰胺类
[0001]本专利技术涉及吡啶化合物及其N
‑
氧化物和盐作为杀真菌剂的用途以及新的吡啶化合物。本专利技术还涉及包含至少一种化合物I的组合物、防除植物病原性真菌的方法以及用至少一种式I化合物涂敷的种子。
[0002]在许多情况下，尤其是在低施用率下，已知化合物的杀真菌活性并不令人满意。基于此，本专利技术的目的是要提供对植物病原性真菌具有改进活性和/或更宽活性谱的化合物。本专利技术的另一目的是要提供具有改进毒理学性能或改进环境命运性能的杀真菌剂。这些和其他目的由下面所定义的式(I)的吡啶羧酰胺及其可农用盐的用途以及新的式(I)的吡啶羧酰胺实现。
[0003]因此，本专利技术涉及式I化合物及其N
‑
氧化物和可农用盐作为杀真菌剂的用途：
[0004][0005]其中
[0006]X是O或S；
[0007]R1在每种情况下独立地选自氢、卤素、CN、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基、C2‑
C6链烯基、C2‑
C6卤代链烯基、C2‑
C6炔基、C2‑
C6卤代炔基、O
‑
C1‑
C6烷基、O
‑
C2‑
C6链烯基、O
‑
C2‑
C6炔基、C3‑
C6环烷基，其中R1的无环和环状结构部分未被取代或者被1
‑
6个相互独立地选自如下的基团R
1a
>取代：
[0008]卤素、CN、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基、C2‑
C6链烯基、C2‑
C6卤代链烯基、C2‑
C6炔基、C2‑
C6卤代炔基、O
‑
C1‑
C6烷基、O
‑
C2‑
C6链烯基、O
‑
C2‑
C6炔基；
[0009]并且其中基团R
1a
未被取代或者被1
‑
6个卤素或CN取代；
[0010]R2在每种情况下独立地选自卤素、CN、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基、C2‑
C6链烯基、C2‑
C6卤代链烯基、C2‑
C6炔基、C2‑
C6卤代炔基、O
‑
C1‑
C6烷基、O
‑
C2‑
C6链烯基、O
‑
C2‑
C6炔基、C3‑
C6环烷基，其中R2的无环和环状结构部分未被取代或者被1
‑
6个相互独立地选自如下的基团R
2a
取代：
[0011]卤素、CN、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基、C2‑
C6链烯基、C2‑
C6卤代链烯基、C2‑
C6炔基、C2‑
C6卤代炔基、O
‑
C1‑
C6烷基、O
‑
C2‑
C6链烯基、O
‑
C2‑
C6炔基；
[0012]并且其中基团R
2a
未被取代或者被1
‑
6个卤素或CN取代；
[0013]R3在每种情况下独立地选自卤素、CN、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基、C2‑
C6链烯基、C2‑
C6卤代链烯基、C2‑
C6炔基、C2‑
C6卤代炔基、O
‑
C1‑
C6烷基、O
‑
C2‑
C6链烯基、O
‑
C2‑
C6炔基、C3‑
C6环烷基，其中R3的无环和环状结构部分未被取代或者被1
‑
6个相互独立地选自如下的基团R
3a
取代：
[0014]卤素、CN、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基、C2‑
C6链烯基、C2‑
C6卤代链烯基、C2‑
C6炔基、C2‑
C6卤代炔基、O
‑
C1‑
C6烷基、O
‑
C2‑
C6链烯基、O
‑
C2‑
C6炔基；
[0015]并且其中基团R
3a
未被取代或者被1
‑
6个卤素或CN取代；
[0016]R4在每种情况下独立地选自氢、卤素、CN、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基、C2‑
C6链烯基、C2‑
C6卤代链烯基、C2‑
C6炔基、C2‑
C6卤代炔基、O
‑
C1‑
C6烷基、O
‑
C2‑
C6链烯基、O
‑
C2‑
C6炔基、C3‑
C6环烷基，其中R4的无环和环状结构部分未被取代或者被1
‑
6个相互独立地选自如下的基团R
4a
取代：
[0017]卤素、CN、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基、C2‑
C6链烯基、C2‑
C6卤代链烯基、C2‑
C6炔基、C2‑
C6卤代炔基、O
‑
C1‑
C6烷基、O
‑
C2‑
C6链烯基、O
‑
C2‑
C6炔基；
[0018]并且其中基团R
4a
未被取代或者被1
‑
6个卤素或CN取代；
[0019]R2和R3与它们所连接的碳原子一起可以形成式II的取代环：
[0020][0021]其中
[0022]#是指与式I的吡啶环的连接；
[0023]R
22
选自H、卤素、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基；
