【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，特别涉及一种应用于覆晶封装的。
技术介绍
随着电子产品同步朝向轻、薄、短、小、高速化与高机能化的发展趋势，而使得半导体组件封装技术对于增加组件可靠度、密度以及减少组件尺寸方面的要求不断提高，因此传统引线接合(wire bonding)逐渐被覆晶(倒装芯片)封装(flip-chip)技术所取代。覆晶封装技术是以芯片与基板的接合面形成接合垫(pad)或是凸块(bump)以取代公知封装技术所使用的导线架(lead frame)。通过直接压合芯片与基板的接合面之间的凸块及接合垫来达成电路导通，可降低芯片与基板间的电子讯号传输距离，适用于高速电子组件的封装。公知的覆晶封装方法，是在芯片及基板的表面形成凸块(bump)等接合结构，然后在基板表面涂布接着剂；再将芯片及基板表面的凸块经过对位压合以完成覆晶封装结构。在芯片与基板间使用接着剂加以接合时，由于两者具有严重的热膨胀系数差异，当温度产生变化时，热应力的影响容易使芯片及基板的凸块接点产生变形。因此发展出弹性导电凸块结构，如美国第5508228号专利所公开的内容，是以高分子材料在电子组件的接点处形成凸块...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种弹性凸块结构，在一电子组件表面的多个导电接点形成多个凸块，该电子组件通过该凸块与外部电子组件电性连接，其特征在于该凸块由一高分子凸块与一金属层所形成，该高分子凸块具有一上表面、一下表面及一个或一个以上的侧面，该侧面连接该上表面与该下表面，该下表面贴合于该导电接点，该金属层覆盖在该上表面再经由该侧面延伸至导通该导电接点，以形成垂直电性连接，该侧面未完全覆盖该金属层，以隔绝其侧向的电气导通。2.如权利要求1所述的弹性凸块结构，其特征在于，该高分子凸块的形状为圆柱体、六面体、多角柱与圆锥体其中之一。3.如权利要求1所述的弹性凸块结构，其特征在于，该高分子凸块的形状为六面体形，其具有该上表面、该下表面与四个侧面。4.如权利要求3所述的弹性凸块结构，其特征在于，该金属层由该高分子凸块的该上表面覆盖至该高分子凸块的两个相对的该侧面并延伸至导通该导电接点，且该金属层不相邻于邻接的其它凸块。5.如权利要求3所述的弹性凸块结构，其特征在于，该金属层由该高分子凸块的该上表面覆盖至该高分子凸块的两个相邻的该侧面并延伸至导通该导电接点。6.如权利要求3所述的弹性凸块结构，其特征在于，该金属层由该高分子凸块的该上表面覆盖至该高分子凸块的四个该侧面其中之一，并延伸至导通该导电接点。7.如权利要求3所述的弹性凸块结构，其特征在于，该金属层由该高分子凸块的该上表面覆盖至该高分子凸块的任意三个该侧面，并延伸至导通该导电接点。8.如权利要求1所述的弹性凸块结构，其特征在于，该金属层所覆盖的区域较该高分子凸块的边缘内缩1微米至5微米。9.如权利要求1所述的弹性凸块结构，其特征在于，该金属层由一粘合金属层外部包覆一金属层所组成。10.如权利要求1所述的弹性凸块结构，其特征在于，该高分子凸块的下表面具有一下金属层以贴合该电子组件的导电接点。11.如权利要求1所述的弹性凸块结构，其特征在于，该电子组件还包括一高分子保护层。12.如权利要求1所述的弹性凸块结构，其特征在于，该电子组件还包括一高分子保护层与一接地金属遮蔽层，该接地金属遮蔽层覆盖于该电子组件表面的一保护膜，且与该基板的接地接合垫连接，该高分子保护层覆盖该接地金属遮蔽层。13.如权利要求1所述的弹性凸块结构，其特征在于，该金属层延伸至该电子组件表面的外围以形成接点测试结构。14.一种弹性凸块结构的制造方法，其特征在于，该方法的步骤包括有在一电子组件表面形成多个导电接点；以光微影技术在该电子组件表面的该导电接点上形成多个高分子凸块，该高分子凸块具有一上表面、一下表面及一个或一个以上的侧面，该侧面连接该上表面与该下表面，该下表面贴合于该导电接点；及覆盖一金属层于该高分子凸块，该金属层覆盖该上表面再经由该侧面延伸至导通该导电接点形成垂直电性连接，该高分子...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄元璋，张世明，陆苏财，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：
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