工艺腔室、半导体工艺设备和半导体工艺方法技术

本发明专利技术提供一种应用于半导体工艺设备的工艺腔室，包括传输腔和位于传输腔上方的多个反应腔，多个反应腔均通过底部开口与传输腔连通，工艺腔室中的多个基座可在反应腔与传输腔之间升降，还包括设置在传输腔底壁上的传输机构和承载机构，传输机构用于将晶圆由工艺腔室外部转移至承载机构或多个基座上，以及将多个基座上的晶圆传出工艺腔室，承载机构用于承载多片晶圆，并在传输机构取走多个基座上的晶圆后，将其所承载的多片晶圆转移至多个基座上。在本发明专利技术中，传输机构能够先将下一批晶圆传输至承载机构上，承载机构在半导体工艺结束后将其承载的晶圆转移至基座上，节约了晶圆传输时间。本发明专利技术还提供一种半导体工艺设备和半导体工艺方法。工艺方法。工艺方法。

【技术实现步骤摘要】
工艺腔室、半导体工艺设备和半导体工艺方法


[0001]本专利技术涉及半导体工艺设备领域，具体地，涉及一种工艺腔室、一种包括该工艺腔室的半导体工艺设备和一种通过该工艺腔室实现的半导体工艺方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着半导体行业的迅猛发展，电子元器件小型化趋势越来越明显，在原子尺度上对材料进行加工的需求也越来越多，原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)技术，尤其是等离子体增强型原子层沉积(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition，PEALD)技术成为人们日益关注的课题。原子层沉积技术要求多种反应气体依次连续进入腔室，且进入腔室之前必须保持为彼此互相独立的气态，以保证在反应腔室中沉积生成预定厚度的膜层，进而获得性能达到要求的薄膜。
[0003]现有的原子层沉积工艺设备主要包括前端模块、传输平台和工艺腔室，其中传输平台中配置有机械手，用于在前端模块与工艺腔室之间传输晶圆。随着PEALD工艺产能需求越来越高，为提高机台产能，工艺腔室可采用多腔室结构，即，同一工艺腔室中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于半导体工艺设备的工艺腔室，包括传输腔和位于所述传输腔上方的多个反应腔，多个所述反应腔均通过底部开口与所述传输腔连通，所述工艺腔室中设置有多个用于承载晶圆的基座，多个所述基座与多个所述反应腔的位置一一对应，且可在所述反应腔与所述传输腔之间升降并封闭或打开所述底部开口，其特征在于，所述工艺腔室还包括设置在所述传输腔底壁上的传输机构和承载机构，所述传输机构用于将晶圆由所述工艺腔室外部转移至所述承载机构或多个所述基座上，以及将多个所述基座上的晶圆传出所述工艺腔室，所述承载机构用于承载多片晶圆，并在所述传输机构取走多个所述基座上的晶圆后，将其所承载的多片晶圆转移至多个所述基座上。2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，多个所述基座环绕所述承载机构设置，所述承载机构具有多个晶圆承载位，所述晶圆承载位的数量与所述基座数量一致，且所述承载机构能够驱动多个所述晶圆承载位同时靠近对应的所述基座，并将多片所述晶圆转移至多个所述基座上，以及在将晶圆转移至所述基座上后，驱动多个所述晶圆承载位同时离开对应的所述基座。3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述承载机构包括驱动器、连接件和多个手指件，所述手指件的上表面形成所述晶圆承载位，多个所述手指件环绕固定在所述连接件的四周，所述驱动器能够驱动所述连接件带动多个所述手指件升降以及绕所述连接件的旋转轴转动。4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述基座具有环绕所述基座轴线分布的多个基座孔，多个所述基座孔中一一对应地设置有多个支撑柱，所述支撑柱用于在基座上升时沿所述基座孔相对于所述基座下降，并在所述支撑柱的顶面与所述基座的承载面相平后随所述基座一同上升，以及，在所述基座下降至所述支撑柱的底端与所述传输腔的底壁接触后支撑并抬起所述基座上的晶圆；所述手指件在朝向对应的所述基座的一侧形成有避让口，且当所述驱动器驱动所述连接件带动多个所述手指件转动至多个所述手指件一一对应地位于多个所述基座上方时，每一所述基座上的多个支撑柱位于对应的所述手指件的所述避让口中。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室...

【专利技术属性】
技术研发人员：迟文凯，王勇飞，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：