具有宽透镜且用于小发射点尺寸的电子装置制造方法及图纸

技术编号:3208311 阅读:147 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种电子装置,包括:    一衬底(8);    在所述衬底中定义的一阱(12);    在所述阱中形成的一尖端发射体(10);    在所述阱周围设置一提取器(14),该提取器从所述的尖端发射体提取发射;以及    一宽透镜(16),用于通过在所述宽透镜中限定的开口而聚焦所述发射,所述开口具有足够大直径并且与所述提取器隔开足够远以便所述足够大的直径包围所述发射的大部分发散角,并且所述宽透镜聚焦所述发射而成一点。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子领域,具体说涉及利用来自发射体的聚焦发射的装置。
技术介绍
在计算技术提供更高性能的同时计算技术将继续变得更加便宜,实际尺寸已经缩小到满足可携带的目的,特别是在需要提供便携式电源如电池的便携式装置中必须要将功率损耗减到最小。传统存储器装置如硬盘驱动器的高功率需求限制了电池的长期作业,和这些辅助装置相比,微处理器消耗少量功率,在更高速的装置中也同样如此。在行业刊物中有关于海量存储装置不能跟上微处理器发展速度的指责声,这些海量存储装置能举出许多,例如磁盘驱动器、CD-ROM、DVD驱动器。产生电子束的电子发射体为存储器、电子芯片制造设备和其他装置的可能可选解决方案提供了基础。电子束技术在消费产品如电视(TV)管和计算机监视器中出现已经许多年了,这些装置使用众所周知的热阴极电极来产生指向并聚焦到荧光屏的电子源。这些热阴极发射体由于其尺寸大、温度高和功率损耗大所以对于计算机规模的装置是不适当的,趋势是倾向于更紧密的解决方案,甚至于在电视中也如此,等离子电视和LCD电视就是偏离那种笨重的、热阴极技术趋势的实例。虽然在许多新
已经开展了研究,但冷阴极电子发射体领域如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子装置,包括一衬底(8);在所述衬底中定义的一阱(12);在所述阱中形成的一尖端发射体(10);在所述阱周围设置一提取器(14),该提取器从所述的尖端发射体提取发射;以及一宽透镜(16),用于通过在所述宽透镜中限定的开口而聚焦所述发射,所述开口具有足够大直径并且与所述提取器隔开足够远以便所述足够大的直径包围所述发射的大部分发散角,并且所述宽透镜聚焦所述发射而成一点。2.根据权利要求1的电子装置,还包括在布置在与所述宽透镜隔开一距离处的一靶介质(18,72,96),以接收所述聚焦的发射。3.权利要求2的电子装置,其中所述足够大直径包围所述发射的整个发散角。4.权利要求3的电子装置,其中所述足够大直径范围在~3um-~10um。5.权利要求4的电子装置,其中所述宽透镜与所述提取器之间距离范围是~3um-~10um并且所述足够大直径和所述宽透镜与所述提取器之间距离的比例是1∶1-6∶1之间。6.权利要求5的电子装置,其中电介质层(20)产生了所述宽透镜与所述提取器之间的所述距离。7.权利要求5的电子装置,其中所述靶介质相对于所述宽透镜是可移动的。8.权利要求7的电子装置,其中所述靶介质包括光刻介质。9.权利要求7的电子装置,其中所述靶介质包括一存储器介质。10.权利要求2的电子装置,其中在所述衬底中定义的所述阱其深度与直径的纵横比范围大约是0.75∶1至1.25∶1。11.权利要求10的电子装置,其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:P·本宁H·P·霩W·R·奈特P·H·麦克莱兰德
申请(专利权)人:惠普开发有限公司
类型:发明
国别省市:

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