[0024]R
32
选自卤素、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基；和
[0025]Y是NR5、CR6R7；
[0026]R5在每种情况下独立地选自CN、C1‑
C6烷基、C2‑
C6链烯基、C2‑
C6炔基、O
‑
C1‑
C6烷基、O
‑
C2‑
C6链烯基、O
‑
C2‑
C6炔基、C3‑
C6环烷基、CH2‑
C3‑
C6环烷基、O
‑
C3‑
C6环烷基、C3‑
C6环烯基、O
‑
C3‑
C6环烯基、C(R”)＝N
‑
OR'、苯基、
‑
CH2‑
苯基、5或6员杂芳基或者CH2‑
杂芳基；其中该杂芳基含有1、2或3个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】卤代链烯基、C2‑
C6炔基、C2‑
C6卤代炔基、O
‑
C1‑
C6烷基、O
‑
C2‑
C6链烯基、O
‑
C2‑
C6炔基、C3‑
C6环烷基，其中R4的无环和环状结构部分未被取代或者被1
‑
6个相互独立地选自如下的基团R
4a
取代：卤素、CN、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基、C2‑
C6链烯基、C2‑
C6卤代链烯基、C2‑
C6炔基、C2‑
C6卤代炔基、O
‑
C1‑
C6烷基、O
‑
C2‑
C6链烯基、O
‑
C2‑
C6炔基；并且其中基团R
4a
未被取代或者被1
‑
6个卤素或CN取代；Y是NR5、CR6R7；R5在每种情况下独立地选自CN、C1‑
C6烷基、C2‑
C6链烯基、C2‑
C6炔基、O
‑
C1‑
C6烷基、O
‑
C2‑
C6链烯基、O
‑
C2‑
C6炔基、C3‑
C6环烷基、CH2‑
C3‑
C6环烷基、O
‑
C3‑
C6环烷基、C3‑
C6环烯基、O
‑
C3‑
C6环烯基、C(R”)＝N
‑
OR'、苯基、
‑
CH2‑
苯基、5或6员杂芳基或者CH2‑
杂芳基；其中所述杂芳基含有1、2或3个选自N、O和S的杂原子；并且其中在每种情况下所述碳环或杂环的一个或两个CH2基团可以被独立地选自C(＝O)和C(＝S)的基团替代；其中R5的无环和环状结构部分未被取代或者被1
‑
6个相互独立地选自如下的基团R
5a
取代：卤素、CN、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基、C2‑
C6链烯基、C2‑
C6卤代链烯基、C2‑
C6炔基、O
‑
C1‑
C6烷基、O
‑
C2‑
C6链烯基、O
‑
C2‑
C6炔基、C3‑
C6环烷基、O
‑
C3‑
C6环烷基、C(R”)＝N
‑
OR'、苯基、苯氧基、5或6员杂芳基或杂芳氧基，其中所述杂芳基含有1、2或3个选自N、O和S的杂原子；并且其中在每种情况下所述碳环或杂环的一个或两个CH2基团可以被独立地选自C(＝O)和C(＝S)的基团替代；以及其中R
5a
的无环和环状结构部分未被取代或者被1
‑
6个基团R
5b
卤素、CN、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基、C2‑
C6链烯基、C2‑
C6卤代链烯基、C2‑
C6炔基、O
‑
C1‑
C6烷基、O
‑
C2‑
C6链烯基、O
‑
C2‑
C6炔基、C3‑
C6环烷基、O
‑
C3‑
C6环烷基、C(R”)＝N
‑
OR'取代；其中基团R
5b
未被取代或者被1
‑
6个卤素或CN取代；R'在每种情况下独立地选自C1‑
C6烷基、C2‑
C6链烯基、C2‑
C6炔基，其中R'的无环结构部分未被取代或者被1
‑
6个相互独立地选自如下的基团R
R'
取代：卤素、CN、O
‑
C1‑
C6烷基、C3‑
C6环烷基、O
‑
C3‑
C6环烷基、苯基、苯氧基；其中R
R'
的无环和环状结构部分未被取代或者被1
‑
6个选自卤素、CN、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基、C3‑
C6环烷基、O
‑
C1‑
C6烷基、O
‑
C1‑
C6卤代烷基的基团取代；R”在每种情况下独立地选自氢、C1‑
C6烷基、C2‑
C6链烯基、C2‑
C6炔基、C3‑
C6环烷基、C3‑
C6环烯基、C(R”)＝N
‑
OR'、苯基、5或6员杂芳基；其中所述杂芳基含有1、2或3个选自N、O和S的杂原子；并且其中在每种情况下所述碳环或杂环的一个或两个CH2基团可以被独立地选自C(＝O)和C(＝S)的基团替代；R”的无环和环状结结构部分未被取代或者被1
‑
6个基团卤素、CN、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基、C3‑
C6环烷基、O
‑
C1‑
C6‑
O烷基、O
‑
C1‑
C6卤代烷基取代；R6在每种情况下独立地选自卤素、CN、C1‑
