恒流保护电路、方法、电源及电子设备技术

本发明专利技术公开了一种恒流保护电路、方法、电源及电子设备，属于电路领域。本发明专利技术的恒流保护电路包括微处理器、驱动模块、控制开关、滤波模块、电压检测模块、电流采样模块，驱动模块连接微处理器，控制开关连接驱动模块，滤波模块连接控制开关，电压检测模块分别连接滤波模块和微处理器；电压检测模块用于检测电源的输出电压，微处理器用于根据输出电压异常情况决定是否输出关断控制开关的控制信号，驱动模块用于根据控制信号改变控制开关的输出信号，控制开关根据输出信号控制电源对负载的供电状态。这种恒流保护电路能够对负载过载进行检测，并采取相应的保护措施，提高电路的工作安全性。提高电路的工作安全性。提高电路的工作安全性。

【技术实现步骤摘要】
恒流保护电路、方法、电源及电子设备


[0001]本专利技术涉及电路领域，尤其涉及一种恒流保护电路、方法、电源及电子设备。

技术介绍

[0002]对于需要恒流工作的直流负载装置，如：消毒水机、电解水机、果蔬清洗机等，通常采用改变MOS管通断占空比来调节输出电流大小以实现负载恒流的目的，但当负载过载或发生意外短路时，流过采样电阻及MOS开关管的电流可能会很大，传统的负载过流检测方法存在检测耗时较长、对负载大电流反应较迟钝的缺陷(由于负载电流自身正常波动及受PWM占空比不断适时细调的影响，负载电流的波动及紊乱状况要比负载电压要严重的多，负载电流需要数十次的反复采样与比较大小值、求平均值等一系列数字滤波及防误判运算处理)，因而容易烧坏MOS开关管甚至烧坏采样电阻、微处理器等，造成产品品质问题。如果负载严重过载或意外短路时造成采样电阻先于MOS管烧坏且呈现为内部短路，微处理器会因采样电阻两端没有什么电压降而误判为是因为所驱动的PWM占空比不够大而继续加大驱动MOS管的PWM占空比，会导致MOS管迅速烧毁；如果采样电阻损坏呈现为内部开路，MOS管的输出电压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.恒流保护电路，其特征在于，包括：微处理器；驱动模块，所述驱动模块连接所述微处理器；控制开关，所述控制开关连接所述驱动模块；滤波模块，所述滤波模块连接所述控制开关，所述滤波模块用于对所述控制开关的输出的输出信号进行滤波处理；电压检测模块，所述电压检测模块分别连接所述滤波模块的输出端和所述微处理器；所述电压检测模块用于检测电源的输出电压，所述微处理器用于根据所述输出电压异常情况决定是否输出关断所述控制开关的控制信号，所述驱动模块用于根据所述控制信号改变所述控制开关的输出信号，所述控制开关根据所述输出信号控制所述电源对负载的供电状态。2.根据权利要求1所述的恒流保护电路，其特征在于，所述控制开关为MOS管，所述MOS管的栅极连接所述驱动模块，所述MOS管的源极连接所述电源，所述MOS管的漏极连接所述滤波模块的输入端。3.根据权利要求2所述的恒流保护电路，其特征在于，所述恒流保护电路包括：电流采样模块，所述电流采样模块连接所述微处理器，所述电流采样模块用于采集所述电源的输出电流，并将所述输出电流输出至所述微处理器检测，所述微处理器用于根据所述输出电流输出控制信号，使所述控制开关的输出电流保持恒定。4.根据权利要求3所述的恒流保护电路，其特征在于，所述驱动模块包括第一三极管、第一电阻、第二三极管、第三三极管、第二电阻、第三电阻、第八电阻和第四电容；其中，所述第四电容的第一端连接所述电源，所述第四电容的第二端接地；所述第八电阻的第一端连接所述微处理器，所述第八电阻的第二端连接所述第一三极管的基极。所述第一三极管的基极连接所述第八电阻的第二端，所述第一三极管的集电极分别连接所述第一电阻的第二端、所述第二三极管的基极和所述第三三极管的基极，所述第一三极管的发射极接地；所述第一电阻的第一端分别连接所述电源和所述MOS管的源极，所述第一电阻的第二端连接所述第一三极管的集电极；所述第二三极管的基极分别连接所述第一电阻的第二端和所述第一三极管的集电极，所述第二三极管的集电极分别连接所述MOS管的源极、所述电源和所述第三电阻的第一端，所述第二三极管的发射极分别连接所述MOS管的栅极、所述第三电阻的第二端和第二电阻的第一端；所述第三三极管的基极分别连接所述第一三极管的集电极、所述第二三极管的基极和所述第一电阻的第二端，所述第三三极管的发射极连接所述第二电阻的第二端，所述第三三极管的集电极接地；所述第二电阻的第一端分别连接所述MOS管的栅极和所述第二三极管的发射极，所述第二电阻的第二端连...

【专利技术属性】
技术研发人员：田宝军，安飞虎，李欣，
申请(专利权)人：深圳飞安瑞科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：