一种IGBT型脱毛仪控制系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种IGBT型脱毛仪控制系统，包括电源模块和控制模块，所述电源模块包括整流单元和变压单元，所述控制模块包括MCU单元和IGBT单元，所述电源模块与控制模块连接，所述整流单元与变压单元连接，所述变压单元与MCU单元连接，所述MCU单元与IGBT单元连接，所述IGBT单元与变压单元连接。本实用新型专利技术将交流110～220V电源直接转化为直流高压电源，用IGBT晶体管直接控制灯管两端电压导通时间以控制调节打光能量，具有元件少、升压效率高、升压时间短等优点，且灯管导通时间控制可以做到毫秒级，能量调节更为精准，同时为了保护作用，只有MCU输出控制信号时直流高压部分才有输出。才有输出。才有输出。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT型脱毛仪控制系统


[0001]本技术涉及脱毛
，具体涉及一种IGBT型脱毛仪控制系统。

技术介绍

[0002]多余毛发是困惑女性及男性的一个普遍性的美容问题，传统的脱毛法有剃毛法、机械脱毛法、蜡脱毛法、化学试剂脱毛法、镊取法等，共同缺点是难以破坏毛母质和毛囊干细胞，只能达到暂时性脱毛的效果。利用现代光子技术不仅可以达到永久性脱毛或推迟毛发再生的目的,还可避免和减少传统脱毛技术的缺点。
[0003]传统的脱毛仪方案是将AC110
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220V电源转化为DC低压电源，用DC低压电源给脱毛仪供电，在脱毛仪内部再将低压DC电源升压为高压DC电源。然后通过控制升压的高压DC电压来控制打光能量。因为传统方案需要先将AC110
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220V电源转化为DC低压电源，再将DC低压电源升压为高压DC电源，然后通过控制升压的高压DC电压来控制打光能量，此方案线路复杂，元件多，升压效率低，而且将低压DC电压升压至高压DC电源所需时间久，同时传统方案依赖控制升压的高压DC电压来控制打光能量，控制精度差。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中的缺陷，本技术提供IGBT型脱毛仪控制系统，以提高升压效率，缩短升压时间。
[0005]一种IGBT型脱毛仪控制系统，包括电源模块和控制模块，所述电源模块包括整流单元和变压单元，所述控制模块包括MCU单元和IGBT单元，所述电源模块与控制模块连接，所述整流单元与变压单元连接，所述变压单元与MCU单元连接，所述MCU单元与IGBT单元连接，所述IGBT单元与变压单元连接。
[0006]优选地，所述整流单元包括保险丝、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、压敏电阻、热敏电阻、共模电感以及整流桥，所述保险丝的第一端连接交流电源，保险丝的第二端与第一电容的第一端、压敏电阻的第一端以及共模电感连接，第一电容的第二端与压敏电阻的第二端以及共模电感连接，共模电感还与热敏电阻的第一端、第二电容的第一端连接并与火线连接，热敏电阻的第二端与整流桥的交流输入侧的一端连接，第二电容的第二端与整流桥的交流输入侧的另一端连接并与零线连接，整流桥的直流正极输出端与第三电容的正极端和第四电容的正极端连接，整流桥的直流负极输出端与第三电容的负极端和第四电容的负极端连接。
[0007]优选地，所述第三电容和第四电容均为电解电容。
[0008]优选地，所述变压单元包括第一变压单元和第二变压单元，所述第一变压单元与第二变压单元连接。
[0009]优选地，所述第一变压单元包括低压电路和稳压器，所述低压电路与稳压器连接。
[0010]优选地，所述第二变压单元包括直流高压电路。
[0011]优选地，所述MCU单元包括MCU芯片，所述IGBT单元包括第一电阻、第二电阻、第三
电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第十五电阻、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第九电容、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第一变压器、第一芯片以及IGBT晶体管，所述第一电阻的第一端与MCU芯片连接，所述第一芯片与第一电阻的第二端、第二电阻的第一端、第三电阻的第一端、第四电阻的第一端、第四电阻的第二端、第五电阻的第一端、第六电阻的第一端、第五电容的第一端、第六电容的第一端、第七电容的第一端、第一二极管的负极端、第二二极管的负极端以及第三二极管的负极端连接，第二电阻的第二端与第五电容的第二端、第六电容的第二端以及第三电阻的第二端连接并接地，第一二极管的正极端与第七电容的第二端连接并接地，第二二极管的正极端接电源模块，第六电阻的第二端与第七电阻的第一端连接，第七电阻的第二端与第八电阻的第一端、第十一电阻的第一端连接并接电源模块，第十一电阻的第二端与第十二电阻的第一端连接，第十二电阻的第二端与第十三电阻的第一端连接，第十三电阻的第二端与MCU芯片、第十四电阻的第一端连接，第十四电阻的第二端与第十五电阻的第一端、第十电阻的第一端、第四二极管的正极端、IGBT晶体管的发射极以及第一变压器连接，IGBT晶体管的栅极与第十电阻的第二端、第五电阻的第二端以及第三二极管的正极端连接，IGBT晶体管的集电极与第四二极管的负极端、第九电容的第一端、第八电容的第一端、第八电阻的第二端以及第五二极管的负极端连接，第八电容的第二端与第一变压器连接，第五二极管的正极端与第九电阻的第一端、灯管负极端以及第十五电阻的第二端连接，第九电阻的第二端与第九电容的第二端连接。
