半导体器件的测试设备制造技术

用于制造半导体器件的工艺过程包括为了以大范围一次全部的方式测试被测物中的导电焊接点把具有数量与被测物中的测试目标区域上形成测试目标导电体的数量相等的电学上独立的凸出部的测试装置主体部分压向被测物的电特性测试步骤。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，而更详细地涉及通过改进测试工艺过程提高半导体器件生产率的。
技术介绍
按照下列的工艺过程制造通常的半导体器件。用于在晶片上形成大量元件的元件制作工艺过程。用于对晶片上形成的元件实施探针测试(一种连续性测试)的探针测试工艺过程。用于在完成探针测试工艺过程以后切割晶片(按每个集成电路切割晶片)以便形成许多芯片的切割工艺过程。用于把每块芯片封装成半导体器件的封装工艺过程。用于对半导体器件(被测对象)实施老化测试(一种热负载测试)的老化测试工艺过程。在这样的情况下，在上述的工艺过程中间，在探针测试和老化测试中的被测对象、外部测试系统和连接方法基本上是相同的。就是说，使用使各个导电的精细探针与在被测对象上以大约几十微米到一百几十微米的间距构成图形的具有几十微米到一百几十微米的长度和宽度并用铝合金或其他合金制成的各个电极焊接点机械接触的方法。作为精密的探针，例如，使用用钨(W)或镍(Ni)制成具有几十微米的尖端直径和几十微米的长度的细探针。然而，根据以上所述的在先技术的探针装置中，为了使各个探针精确定位以便固定，需要大的面积。因此，难以在表面内排列更多的探针，以致限制了能够同本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括：用于在晶片上形成许多元件的元件制作工艺过程；用于对形成上述的许多元件的晶片（被测对象）实施探针测试的探针测试工艺过程；和用于对形成上述的许多元件的晶片８（被测对象）实施老化测试的老化测 试工艺过程，其中在上述的探针测试工艺过程和／或上述的老化测试工艺过程中，在主表面上设置导电的凸出部，并且包括用于使上述的凸出部与在上述的主表面相反的表面上设置的焊接点电连接的测试装置中的上述的凸出部压向被测对象中的所希望的位置的工艺 过程。

【技术特征摘要】
JP 1998-3-19 69786/19981.一种制造半导体器件的方法，包括用于在晶片上形成许多元件的元件制作工艺过程；用于对形成上述的许多元件的晶片(被测对象)实施探针测试的探针测试工艺过程；和用于对形成上述的许多元件的晶片8(被测对象)实施老化测试的老化测试工艺过程，其中在上述的探针测试工艺过程和/或上述的老化测试工艺过程中，在主表面上设置导电的凸出部，并且包括用于使上述的凸出部与在上述的主表面相反的表面上设置的焊接点电连接的测试装置中的上述的凸出部压向被测对象中的所希望的位置的工艺过程。2.如权利要求1所要求的制造半导体器件的方法，其中，上述的测试装置装有在主表面上的导电凸出部，并且装有上述的凸出部与在与主表面相反的表面上设置的焊接点电连接的第一平片部分、在形成上述的第一平片部分中的上述的焊接点的表面侧上配置的第二平片部分而在第二平片部分中在第二平片部分形成的布线与上述的焊接点电连接，以及由具有60吉帕或更大的杨氏模量和具有10...

【专利技术属性】
技术研发人员：河野竜治，北野诚，三浦英生，太田裕之，远藤喜重，原田武，金丸昌敏，明石照久，细金敦，有贺昭彦，伴直人，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]