具有区域凸块的覆晶封装结构、覆晶基板及覆晶组件制造技术

一种具有区域凸块的覆晶封装结构，其特征在于其包括：　　　　一基板，具有一第一表面、复数个第一接触垫及至少一第二接触垫，其中该第二接触垫的面积是大于该些第一接触垫的个别的面积；　　　　至少一晶片，具有一主动表面、复数个第一焊垫及至少一第二焊垫，其中该第二焊垫的面积是大于该些第一焊垫的个别的面积；　　　　复数个第一凸块，分别连接该些第一焊垫之一至其所对应的该些第一接触垫之一；以及　　　　至少一第二凸块，连接该第二焊垫至该第二接触垫，其中该第二凸块的尺寸是大于该些第一凸块的个别的尺寸。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电学基本电器元件领域半导体器件中的覆晶封装结构、覆晶基板及覆晶组件，特别是涉及一种具有区域凸块的覆晶封装结构、覆晶基板及覆晶组件。
技术介绍
覆晶接合技术(Flip Chip Interconnect Technology)主要是利用面阵列(area array)(阵列即数组，以下均称为阵列)的排列方式，将多个焊垫(bonding pad)配置于晶片(die，晶片即芯片，以下均称为晶片)的主动表面(active surface)，并在各个焊垫上形成凸块(bump)，且在将晶片翻面(flip)之后，利用晶片的焊垫上的凸块分别电性(electrically)及机械性(mechanically)连接至基板(substrate)或印刷电路板(PCB)的表面所对应的接触垫(contact pad)。此外，覆晶接合技术亦可在预先形成凸块于基板或印刷电路板的表面的接触垫，接着再利用晶片的主动表面上的焊垫分别电性及机械性连接至其所对应的凸块。值得注意的是，由于覆晶接合技术可应用于高接脚数(High Pin Count)的晶片封装结构，并具有缩小封装面积及缩短讯号传输路径等多项优点，所以覆晶接合技术目前已经被广泛地应用在晶片封装领域，目前常见的应用覆晶接合技术的晶片封装结构，其包括覆晶球格阵列(Flip Chip Ball Grid Array，FC/BGA)及覆晶针格阵列(Flip Chip Pin Grid Array，FC/PGA)等型态的晶片封装结构。请同时参阅图1及图2所示，其中图1是现有习知的一种覆晶封装结构的俯视示意图，图2是图1中I-I剖面的剖面示意图。该现有的覆晶封装结构100，包括基板(substrate)110、晶片130、多个凸块140。如图2所示，基板110具有一基板表面112及多个接触垫(contact pad)114，而这些接触垫114是配置于基板110的基板表面112。此外，晶片130具有一主动表面(active surface)132，其中晶片130的主动表面132是泛指晶片130具有王动组件(active device)(图中未示)的一面，且晶片130更具有多个焊垫134，其配置于晶片130的主动表面132，用以作为晶片130的讯号输出入的媒介，其中这些接触垫114的位置是分别对应于这些焊垫134的位置。另外，这些凸块140则分别电性及机械性连接这些焊垫134之一至其所对应的这些接触垫114之一。最后，底胶(underfill)150是填充于基板110、晶片130及这些凸块140所共同围成的空间，用以保护接触垫114、焊垫134及这些凸块140所裸露出的部分。就现有习知的覆晶接合技术而言，晶片的作为讯号(signal)、电源(power)与接地(ground)等功能的焊垫均是经由相同尺寸的球状凸块而电性连接至基板的对应的接触垫。值得注意的是，由于相同尺寸的凸块其电气效能及散热效能均已固定，若要提升晶片在封装后的电性效能及散热效能，将很难从相同尺寸的凸块来着手改善。因此，若是设计者要大幅提升晶片在封装后的电气效能与散热效能，势必要从其它方式来着手改善。由此可见，上述现有的覆晶封装结构、覆晶基板及覆晶组件仍存在有诸多缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决现有的覆晶封装结构、覆晶基板及覆晶组件的缺陷，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，此显然是相关业者急欲解决的问题。有鉴于上述现有的覆晶封装结构、覆晶基板及其覆晶组件所存在的缺陷，本专利技术人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及其专业知识，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的具有区域凸块的覆晶封装结构、覆晶基板及覆晶组件，能够改进一般现有的覆晶封装结构、覆晶基板及覆晶组件，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于，克服上述现有的覆晶封装结构、覆晶基板及覆晶组件存在的缺陷，而提供一种新的具有区域凸块的覆晶封装结构，所要解决的主要技术问题是使其可以依照晶片的电性上的各种特殊要求，将凸块在横向上设计成任意的形状，而可提升晶片在封装后的电气效能及散热效能，更加适于实用，且具有产业上的利用价值。