[0012]本技术的有益效果体现在：将交流110～220V电源直接转化为直流高压电源，用IGBT晶体管直接控制灯管两端电压导通时间以控制调节打光能量，具有元件少、升压效率高、升压时间短等优点，且灯管导通时间控制可以做到毫秒级，能量调节更为精准，同时为了保护作用，只有MCU输出控制信号时直流高压部分才有输出。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中，类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。
[0014]图1为本技术实施例提供的一种IGBT型脱毛仪控制系统的模块框图；
[0015]图2为本技术实施例提供的一种IGBT型脱毛仪控制系统的整流单元电路原理图；
[0016]图3为本技术实施例提供的一种IGBT型脱毛仪控制系统的直流高压电路原理图；
[0017]图4为本技术实施例提供的一种IGBT型脱毛仪控制系统的IGBT单元电路原理图。
具体实施方式
[0018]下面将结合附图对本技术技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅
用于更加清楚地说明本技术的技术方案，因此只作为示例，而不能以此来限制本技术的保护范围。
[0019]需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域技术人员所理解的通常意义。
[0020]本实施例提供一种IGBT型脱毛仪控制系统，包括电源模块和控制模块，电源模块与控制模块连接，电源模块用于将交流电源转换为高压直流电源，控制模块用于控制灯管导通，调节打光能量，如图1所示，电源模块包括整流单元和变压单元，控制模块包括MCU单元和IGBT单元，整流单元与变压单元连接，变压单元与MCU单元连接，MCU单元与IGBT单元连接，IGBT单元与变压单元连接。如图2所示，整流单元包括保险丝F1、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、压敏电阻VR、热敏电阻TR、共模电感LS1以及整流桥，第三电容C3、第四电容C4均为电解电容，交流110～220V电源与保险丝F1的第一端连接，保险丝F1的第二端与第一电容C1的第一端、压敏电阻VR的第一端以及共模电感LS1的第1端本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT型脱毛仪控制系统，包括电源模块和控制模块，其特征在于，所述电源模块包括整流单元和变压单元，所述控制模块包括MCU单元和IGBT单元，所述电源模块与控制模块连接，所述整流单元与变压单元连接，所述变压单元与MCU单元连接，所述MCU单元与IGBT单元连接，所述IGBT单元与变压单元连接。2.根据权利要求1所述的一种IGBT型脱毛仪控制系统，其特征在于，所述整流单元包括保险丝、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、压敏电阻、热敏电阻、共模电感以及整流桥，所述保险丝的第一端连接交流电源，保险丝的第二端与第一电容的第一端、压敏电阻的第一端以及共模电感连接，第一电容的第二端与压敏电阻的第二端以及共模电感连接，共模电感还与热敏电阻的第一端、第二电容的第一端连接并与火线连接，热敏电阻的第二端与整流桥的交流输入侧的一端连接，第二电容的第二端与共模电感和整流桥的交流输入侧的另一端连接并与零线连接，整流桥的直流正极输出端与第三电容的正极端和第四电容的正极端连接，整流桥的直流负极输出端与第三电容的负极端和第四电容的负极端连接。3.根据权利要求2所述的一种IGBT型脱毛仪控制系统，其特征在于，所述第三电容和第四电容均为电解电容。4.根据权利要求1所述的一种IGBT型脱毛仪控制系统，其特征在于，所述变压单元包括第一变压单元和第二变压单元，所述第一变压单元与第二变压单元连接。5.根据权利要求4所述的一种IGBT型脱毛仪控制系统，其特征在于，所述第一变压单元包括低压电路和稳压器，所述低压电路与稳压器连接。6.根据权利要求4所述的一种IGBT型脱毛仪控制系统，其特征在于，所述第二变压单元包括直流高压电路。7.根据权利要求1所述的一种IGBT型脱毛仪控制系统，其特征在于，所述MCU单元包括MCU芯片，所述IGBT单元包括第...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪付健，鄢烈榜，罗家威，
申请(专利权)人：深圳市卓芯微科技有限公司，
类型：新型
国别省市：