一种用于纳米银线导电膜加工的涂覆装置制造方法及图纸

技术编号:32042874 阅读:29 留言:0更新日期:2022-01-27 14:26
本实用新型专利技术公开了一种用于纳米银线导电膜加工的涂覆装置,包括箱体,所述箱体的前端面活动连接有箱门,其两侧壁开设有进料口,其所述箱体的底部内壁固定连接有两对支撑块,两对所述支撑块的顶部固定连接有加工台,所述加工台的顶部表面开设有活动口,两个所述支撑块之间设有第一限位仓,所述第一限位仓固定连接在箱体的底部内壁,所述支撑块靠近第一限位仓的一侧固定连接有第一电机,且另一个所述支撑块靠近第一限位仓的一侧固定连接有第一存料仓,所述第一存料仓的顶部开设有加料口。本实用新型专利技术通过一系列的结构使得本装置具有涂覆胶体均匀,且具有吸除机构,可吸收涂覆产生的气体,以减少气体对环境的污染等特点。以减少气体对环境的污染等特点。以减少气体对环境的污染等特点。

【技术实现步骤摘要】
一种用于纳米银线导电膜加工的涂覆装置


[0001]本技术涉及纳米银线导电膜加工
,具体为一种用于纳米银线导电膜加工的涂覆装置。

技术介绍

[0002]纳米银线导电膜具有导电功能的薄膜。导电薄膜的荷电载流子在输运过程中受到表面和界面的散射,当薄膜的厚度可与电子的自由程相比拟时,在表面和界面的影响将变得显著,这个现象称为薄膜的尺寸效应。它等效于载流子的自由程减小,因此与同样材料的块体相比,薄膜的电导率较小。
[0003]纳米银线导电膜涂覆是纳米银线导电膜加工的重要步骤之一,但是现有的纳米银线导电膜涂覆装置涂覆胶体不均匀,且不具有吸除机构,从而使涂覆产生的气体造成环境的污染,因此,为了改正上述的缺陷,我们提出了一种用于纳米银线导电膜加工的涂覆装置。

技术实现思路

[0004]本技术解决的技术问题在于克服现有技术的涂覆胶体不均匀,且不具有吸除机构,从而使涂覆产生的气体造成环境的污染的缺陷,提供一种用于纳米银线导电膜加工的涂覆装置。所述一种用于纳米银线导电膜加工的涂覆装置具有涂覆胶体均匀,且具有吸除机构,可吸收涂覆产生的气体,以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于纳米银线导电膜加工的涂覆装置,包括箱体(1),其特征在于:所述箱体(1)的前端面活动连接有箱门,其两侧壁开设有进料口(2),其所述箱体(1)的底部内壁固定连接有两对支撑块(3),两对所述支撑块(3)的顶部固定连接有加工台(4),所述加工台(4)的顶部表面开设有活动口,两个所述支撑块(3)之间设有第一限位仓(5),所述第一限位仓(5)固定连接在箱体(1)的底部内壁,所述支撑块(3)靠近第一限位仓(5)的一侧固定连接有第一电机(6),且另一个所述支撑块(3)靠近第一限位仓(5)的一侧固定连接有第一存料仓(7),所述第一存料仓(7)的顶部开设有加料口,所述第一限位仓(5)内设有第一限位块(8),所述第一限位块(8)远离第一电机(6)的一侧与第一限位仓(5)的一侧内壁之间固定连接有弹簧(9),且所述第一限位块(8)靠近第一电机(6)的一侧固定连接有钢丝绳(10),所述钢丝绳(10)的另一侧贯穿第一限位仓(5)的侧壁并缠绕在第一电机(6)的输出轴上,所述第一限位仓(5)的顶部开设有矩形口,且所述第一限位仓(5)的上方设有T形块(11),所述T形块(11)的底端穿过矩形口并固定连接在第一限位块(8)的顶部,且所述T形块(11)的顶部固定连接有第一抽液泵(12),所述第一抽液泵(12)上分别固定连接有第一出液管(13)和第一吸液管(14),所述第一出液管(13)的顶端管口固定连接有喷头,且所述第一出液管(13)的一侧与T形块(11)的顶部之间固定连接有L形块(15),所述第一吸液管(14)的另一端管口固定连接在第一存料仓(7)的一侧,且所述第一吸液管(14)为软管结构,所述箱体(1)的顶部内壁固定连接有两个固定杆(16),所述固定杆(16)的底部固定连接有第二限位仓(17),所述箱体(1)的一侧设有涂抹机构,其顶部两侧设有吸除机构,且所述箱体(1)的一侧外壁固定连接有固定板(18),所述固定板(18)的顶部固定连接有支架(19),所述支架(19)的前端面固定连接有第二电机(20),所述第二电机(20)的输出轴贯穿支架(19)的侧壁,并通过轴承活动连接在支架(19)另一侧内壁,且所述第二电机(20)的输出轴上固定连接有收卷辊(21),所述收卷辊(21)位于支架(19)内。2.根据权利要求1所述的一种用于纳米银线导电膜加工的涂覆装置,其特征在于:所述第一限位块(8)和第一限位仓(5)的横截面为矩形,且所述第一限位块(8)的高度等于第一限位仓(5)的内腔高度。3.根据权利要求1所述的一种用于纳米银线导电膜加工的涂覆装置,其特征在于:所述第二限位仓(17)的一侧外壁固定连接有第三电机(22),且所述第二限位仓(17)...

【专利技术属性】
技术研发人员:尹耀星
申请(专利权)人:上海银之导纳米科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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