【技术实现步骤摘要】
技术介绍
专利
本专利技术涉及薄膜形成的组合物，其中可以形成具有优良的介电性质、粘合性、膜均匀性和机械强度的多孔膜，并且降低了吸湿；多孔膜和形成其的方法；以及内部包含多孔膜的半导体器件。相关工艺的描述在半导体集成电路的制造中，由于电路是较紧密拥挤，增加了互连电容导致增加了互连延迟时间，由此阻碍了半导体电路性能的提高，所述的电容是金属互连之间的寄生电容。这一互连延迟时间称为RC延迟，其正比于金属互连的电阻和互连之间静电容的乘积。降低互连延迟时间要求降低金属互连的电阻或互连电容。金属互连的电阻和互连电容的降低能够防止密集拥挤的半导体器件引起互连延迟，由此得到较小和更快的低功率消耗的半导体器件。在试图降低金属互连的电阻中，近些年来，在多层互连结构中利用金属铜互连多于常规的铝互连。然而，单独这一结构的使用在提高性能方面有限制，因此降低互连电容对更高的半导体性能是迫切需要的。降低互连电容的一种方法是降低在金属互连之间设置的层间绝缘膜的相对介电常数。因而具有低的相对介电常数的绝缘膜，已经考虑使用多孔膜代替已经常规使用的氧化硅膜。可以说多孔膜是作为具有2.0或更小相对介电常数...
【技术保护点】
一种包含缩合产物和有机溶剂用于形成多孔膜的组合物，其中在碱性催化剂存在下，通过如下组分的水解和缩合得到缩合产物：一种或多种由通式（１）：Ｒ↑［１］↓［ｋ］Ｓｉ（ＯＲ↑［２］）↓［４－ｋ］代表的硅烷化合物，其中Ｒ↑［１］代表有１～８个 碳原子的有机基团，以及当有二个或多个Ｒ↑［１］时，这些Ｒ↑［１］可以独立的，相同或不同；Ｒ↑［２］代表有１～４个碳原子的烷基，和当有二个或多个Ｒ↑［２］时，这些Ｒ↑［２］可以是独立的，相同或不同；ｋ是０～３的整数；以及一种或多种由通 式（２）：｛Ｘ↓［ｊ］（Ｙ）↓［３－ｊ］Ｓｉ－（Ｌ）↓［ｍ］－｝↓［ｎ］ＭＺ↓［４－...
【技术特征摘要】
JP 2003-3-10 062605/20031.一种包含缩合产物和有机溶剂用于形成多孔膜的组合物，其中在碱性催化剂存在下，通过如下组分的水解和缩合得到缩合产物一种或多种由通式(1)R1kSi(OR2)4-k代表的硅烷化合物，其中R1代表有1～8个碳原子的有机基团，以及当有二个或多个R1时，这些R1可以独立的，相同或不同；R2代表有1～4个碳原子的烷基，和当有二个或多个R2时，这些R2可以是独立的，相同或不同；k是0～3的整数；以及一种或多种由通式(2){Xj(Y)3-jSi-(L)m-}nMZ4-n代表的交联剂，其中X代表氢原子、卤原子或具有1～4个碳原子的烷氧基；Y代表氢原子、具有1～4个碳原子的烷基或苯基；Z代表氢原子、卤原子或具有1～4个碳原子的烷基、具有1～4个碳原子的烷氧基或苯基；L代表直链或支链具有1～6个碳原子的亚烷基、具有1～6个碳原子的链烯烃、具有1～6个碳原子的炔烯烃或亚苯基；M代表碳原子或硅原子；j是1～3的整数；m是0或1；和n是3或4。2.权利要求1用于形成多孔膜的组合物，其中所述的碱性催化剂是氢氧化季铵盐。3.权利要求2用于形成多孔膜的组合物，其中所述的氢氧化季铵盐选自氢氧化四甲铵、胆碱和氢氧化四丙铵。4.一种制造多孔膜的方法，包括将权利要求1～3任一权所述的组合物施加到基质上的步骤，以便在其上形成薄膜，干燥膜和加热干燥的膜从而硬化膜。5.一种多孔膜，由权利要求1～3任一权利要求所述的组合物...
【专利技术属性】
技术研发人员：荻原勤，八木桥不二夫，中川秀夫，笹子胜，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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