本申请提供一种所述纹路识别模组及显示装置。纹路识别模组包括衬底、位于衬底上的薄膜晶体管结构层、位于薄膜晶体管结构层背离衬底一侧的导电层及位于导电层背离衬底一侧的至少一个第一电容极板。纹路识别模组包括至少一个纹路识别单元，至少一个纹路识别单元包括第一电容极板、以及位于所述薄膜晶体管结构层的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括第一极和第二极，第一极被配置为接收输入信号；第二薄膜晶体管包括第三极和第四极，第三极被配置为将采集到的纹路信号输出。还少一个所述纹路识别单元中，第二极及所述第四极分别与所述第一电容极板电连接。所述导电层包括至少一个导电结构，所述导电结构连接恒定的电信号。定的电信号。定的电信号。
【技术实现步骤摘要】
纹路识别模组及显示装置
[0001]本申请涉及纹路识别
，特别涉及一种纹路识别模组及显示装置。
技术介绍
[0002]有机发光显示设备具有功耗低、响应速度快、宽视角、高分辨率等优点，不仅应用领域多样化，而且显示设备逐渐向多功能化发展，例如显示设备具有多个指纹识别单元，指纹识别单元用于指纹识别。
[0003]现有的显示设备的指纹识别单元有待改进。
技术实现思路
[0004]根据本申请实施例的第一方面，提供了一种纹路识别模组。所述纹路识别模组包括衬底、位于所述衬底上的薄膜晶体管结构层、位于所述薄膜晶体管结构层背离衬底一侧的导电层及位于所述导电层背离所述衬底一侧的至少一个第一电容极板；
[0005]所述纹路识别模组包括至少一个纹路识别单元，至少一个所述纹路识别单元包括所述第一电容极板、以及位于所述薄膜晶体管结构层的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括第一极和第二极，所述第一极被配置为接收输入信号；所述第二薄膜晶体管包括第三极和第四极，所述第三极被配置为将采集到的纹路信号输出；至少一个所述纹路识别单元中，所述第二极及所述第四极分别与所述第一电容极板电连接；
[0006]所述导电层包括至少一个导电结构，所述导电结构连接恒定的电信号。
[0007]在一个实施例中，所述导电层还包括转接部，至少一个所述纹路识别单元还包括所转接部；至少一个所述纹路识别单元中，所述第二极及所述第四极通过所述转接部与所述第一电容极板电连接。
[0008]在一个实施例中，至少一个所述纹路识别单元中，所述第二极及所述第四极通过不同的所述转接部与所述第一电容极板电连接。
[0009]在一个实施例中，至少一个所述纹路识别单元中，所述第二极及所述第四极通过同一所述转接部与所述第一电容极板电连接。
[0010]在一个实施例中，所述转接部与所述导电结构在一次构图工艺中形成。
[0011]在一个实施例中，所述纹路识别模组还包括同层设置的第一输入信号线、第二输入信号线和输出信号线，所述输出信号线位于所述第一输入信号线与所述第二输入信号线之间；所述第一输入信号线或所述第二输入信号线与所述第一极电连接，所述输出信号线与所述第三极电连接。
[0012]在一个实施例中，所述纹路识别模组还包括连接部，所述连接部位于所述第一输入信号线靠近所述衬底的一侧，至少一条所述第一输入信号线与至少一条所述第二输入信号线通过所述连接部电连接。
[0013]在一个实施例中，所述第一薄膜晶体管包括第一栅电极，所述第二薄膜晶体管包括第二栅电极，所述连接部、所述第一栅电极及所述第二栅电极在一次构图工艺中形成。
[0014]在一个实施例中，所述纹路识别模组还包括屏蔽层，所述屏蔽层位于所述连接部与所述输出信号线之间，所述连接部在所述衬底上的正投影与所述输出信号线在所述衬底上的正投影的交叠部分、与所述屏蔽层在所述衬底上的正投影存在交叠。
[0015]在一个实施例中，所述输出信号线在所述衬底上的正投影落在所述屏蔽层在所述衬底上的正投影内，和/或，所述连接部在所述衬底上的正投影落在所述屏蔽层在所述衬底上的正投影内。
[0016]在一个实施例中，所述第一电容极板被配置为与待识别纹路形成电容。
[0017]在一个实施例中，所述导电结构与所述第一极电连接，为所述第一极提供所述输入信号。
[0018]在一个实施例中，所述纹路识别模组还包括与所述第一电容极板相对设置的第二电容极板、以及位于所述第一电容极板与所述第二电容极板之间的光电材料层。
[0019]在一个实施例中，所述纹路识别模组还包括输出信号线，所述输出信号线与所述第三极电连接，所述输出信号线在所述衬底上的正投影与所述导电结构在所述衬底上的正投影存在交叠。
[0020]在一个实施例中，所述纹路识别模组还包括发光层，所述发光层包括多个子像素，所述第一电容极板、所述光电材料层及所述第二电容极板分别位于所述发光层靠近所述衬底的一侧。
[0021]在一个实施例中，所述纹路识别模组还包括发光层，所述发光层包括多个子像素，所述发光层包括第一电极、位于所述第一电极背离所述衬底一侧的发光材料层及位于所述发光材料层背离所述衬底一侧的第二电极；所述第二电容极板位于所述第一电容极板背离所述衬底的一侧；
[0022]所述第一电容极板与所述第一电极同层设置；所述第二电容极板与所述第二电极同层设置。
