光刻投射装置及器件制作方法制造方法及图纸

技术编号:3209102 阅读:151 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种光刻投射装置包括:    一辐射系统,以提供辐射投射光束;    一构图部件,用于根据需要的图案对该投射光束进行构图;    一基底台,以支持一基底;及    一投射系统,以将该带图案的光束投射到该基底的靶部上,    一流体处理单元,其与保持在所述基底上的基底的一个表面流体连接,由此一种流体能与所述基底接触以使之与所述靶部相互作用;其特征在于:    所述流体处理单元包括若干与保持在基底台上的基底各自的区域流体连接的分离的小室,因此基底上的不同区域可同时面对不同的流体或曝光处理。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻装置,尤其涉及适合加工所谓“生物芯片”的装置,及一种器件制作方法。
技术介绍
光刻装置是一种向基底靶部提供需要的图形的装置。光刻装置可用于,例如,制作集成电路(IC)中,在此情况下,一构图部件,例如一掩膜,可被用于产生相应于IC某一层的电路图案,且该图样可被成像在具有一层辐射敏感材料(抗蚀剂)的基底(如硅晶片)靶部(如包括一个或很多电路小片)上。通常,单层基底将包含连续曝光的临近靶部的网络。已知光刻装置包括所谓的步进器,在其中,通过将整个图形一次都曝光到靶部上而照射每个靶部,还包括所谓扫描器,在其中,通过投射光束在给定方向(该“扫描”方向)上扫描该图形,同时在平行或反平行于该方向上同步扫描该基底而照射每个靶部。在所谓“基因芯片”和其它生化或流体MEMS(微机电系统)中,在基底上的特定区域掺入特定生物或化学化合物是必要的,在某些场合可能需要在基底上构建特定的DNA序列。为了得到小型的可完成大量测试的器件,必须将相应的大量不同的化合物掺加到它们各自的区域中,其也许需要定制在1-100μm级别的尺寸中。现存的光刻装置在先进半导体制作或制作大面积基片,如平板显示中使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻投射装置包括一辐射系统,以提供辐射投射光束;一构图部件,用于根据需要的图案对该投射光束进行构图;一基底台,以支持一基底;及一投射系统,以将该带图案的光束投射到该基底的靶部上,一流体处理单元,其与保持在所述基底上的基底的一个表面流体连接,由此一种流体能与所述基底接触以使之与所述靶部相互作用;其特征在于所述流体处理单元包括若干与保持在基底台上的基底各自的区域流体连接的分离的小室,因此基底上的不同区域可同时面对不同的流体或曝光处理。2.如权利要求1所述的装置,其中所述流体处理单元包括一个盘状部件,其具有从其上突出的壁面以接触所述基底从而限定了所述若干小室。3.如权利要求2所述的装置,其中所述盘状部件内部具有若干与所述小室连通的流体通道。4.如权利要求1、2或3所述的装置,其中每个所述的小室是呈长条状的,并在其第一端具有流体入口,在其第二端具有流体出口。5.如权利要求4所述的装置,其中每个所述的小室的高度从所述入口向所述出口减小,因此毛细力辅助从单元中去除流体。6.如前面任何一个权利要求所述的装置,其中所述流体处理单元的至少一个表面具有抗反射涂层。7.如前面任何一个权利要求所述的装置,其中选择每个所述小室的高度以至于当流体出现在所述小室中时,将所述辐射的反射最小化。8.如上述任何一个权利要求所述的装置,其中所述流体处理单元被集...

【专利技术属性】
技术研发人员:K·西蒙J·洛夫A·W·E·明纳尔特E·M·J·斯米特斯
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司
类型:发明
国别省市:

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