半导体光源元件以及光半导体波导窗构造的制造方法技术

在光出射端具有由与外包层相同的材料构成的窗构造、具备高台面半绝缘嵌入构造的半导体光波导的半导体光源元件、或光器件以及其制造方法，其中，在去除窗构造的部分的活性层后，形成与外包层相同的层。形成与外包层相同的层。形成与外包层相同的层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体光源元件以及光半导体波导窗构造的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体光源元件以及光半导体波导窗构造的制造方法。

技术介绍

[0002]用于被称为直接调制激光器、EA
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DFB(Electro
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absorption modulator integrated distributed feedback：电吸收调制器分布式反馈)激光器的集成调制器激光器(半导体光源元件)的高台面半绝缘嵌入构造可以通过减少电容成分来进行高频的半导体激光器的高速调制。在这样的半导体激光器中，来自激光的出射端面的反射返回光对集成的DFB(Distributed Feedback Laser：分布式反馈)激光器、DBR(Distributed Bragg reflector：分布式布拉格反射器)激光器的工作有不利影响。如果是以往的
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2dBm～+5dBm左右的激光输出，没有产生过大的问题。但是近年来，随着光纤网络的延长化、多分支化的持续进展，对调制激光器要求以往的2倍以上的高输出的需求变得明显。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体光源元件，其特征在于，具备在光出射端具有由与外包层相同的材料构成的窗构造的高台面半绝缘嵌入构造的半导体光波导。2.根据权利要求1所述的半导体光源元件，其特征在于，光源是DFB激光器，在所述DFB激光器与所述窗构造的形成部分之间具备EA层。3.根据权利要求2所述的半导体光源元件，其特征在于，在所述EA层与所述窗构造的形成部分之间具备SOA层。4.一种制造如权利要求1所述的半导体光源元件的方法，其特征在于，在所述半导体光波导的光的出射部形成所述窗构造时，在生长所述外包层之前的工序中，通过刻蚀去除成为所述窗构造部分的芯层，在所述窗构造的相应处形成与结晶生长到所述半导体光波导的芯层上的所述外包层相同的层。5.一种制造如权利要求1所述的半导体光源元件的方法，其特征在于，在成为光源的DFB激光器的制造工序中，在所述DFB激光器的活性层上形成衍射光栅后，在生长所述外包层之前的工序中，保留成为所述DFB激光器的活性层的部分，为了将成为劈开端面的部分的至少一方作为所述窗构造而去除所述窗构造的部分的活性层，在所述窗构造的相应处形成与结晶生长到所述半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤原直树，进藤隆彦，金泽慈，陈明晨，
申请(专利权)人：日本电信电话株式会社，
类型：发明
国别省市：