清洁组合物制造技术

一种含水清洁组合物，其含有烷醇胺、氢氧化四烷基铵、非金属氟化物盐、防腐蚀剂（抗坏血酸或其衍生物单独或结合使用）、余量的水。这样的清洁组合物能在低温下有效地去除由等离子处理产生的残留物，这些残留物包括有机、金属有机材料、无机盐、氧化物、氢氧化物或复合物以及有机光致抗蚀剂薄膜，并几乎不腐蚀铜也不侵蚀介电基底。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及改进的清洁组合物，其包含有机胺特别是单乙醇胺、氢氧化四甲基铵、含氟盐、防腐蚀剂例如抗坏血酸、表面活性剂和水。
技术介绍
本专利技术涉及一种用于半导体基底表面的清洁组合物，其被用在半导体器件生产过程中的后段制程(Back-End-Of-Line，BEOL)生产步骤中。尤其是对于那些在双镶嵌(double damascene)过程使用铜作为导体和连接的半导体器件。在最新的半导体和半导体微电路的制造中的后段制程(BEOL)生产步骤中，铜(Cu)被用来生产最新的高密度器件。在半导体器件的制造过程中通过对各种基底的表面蚀刻步骤来构建所需的电路。在经过这些蚀刻处理之后，留下的光致抗蚀剂(其中包括沉积在待蚀刻的基底上的有机涂层)通过湿式或干式剥离法去除，这通常被称作除灰。然后还需要将所有残留的有机和无机的污染物去除，这些污染物通常被称作侧壁聚合物(sidewall polymer，SWP)。所述侧壁聚合物典型地由蚀刻和除灰步骤的残留物组成，例如聚合物、盐、金属污染物和颗粒。于是就希望开发一种改进的清洁组合物来去除侧壁聚合物，而并不腐蚀、溶解金属电路，不会使金属电路的电阻增大，也不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种清洁组合物，其包括：约４－１４重量％的单乙醇胺约２－６．０重量％的氢氧化四甲基铵约０．３－３．５重量％的氟离子有效量的抗坏血酸防腐蚀剂；和余量的去离子水。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2001-4-19 09/839,4751.一种清洁组合物，其包括约4-14重量％的单乙醇胺约2-6.0重量％的氢氧化四甲基铵约0.3-3.5重量％的氟离子有效量的抗坏血酸防腐蚀剂；和余量的去离子水。2.根据权利要求1的清洁组合物，其中所述抗坏血酸的用量为0.5-10重量％。3.根据权利要求2的清洁组合物，其中所述抗坏血酸的用量为1-5重量％。4.根据权利要求1的清洁组合物，其包含有效量的非离子表面活性剂。5.根据权利要求1的清洁组合物，其中所述氟化物来自所述组合物中的非金属氟化物盐的离子化。6.根据权利要求5的清洁组合物，其中所述氟离子产自下列化合物之一或它们的混合物二氟化铵、氟化铵、化学式为(R)4NF的氟化四烷基铵，其中R为C1-C5的烷...

【专利技术属性】
技术研发人员：沙赫里尔纳格史尼，亚萨曼哈希米，
申请(专利权)人：ESC公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]