多组元铌酸盐系无铅压电陶瓷制造技术

一类多组元铌酸盐系无铅压电陶瓷，属于环境协调性压电陶瓷领域。本发明专利技术提供的压电陶瓷化合物可以用通式（Ｌｉ↓［ｘ］Ｎａ↓［ｙ］Ｋ↓［１－ｘ－ｙ］）（Ｎｂ↓［１－ｚ］Ｒ↓［ｚ］）Ｏ↓［３］或添加ａＬＭｎＯ↓［３］（ｗｔ％）来表示，式中：０＜ｘ≤０．３，０＜ｙ＜１，０＜（ｘ＋ｙ）＜１，０≤ｚ≤０．４；ａ为稀土类锰酸盐ＬＭｎＯ↓［３］的重量占原料总量的百分比，０＜ａ＜１５％；Ｒ为Ｔａ或Ｓｂ；或Ｔａ与Ｓｂ组成的复合离子；Ｌ为稀土族金属元素，如Ｙ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｙｂ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ等。该体系压电陶瓷化合物ｄ↓［３３］可达１５０ｐＣ／Ｎ以上，Ｋ↓［ｐ］可达２７．０％以上。该体系压电陶瓷工艺稳定，可采用传统压电陶瓷制备技术和工业用原材料获得。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一类多组元铌酸盐系无铅压电陶瓷，属于环境协调性压电陶瓷材料领域。
技术介绍
自二十世纪四十年代中期，发现钛酸钡陶瓷的压电性后，压电陶瓷的研究开发非常活跃，压电陶瓷及压电陶瓷制作的元器件已广泛地应用于工业特别是信息产业领域。以锆钛酸铅(Pb(Ti，Zr)O3)为代表的铅基二元系和以锆钛酸铅(Pb(Ti，Zr)O3)为基料、添加第三组元，如以铌镁酸铅(Pb(Mg1/3Nb2/3)O3)为代表的铅基三元系压电陶瓷材料具有优良的压电铁电性能、高的居里温度。目前，工业生产中应用的压电陶瓷绝大多数是该类铅基压电陶瓷。但是，由于铅基压电陶瓷材料中PbO或Pb3O4的含量约占原料总量的70％，而PbO或Pb3O4在高温下易挥发，从而使铅系压电陶瓷在生产、使用及废弃后的处理过程中给人类及生态环境造成严重危害和污染。近年来，寻找不含铅的、性能优越的压电陶瓷体系已受到世界各国的重视。例如专利JP2000-313664、EP1032057给出了组成式为(K1-xNax)NbO3的压电陶瓷化合物，用Li部分取代K1-xNax，或用Ta部分取代Nb，或添加少量CuO来改善陶瓷的烧结性；专利JP本文档来自技高网...

【技术保护点】
一类多组元铌酸盐系无铅压电陶瓷，其特征是由用通式（Ｌｉ↓［ｘ］Ｎａ↓［ｙ］Ｋ↓［１－ｘ－ｙ］）（Ｎｂ↓［１－ｚ］Ｒ↓［ｚ］）Ｏ↓［３］表示的材料组成；式中：０＜ｘ≤０．３，０＜ｙ＜１，０＜（ｘ＋ｙ）＜１，０≤ｚ≤０．４；Ｒ为 Ｔａ或Ｓｂ；或Ｔａ和Ｓｂ。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一类多组元铌酸盐系无铅压电陶瓷，其特征是由用通式(LixNayK1-x-y)(Nb1-zRz)O3表示的材料组成；式中0＜x≤0.3，0＜y＜1，0＜(x+y)＜1，0≤z≤0.4；R为Ta或Sb；或Ta和Sb。2.如权利要求1的无铅压电陶瓷，其特征是添加了一种或一种以上添加物LMnO3...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖定全，赁敦敏，朱建国，余萍，鄢洪建，张文，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]