稀土盐/氧化剂为基础的化学-机械抛光方法技术

本发明专利技术提供一种使用化学－机械抛光系统抛光具有金属层的基片的方法。化学－机械抛光系统包含研磨剂及／或抛光垫、稀土盐、比稀土盐更强的氧化剂以及液态载体。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是关于一种使用化学-机械抛光(CMP)系统抛光基片的金属层的方法。
技术介绍
现有技术已经广为知悉平坦化或抛光基片表面的组合物及方法。典型地，抛光组合物(即抛光剂)包含存在水溶液中的研磨材料，其应用是通过使待抛光的表面与以浆状组合物饱合的抛光垫接触。典型的研磨材料包含二氧化硅、氧化铈、氧化铝、氧化锆及氧化锡。例如，美国专利第5,527,423号描述一种化学-机械抛光金属层的方法，其通过待抛光的表面与抛光剂接触，其中抛光剂包含在水溶液介质中的高纯度微细金属氧化物颗粒。或者，研磨材料可混入抛光垫。美国专利第5,489,233号揭示具有表面刻纹或图案的抛光垫的用途，而美国专利第5,958,794号则揭示一种固定的研磨抛光垫。传统抛光系统及抛光方法在使半导体晶片平坦化上不完全令人满意。特别是抛光剂及抛光垫所具有的抛光速率无法达到期望，而且它们在化学-机械抛光半导体表面上的应用可导致较差的表面质量。由于半导体晶片的性能与其表面平坦度有直接关联，因此使用具有高抛光效率、均匀性、移除速率并在最小表面缺陷下有高抛光质量的抛光方法是关键的。创造有效的半导体晶片的抛光系统的困难是起因于半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抛光基片的方法，包括：（ｉ）使包含至少一金属层的基片与化学－机械抛光系统接触，其中该化学－机械抛光系统包括：（ａ）研磨剂及／或抛光垫；（ｂ）稀土盐；（ｃ）比稀土盐更强的氧化剂；及（ｄ）液态载体；以 及（ｉｉ）研磨至少一部分基片的金属层以抛光金属层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2001-9-24 09/961,9341.一种抛光基片的方法，包括(i)使包含至少一金属层的基片与化学-机械抛光系统接触，其中该化学-机械抛光系统包括(a)研磨剂及/或抛光垫；(b)稀土盐；(c)比稀土盐更强的氧化剂；及(d)液态载体；以及(ii)研磨至少一部分基片的金属层以抛光金属层。2.权利要求1的方法，其中该化学-机械抛光系统包括研磨剂，且该研磨剂是金属氧化物。3.权利要求2的方法，其中该研磨剂选自氧化铝、二氧化硅、氧化钛、氧化铈、氧化锆、氧化锗、氧化镁、其共成物及其组合物。4.权利要求3的方法，其中该研磨剂是氧化铝。5.权利要求1的方法，其中该化学-机械抛光系统包括研磨剂，且该研磨剂固定于该抛光垫上。6.权利要求1的方法，其中该化学-机械抛光系统包括研磨剂，且该研磨剂是颗粒状且悬浮于该载体内。7.权利要求1的方法，其中该稀土盐包括铈、镨及其组合物。8.权利要求7的方法，其中该稀土盐包括处于RE2+、RE3+及RE4+氧化态的稀土(RE)阳离子及选自硫酸根、硝酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：凯文J莫根伯格，弗拉斯塔布鲁西克，艾萨克K彻里安，
申请(专利权)人：卡伯特微电子公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]