在光刻装置中的反射镜应用顶层,用于光刻装置中的反射镜,包括这种反射镜的光刻装置以制造方法及图纸

技术编号:3203530 阅读:196 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
在用于光刻装置的反射镜上预定金属顶层(8)的应用,用于光刻装置的反射镜,以及具有这样反射镜或者设置了具有这样应用的顶层的反射镜的光刻装置。该装置具有提供所需波长例如EUV辐射的源(SO)。该源(SO)产生不希望有的金属颗粒流,它们在反射镜上沉积而形成较小和较大的核。顶层(8)可以与该金属沉积物的核在预定温度范围内相互扩散。因而,形成了由该金属颗粒和该顶层(8)的金属构成的一个额外合金层(14),它具有的反射率比仅仅包括该金属颗粒的层所具有的更高。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻装置以及一种器件制造方法。
技术介绍
光刻装置是一种能够将所希望的图案施加到基板的靶部上的机器。光刻装置例如能够用于集成电路(IC)的制造。这种情况下,可以使用构图装置例如掩模产生对应于IC各层的电路图案,并且该图案可以在具有一层辐射敏感材料(光刻胶)的基板(如硅晶片)的靶部成像(如包括部分、一个或者几个管芯)。通常,单个基板包含由相邻接的靶部构成的网络,这些靶部相继被曝光。已知的光刻装置包括所谓的步进器,其中通过将整个图案在靶部一次曝光到靶部而使每个靶部受到辐射,以及所谓的扫描器,其中将投射光束沿一个给定的方向(“扫描”方向)扫描图案的同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基板,每个靶部因此受到照射。在不久的将来,远紫外(EUV)源很可能会使用锡或者其它金属蒸汽来产生EUV辐射。锡可能会漏进光刻装置,并且会沉积在光刻装置的反射镜例如辐射聚光器的反射镜上。可预知这种辐射聚光器的反射镜是多层结构并且具有由钌(Ru)形成的EUV反射顶层。反射钌层上超过约10nm的锡(Sn)沉积层象整块锡一样会反射EUV辐射。在基于锡的EUV源附近,会很快地沉积一层10nm的本文档来自技高网...

【技术保护点】
在包括一个提供所需波长的辐射的源(SO)的光刻装置的反射镜上应用预定金属顶层(8),以减少由所述源在操作中产生的不希望有的金属颗粒流在所述反射镜上形成金属沉积物,选择该预定金属,使得当所述光刻装置在操作时该预定金属在预定的温度范围内和所述的金属沉积物相互扩散。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:LP巴克FJP舒尔曼斯
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]

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