C8烷基、C2‑
C8链烯基、C2‑
C8炔基、C1‑
C8卤代烷基、C2‑
C8卤代链烯基、C2‑
C8卤代炔基、O
‑
C1‑
C8烷基、O
‑
C2‑
C8链烯基、O
‑
C2‑
C8炔基、C3‑
C6环烷基、O
‑
C3‑
C6环烷基、CH2‑
C3‑
C6环烷基、C3‑
C6环烯基、O
‑
C3‑
C6环烯基、CH2‑
C3‑
C6环烯基、C(R”)＝N
‑
OR'、苯基、苯氧基、
‑
CH2‑
苯基、5或6员杂芳基、杂芳氧基或CH2‑
杂芳基；其中所述杂芳基含有1、2或3个选自N、O和S的杂原子；并且其中在每种情况下所述碳环或杂环的一个或两个
CH2基团可以被独立地选自C(＝O)和C(＝S)的基团替代；其中R6的无环和环状结构部分未被取代或者被1
‑
6个相互独立地选自如下的基团R
6a
取代：卤素、CN、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基、C2‑
C6链烯基、C2‑
C6卤代链烯基、C2‑
C6炔基、O
‑
C1‑
C6烷基、O
‑
C2‑
C6链烯基、O
‑
C2‑
C6炔基、C3‑
C6环烷基、O
‑
C3‑
C6环烷基、C3‑
C6环烯基、O
‑
C3‑
C6环烯基、C(R”)＝N
‑
OR'、苯基、苯氧基、5或6员杂芳基或杂芳氧基，其中所述杂芳基含有1、2或3个选自N、O和S的杂原子；并且其中在每种情况下所述碳环或杂环的一个或两个CH2基团可以被独立地选自C(＝O)和C(＝S)的基团替代；以及其中R
6a
的无环和环状结构部分未被取代或者被1
‑
6个基团R
6b
卤素、CN、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基、C2‑
C6链烯基、C2‑
C6卤代链烯基、C2‑
C6炔基、O
‑
C1‑
C6烷基、O
‑
C2‑
C6链烯基、O
‑
C2‑
C6炔基、C3‑
C6环烷基、O
‑
C3‑
C6环烷基、C(R”)＝N
‑
OR'取代；其中基团R
6b
未被取代或者被1
‑
6个卤素或CN取代；R7在每种情况下独立地选自氢、OH、卤素、CN、C1‑
C8烷基、C2‑
C8链烯基、C2‑
C8炔基、C1‑
C8卤代烷基、C2‑
C8卤代链烯基、C2‑
C8卤代炔基、O
‑
C1‑
C8烷基、O
‑
C2‑
C8链烯基、O
‑
C2‑
C8炔基、C3‑
C6环烷基、O
‑
C3‑
C6环烷基、CH2‑
C3‑
C6环烷基、C3‑
C6环烯基、O
‑
C3‑
C6环烯基、CH2‑
C3‑
C6环烯基、C(R”)＝N
‑
OR'、苯基、苯氧基、
‑
CH2‑
苯基、5或6员杂芳基、杂芳氧基或CH2‑
杂芳基；其中所述杂芳基含有1、2或3个选自N、O和S的杂原子；并且其中在每种情况下所述碳环或杂环的一个或两个CH2基团可以被独立地选自C(＝O)和C(＝S)的基团替代；其中R7的无环和环状结构部分未被取代或者被1
‑
6个相互独立地选自如下的基团R
7a
取代：卤素、CN、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基、C2‑
C6链烯基、C2‑
C6卤代链烯基、C2‑
C6炔基、O
‑
C1‑
C6烷基、O
‑
C2‑
C6链烯基、O
‑
C2‑
C6炔基、C3‑
C6环烷基、O
‑
C3‑
C6环烷基、C3‑
C6环烯基、O
‑
C3‑
C6环烯基、C(R”)＝N
‑
OR'、苯基、苯氧基、5或6员杂芳基或杂芳氧基，其中所述杂芳基含有1、2或3个选自N、O和S的杂原子；并且其中在每种情况下所述碳环或杂环的一个或两个CH2基团可以被独立地选自C(＝O)和C(＝S)的基团替代；以及其中R
7a
的无环和环状结构部分未被取代或者被1
‑
6个基团R
7b
卤素、CN、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基、C2‑
C6链烯基、C2‑
C6卤代链烯基、C2‑
C6炔基、O
‑
C1‑
C6烷基、O
‑
C2‑
C6链烯基、O
‑
C2‑
C6炔基、C3‑
C6环烷基、O
‑
C3‑
C6环烷基、C(R”)＝N
‑
OR'取代；其中基团R
7b
未被取代或者被1
‑
6个卤素或CN取代；或者R6和R7与它们所键合的C原子一起形成基团＝N
‑
OR'；R8在每种情况下独立地选自C3‑
C
10
环烷基、C3‑
C
10
环烯基、苯基或5或6员杂芳基，其中所述杂芳基含有1、2或3个选自N、O和S的杂原子；并且其中在每种情况下所述碳环或杂环的一个或两个CH2基团可以被独立地选自C(＝O)和C(＝S)的基团替代；其中R8的无环和环状结构部分未被取代或者被1
‑
6个相互独立地选自如下的基团R
8a
取代：...

【专利技术属性】
技术研发人员：B，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：发明
国别省市：