本专利技术的另一目的在于，提供一种覆晶基板，所要解决的技术问题是使其可以依照晶片的电性上的各种特殊要求，将凸块在横向上设计成任意的形状，而可提升晶片在封装后的电气效能及散热效能，从而更加适于实用，且具有产业上的利用价值。本专利技术的再一目的在于，提供一种覆晶组件，所要解决的技术问题是使其可以依照晶片的电性上的各种特殊要求，将凸块在横向上设计成任意的形状，而可提升晶片在封装后的电气效能及散热效能，更加适于实用，且具有产业上的利用价值。本专利技术的目的及解决其主要技术问题是采用以下的技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种具有区域凸块的覆晶封装结构，其包括一基板，具有一第一表面、复数个第一接触垫及至少一第二接触垫，其中该第二接触垫的面积是大于该些第一接触垫的个别的面积；至少一晶片，具有一主动表面、复数个第一焊垫及至少一第二焊垫，其中该第二焊垫的面积是大于该些第一焊垫的个别的面积；复数个第一凸块，分别连接该些第一焊垫之一至其所对应的该些第一接触垫之一；以及至少一第二凸块，连接该第二焊垫至该第二接触垫，其中该第二凸块的尺寸是大于该些第一凸块的个别的尺寸。本专利技术的目的及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实现。前述的具有区域凸块的覆晶封装结构，其中所述的第二凸块的尺寸是双倍于该些第一凸块的个别的尺寸。前述的具有区域凸块的覆晶封装结构，其中所述的该些第一凸块是位于该第二凸块的外围。前述的具有区域凸块的覆晶封装结构，其中所述的第一焊垫是为讯号晶片焊垫、电源晶片焊垫及接地晶片焊垫其中之一。前述的具有区域凸块的覆晶封装结构，其中所述的第二焊垫是为电源晶片焊垫、接地晶片焊垫及特殊讯号晶片焊垫其中之一。前述的具有区域凸块的覆晶封装结构，其更包括一底胶，该底胶填充于该基板、该晶片、该些第一凸块及该第二凸块所围成的空腔。本专利技术的目的及解决其主要技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提出的一种覆晶基板，其包括一基板，包括一第一表面、复数个第一接触垫及至少一第二接触垫，其中该第二接触垫的面积是大于该些第一接触垫的个别的面积；复数个第一凸块，分别连接该至其所对应的该些第一接触垫之一；以及至少一第二凸块，连接至该第二接触垫，其中该第二凸块的尺寸是大于该些第一凸块的个别的尺寸。本专利技术的目的及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实现。前述的覆晶基板，其中所述的第二凸块的尺寸是双倍于该些第一凸块的个别的尺寸。前述的覆晶基板，其中所述的该些第一凸块是位于该第二凸块的外围。本专利技术的目的及解决其主要技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提出的一种覆晶组件，其包括一晶片，包括一主动表面、复数个第一焊垫及至少一第二焊垫，其中该第二焊垫的面积是大于该些第一焊垫的个别的面积；复数个第一凸块，分别连接至该些第一焊垫之一；以及至少一第二凸块，连接至该第二焊垫，其中该第二凸块的尺寸是大于该些第一凸块的个别的尺寸。本专利技术的目的及解决其技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有区域凸块的覆晶封装结构，其特征在于其包括一基板，具有一第一表面、复数个第一接触垫及至少一第二接触垫，其中该第二接触垫的面积是大于该些第一接触垫的个别的面积；至少一晶片，具有一主动表面、复数个第一焊垫及至少一第二焊垫，其中该第二焊垫的面积是大于该些第一焊垫的个别的面积；复数个第一凸块，分别连接该些第一焊垫之一至其所对应的该些第一接触垫之一；以及至少一第二凸块，连接该第二焊垫至该第二接触垫，其中该第二凸块的尺寸是大于该些第一凸块的个别的尺寸。2.根据权利要求1所述的具有区域凸块的覆晶封装结构，其特征在于其中所述的第二凸块的尺寸是双倍于该些第一凸块的个别的尺寸。3.根据权利要求1所述的具有区域凸块的覆晶封装结构，其特征在于其中所述的该些第一凸块是位于该第二凸块的外围。4.根据权利要求1所述的具有区域凸块的覆晶封装结构，其特征在于其中所述的第一焊垫是为讯号晶片焊垫、电源晶片焊垫及接地晶片焊垫其中之一。5.根据权利要求1所述的具有区域凸块的覆晶封装结构，其特征在于其中所述的第二焊垫是为电源晶片焊垫、接地晶片焊垫及特殊讯号晶片焊垫其中之一。6.根据权利要求1所述的具有区域凸块的覆晶封装结构，其特征在于其更包括一底胶，该...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪志斌，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：