[0023]在一个实施例中，所述第二电容极板与所述第二电极电连接。
[0024]根据本申请实施例的第二方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的纹路识别模组。
[0025]本申请实施例所达到的主要技术效果是：
[0026]本申请实施例提供的纹路识别模组及显示装置，纹路识别单元包括第一电容极板、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的第一极接收输入信号，第二薄膜晶体管的第三极将采集到的纹路信号输出，也即是，第一薄膜晶体管用于接收输入信号，第二薄膜晶体管用于将纹路信号输出，相对于采用一个薄膜晶体管既用来接收输入信号又用来输出纹路信号的方案来说，有助于简化对薄膜晶体管的控制，且节省了对薄膜晶体管进行输入信号与输出信号切换的时间，可增大纹路识别模组的识别速率，提升纹路识别模组的灵敏度；导电层位于薄膜晶体管结构层背离衬底的一侧，导电结构连接稳定的电信号，导电结构可避免薄膜晶体管结构层中的导电部件与位于导电层背离衬底一侧的导电部件之间的信号干扰，有助于提升采集到的纹路信号的精确性，进而提升纹路识别的精度。
附图说明
[0027]图1是本申请一示例性实施例提供的纹路识别模组的局部结构示意图；
[0028]图2是图1所示的纹路识别模组沿AA剖开得到的剖视图；
[0029]图3是本申请另一示例性实施例提供的纹路识别模组的局部结构示意图；
[0030]图4是图3所示的纹路识别模组沿BB剖开得到的剖视图；
[0031]图5是本申请再一示例性实施例提供的纹路识别模组的局部剖视图；
[0032]图6是本申请又一示例性实施例提供的纹路识别模组的局部剖视图；
[0033]图7是本申请再一示例性实施例提供的纹路识别模组的电路图；
[0034]图8是图7所示的纹路识别模组中一个纹路识别单元与处理芯片连接的电路图；
[0035]图9是图8所示的纹路识别单元的驱动时序图；
[0036]图10是本申请又一示例性实施例提供的纹路识别模组的局部剖视图；
[0037]图11是本申请又一示例性实施例提供的纹路识别模组的局部剖视图。
具体实施方式
[0038]这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施例并不代表与本申请相一致的所有实施例。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种纹路识别模组，其特征在于，所述纹路识别模组包括衬底、位于所述衬底上的薄膜晶体管结构层、位于所述薄膜晶体管结构层背离衬底一侧的导电层及位于所述导电层背离所述衬底一侧的至少一个第一电容极板；所述纹路识别模组包括至少一个纹路识别单元，至少一个所述纹路识别单元包括所述第一电容极板、以及位于所述薄膜晶体管结构层的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括第一极和第二极，所述第一极被配置为接收输入信号；所述第二薄膜晶体管包括第三极和第四极，所述第三极被配置为将采集到的纹路信号输出；至少一个所述纹路识别单元中，所述第二极及所述第四极分别与所述第一电容极板电连接；所述导电层包括至少一个导电结构，所述导电结构连接恒定的电信号。2.根据权利要求1所述的纹路识别模组，其特征在于，所述导电层还包括转接部，至少一个所述纹路识别单元还包括所转接部；至少一个所述纹路识别单元中，所述第二极及所述第四极通过所述转接部与所述第一电容极板电连接。3.根据权利要求2所述的纹路识别模组，其特征在于，至少一个所述纹路识别单元中，所述第二极及所述第四极通过不同的所述转接部与所述第一电容极板电连接。4.根据权利要求2所述的纹路识别模组，其特征在于，至少一个所述纹路识别单元中，所述第二极及所述第四极通过同一所述转接部与所述第一电容极板电连接。5.根据权利要求2所述的纹路识别模组，其特征在于，所述转接部与所述导电结构在一次构图工艺中形成。6.根据权利要求1所述的纹路识别模组，其特征在于，所述纹路识别模组还包括同层设置的第一输入信号线、第二输入信号线和输出信号线，所述输出信号线位于所述第一输入信号线与所述第二输入信号线之间；所述第一输入信号线或所述第二输入信号线与所述第一极电连接，所述输出信号线与所述第三极电连接。7.根据权利要求6所述的纹路识别模组，其特征在于，所述纹路识别模组还包括连接部，所述连接部位于所述第一输入信号线靠近所述衬底的一侧，至少一条所述第一输入信号线与至少一条所述第二输入信号线通过所述连接部电连接。8.根据权利要求7所述的纹路识别模组，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括第一栅电极，所述第二薄膜晶体管包括第二栅电极，所述连接部、所述第一栅电...
【专利技术属性】
技术研发人员：王九镇，王文博，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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