静电吸盘和处理装置制造方法及图纸

根据本发明专利技术，提供一种用于静电吸引绝缘基片的静电吸盘、使用静电吸盘加热／冷却绝缘基片的装置、和控制绝缘基片温度的方法。公开了形成静电吸盘的绝缘材料的形状和特性、和电极的形状。还公开了包括板、气体输送管道和温度控制系统的用于加热／冷却绝缘基片的装置、和其中安装了用于加热／冷却绝缘基片的装置的用于处理绝缘基片的装置。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
1、专利技术的领域本专利技术涉及用在PDP(等离子体显示器)制造装置中的绝缘基片的处理装置、用于DVD(数字视频(或通用)盘)的主记录器制造装置、用于硬盘制造装置的基片处理装置、EB(电子束)曝光装置中的标线固定装置和用于制造要形成在SOS(蓝宝石-硅)和SOI(绝缘体-硅)晶片上的元件的CVD、刻蚀或溅射装置。2、相关技术说明在用于如DVD、PDP等的制造装置中，要处理的材料是呈现电绝缘特性的玻璃基片。因此，在常规技术中，由于不能在真空中静电吸引这些基片，因此它们平坦地放置在制造装置的工作台上，或者用机械机构固定它们。EB曝光装置的标线是由也呈现电绝缘特性的石英构成的。因此，通常情况下，在真空下用机械机构固定标线。引起注意的是作为硅晶片的再生替代物的SOS和SOI晶片，关于它们被安装于工作台的表面表现为电绝缘特性。因此，通常不可能在用于在这些晶片上形成器件的制造装置中采用静电吸盘的固定方法。例如在日本专利申请特许公开NO.平5-63062(1993)中披露了一种静电吸引硅晶片的装置和原理，然而，根据该原理不可能静电吸引绝缘基片。而且，已经公知有用于静电吸引的装置例如静电记录仪的文献了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于吸引绝缘基片的静电吸盘，其包括：绝缘层，所述绝缘层具有吸引绝缘基片的第一表面，和其上配置了多个电极的第二表面；其中，调节彼此相邻的所述电极之间的距离和所述绝缘层的厚度，使得当通过在所述电极之间施加范围在３到１０ＫＶ的 直流电压而产生电位差时，形成通过梯度力吸引所述绝缘基片的不均匀电场。

【技术特征摘要】
JP 1999-5-25 145507/991.一种用于吸引绝缘基片的静电吸盘，其包括绝缘层，所述绝缘层具有吸引绝缘基片的第一表面，和其上配置了多个电极的第二表面；其中，调节彼此相邻的所述电极之间的距离和所述绝缘层的厚度，使得当通过在所述电极之间施加范围在3到10KV的直流电压而产生电位差时，形成通过梯度力吸引所述绝缘基片的不均匀电场。2.根据权利要求1的静电吸盘，其特征在于，所述绝缘层的厚度小...

【专利技术属性】
技术研发人员：北林彻夫，堀裕明，内村健志，建野范昭，不破耕，前平谦，
申请(专利权)人：东陶机器株式会社，株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]