压电陶瓷及其制造方法技术

提供了压电陶瓷，其使用温度范围广，可以得到大的位移量，烧制容易，而且低公害化，从环境及生态学观点看是优良的。压电基板１是含有钙钛型氧化物（Ｎａ↓［１－ｘ－ｙ－ｚ］Ｋ↓［ｘ］Ｌｉ↓［ｙ］Ａｇ↓［ｚ］）（Ｎｂ↓［１－ｗ］Ｔａ↓［ｗ］）Ｏ↓［３］和钨青铜型氧化物Ｍ（Ｎｂ↓［１－ｖ］Ｔａ↓［ｖ］）↓［２］Ｏ↓［６］（Ｍ是长周期型周期表２族的元素）的组合物。ｘ，ｙ，ｚ是在０≤ｘ≤０．９、０≤ｙ≤０．２、０≤ｚ＜０．５的范围。钨青铜型氧化物的含量优选的是５．３ｍｏｌ％以下。因此，可以提高固化温度，加大位移量，也可以容易地烧制。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及含有钙钛矿型氧化物和钨青铜型氧化物的组合物的压电陶瓷，特别是涉及适用执行机构等的振动元件、发音体或者传感器等的压电陶瓷。
技术介绍
使用压电陶瓷的执行机构是利用加入电场时发生机械应变及应力的压电现象的。该执行机构的特征是具有可高精度地得到微量的位移的同时，发生大的应力等，例如用于确定精密工作机械和光学装置的位置。作为用于执行机构的压电陶瓷，以往最多是使用具有优良的压电性的钛氧锆酸铅(PZT)。可是，由于钛氧锆酸铅富含铅，最近，出现了由于酸性雨造成的铅溶出等给地球环境带来坏影响的问题，因此，希望开发出能代替钛氧锆酸铅、且不含有铅的压电陶瓷。作为不含铅的压电陶瓷，例如已知作为主成份含有钛酸钡(BaTiO3)的(参照日本第159079/1990号专利技术专利公开公报)。该压电陶瓷的介电常数εr及电气机械耦合系数kr优良，有望作为执行机构用的压电材料。另外，作为不含铅的其他的压电陶瓷，例如已知作为主成份含有铌酸钠钾锂的(参照日本第125900/1974号专利技术专利公开公报或日本第6713/1982号专利技术专利公告公报)。由于该压电陶瓷的熟化温度高达350℃以上，电气机械本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压电陶瓷，其特征是含有钙钛型氧化物和钨青铜型氧化物的组合物，其中钙钛型氧化物是从含有钠（Ｎａ）、钾（Ｋ）及锂（Ｌｉ）的第１元素和，含有由铌（Ｎｂ）及钽（Ｔａ）构成的群中的至少含有铌的第２元素和氧（Ｏ）组成的。

【技术特征摘要】
JP 2001-6-15 182423/2001;JP 2002-1-31 23411/2002;J1.一种压电陶瓷，其特征是含有钙钛型氧化物和钨青铜型氧化物的组合物，其中钙钛型氧化物是从含有钠(Na)、钾(K)及锂(Li)的第1元素和，含有由铌(Nb)及钽(Ta)构成的群中的至少含有铌的第2元素和氧(O)组成的。2.根据权利要求1所述的压电陶瓷，其中作为第1元素，进而含有银(Ag)。3.根据权利要求2所述的压电陶瓷，其中上述第1元素中的银的含量是在5mol％以下的范围内。4.一种压电陶瓷，其特征是含有第1钙钛型氧化物及第2钙钛型氧化物及钨青铜型氧化物的组合物，其中第1钙钛型氧化物是由含有钠(Na)及钾(K)的第1元素、含有从由铌(Nb)及钽(Ta)构成的群中的至少含铌的第2元素以及氧(O)组成的，上述第2钙钛型氧化物含有长周期型周期表2族的元素和钛(Ti)，上述组合物中的第2钙钛型氧化物的含量低于10mol％。5.根据权利要求4所述的压电陶瓷，其中作为第1元素，进而含有锂(Li)。6.根据权利要求1或4所述的压电陶瓷，其中上述第1元素中的钾的含量是10mol％以上90mol％以下的范围。7.根据权利要求1或5所述的压电陶瓷，其中第1元素中的锂的含量是20mol％以下的范围。8.根据权利要求1或4所述的压电陶瓷，其中第1元素对于上述钙钛型氧化物中的上述第2元素的组成比(第1元素/第2元素)，以摩尔比计是0.95以上1.05以下的范围。9.根据权利要求1或4所述的压...

【专利技术属性】
技术研发人员：七尾胜，宫内泰治，石山保，古川正仁，室泽尚吾，五木田佳子，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]