一种真空炉炉底导气孔结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种真空炉炉底导气孔结构，设置于真空炉炉体的底端，炉体的内壁有通道接入冷却水形成导气孔的水冷结构，包括导气孔、保温层及导气筒，导气孔对称设置于炉体的底端，导气孔内壁的上端外扩增大内径形成台阶，台阶上填充有竖直设置的导气筒及保温层，保温层设置于导气孔内壁与导气筒外壁之间；该导气孔结构简单，不易堵塞，提高炉内负压稳定性，降低成本。降低成本。降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种真空炉炉底导气孔结构


[0001]本技术涉及一种导气孔结构，具体涉及一种真空炉炉底导气孔结构，属于光伏、半导体制造行业。

技术介绍

[0002]真空炉，即在炉腔这一特定空间内利用真空系统（由真空泵、真空测量装置、真空阀门等元件经过精心组装而成）将炉腔内部分物质排出，使炉腔内压强小于一个标准大气压，炉腔内空间从而实现真空状态，这就是真空炉。
[0003]随技术的进步，真空炉的单炉运行时间越来越长，炉体的导气孔容易出现堵塞，导致炉内压力上升，炉内返灰，真空泵运行频率等问题；由于真空炉导气孔堵塞导致真空炉的单炉运行时间受到影响。

技术实现思路

[0004]本技术所要解决的技术问题是，克服现有技术的缺点，提供一种真空炉炉底导气孔结构，该导气孔结构简单，不易堵塞，提高炉内负压稳定性，降低成本。
[0005]为了解决以上技术问题，本技术提供一种真空炉炉底导气孔结构，设置于真空炉炉体的底端，炉体的内壁有通道接入冷却水形成导气孔的水冷结构，包括导气孔、保温层及导气筒，导气孔对称设置于炉体的底端，导气孔内壁的上端外扩增大内径形成台阶，台阶上填充有竖直设置的导气筒及保温层，保温层设置于导气孔内壁与导气筒外壁之间。
[0006]本技术进一步限定的技术方案是：
[0007]进一步的，前述真空炉炉底导气孔结构中，保温层为耐高温碳毡、碳制固体毡、石英沙中的任意一种制成。
[0008]前述真空炉炉底导气孔结构中，导气筒为耐高温的石墨、碳碳固毡、石英、不锈钢中的任意一种制作。
[0009]前述真空炉炉底导气孔结构中，保温层及导气筒的厚度分别控制在10
‑
50mm。
[0010]前述真空炉炉底导气孔结构中，导气孔的外壁上围绕有导气孔的水冷结构，水冷结构的最底端与导气孔内的台阶齐平。
[0011]技术效果，水冷结构的最底端与导气孔内的台阶齐平，确保冷却水对导气孔的冷却使得使硅蒸汽及挥发物在导气孔内冷却富集导致的炉内压力上升，返灰等问题，导致导气孔堵塞，导致炉内压力上升，炉内返灰，真空泵运行频率等问题；同时，齐平可以只对围绕有冷却水的导气孔的内壁部分进行处理，无需对整个导气孔进行处理，节约资源，降低成本。
[0012]本技术的有益效果是：
[0013]本技术将导气孔有水冷的部分内径进行了增加形成台阶放置保温层和导气筒，无需外加部件，内部调整即可，节约空间，降低成本。
[0014]本技术中内径增加的部分台阶处用保温层及导气筒进行填充、组装，保温层
和导气筒均采用耐高温的材质，双层保障进一步保证冷却水对导气孔的影响，共同作用使炉内硅蒸汽及挥发物无法在导气孔内冷却富集导致的炉内压力上升，返灰等问题；
[0015]本技术中少量的硅蒸汽、挥发物在导气孔及后端管道内逐步冷却被高速氩气或其它保护气体带走；
[0016]本技术硅蒸汽、挥发物最终在真空泵的作用下到达真空过滤罐中，以上综合依次来防止导气孔堵塞。
附图说明
[0017]图1为现有技术中真空炉炉底导气孔结构的结构示意图；
[0018]图2为本技术实施例中真空炉炉底导气孔结构的结构示意图；
[0019]图中：1
‑
炉体，2
‑
冷却水， 3
‑
导气孔，4
‑
保温层，5
‑
导气筒，6
‑
台阶。
具体实施方式
[0020]实施例1
[0021]本实施例提供的一种真空炉炉底导气孔结构，结构如图2所示，设置于真空炉炉体1的底端，炉体1的内壁有通道接入冷却水2形成导气孔的水冷结构，包括导气孔3、保温层4及导气筒5，导气孔3对称设置于炉体1的底端，导气孔3内壁的上端外扩增大内径形成台阶6，台阶6上填充有竖直设置的导气筒5及保温层4，保温层4设置于导气孔3内壁与导气筒5外壁之间。
[0022]在本实施例中，保温层4为耐高温碳毡制成。
[0023]在本实施例中，导气筒5为耐高温的石墨制作。
[0024]在本实施例中，保温层4及导气筒5的厚度分别控制在30mm。
[0025]在本实施例中，导气孔3的外壁上围绕有导气孔3的水冷结构，水冷结构的最底端与导气孔3内的台阶6齐平。
[0026]现有技术中的导气孔结构如图1所示，导气孔设置与炉体的底端，冷却水直接围绕在导气孔外壁的上端，冷却水直接对导气孔作用，原先的废气通过导气孔的温度是一个骤变的过程，容易使使炉内的硅蒸汽与挥发物在导气孔内冷却富集堵塞导气孔，本技术现在设置保温层和导气筒使冷却水对导气孔的冷却降低，使废气通过导气孔的温度是一个渐变的过程，同时导气孔的水冷对炉内温度的影响也降低了，提高了炉内温度的稳定。
[0027]使用本技术导气孔防堵塞原理：
[0028]（1）在保温层与导气筒的共同作用下，使炉内的硅蒸汽与挥发物无法在导气孔内冷却富集；
[0029]（2）少量的硅蒸汽、挥发物在导气孔及后端管道内逐步冷却被高速氩气或其它保护气体带走；
[0030]（3）硅蒸汽、挥发物最终在真空泵的作用下到达真空过滤罐中。
[0031]使用本技术的导气孔结构可以延长真空炉的负压稳定运行时间30%以上；可以降低真空泵运行频率15%以上，真空泵的用电量节约10%以上；使炉内负压稳定性提高；消除了因导气孔堵塞导致的返灰事故。
[0032]除上述实施例外，本技术还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变
换形成的技术方案，均落在本技术要求的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空炉炉底导气孔结构，设置于真空炉炉体（1）的底端，所述炉体（1）的内壁有通道接入冷却水（2）形成导气孔的水冷结构，其特征在于：包括导气孔（3）、保温层（4）及导气筒（5），所述导气孔（3）对称设置于所述炉体（1）的底端，所述导气孔（3）内壁的上端外扩增大内径形成台阶（6），所述台阶（6）上填充有竖直设置的所述导气筒（5）及保温层（4），所述保温层（4）设置于所述导气孔（3）内壁与导气筒（5）外壁之间。2.根据权利要求1所述的真空炉炉底导气孔结构，其特征在于：所述保温层（4）为耐高温碳毡、...

【专利技术属性】
技术研发人员：马新星，王艺澄，王军磊，
申请(专利权)人：包头美科硅能源有限公司，
类型：新型
国别省市：