一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法，对每次沉积不透光介质后的晶圆进行预处理，预处理后的晶圆上涂覆光刻胶，涂胶完毕后对晶圆刻号区域进行曝光；对步骤S1中的晶圆进行显影处理，去除晶圆刻号区域的光刻胶；对步骤S2中的晶圆进行刻蚀，得到刻号清晰的晶圆。本发明专利技术对刻号处的晶圆片表面进行特殊曝光处理，使得在后续工艺过程中，刻号处始终保有一定的深宽比，利用光反射定律解决刻号不清的效果远优于现有方法，增强了人工识别晶圆刻号的可行性，最大程度降低了异常率，提高了生产效率。效率。效率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法


[0001]本专利技术属于芯片制造
，具体属于一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路芯片生产加工过程中，为了方便人工识别晶圆，投片时会在晶圆的正面平边处打标刻号，刻号深℃约3微米、宽度约40微米，深宽比约1：13、刻号处横向断面示意如下图1。
[0003]多层金属布线CMOS工艺中，引入了化学机械抛光工艺(CMP)用于平坦化局部互连的氧化层。实际生产中，接触孔含接触孔之前工艺(即图2上部虚线框内的工艺)，刻号处会经过1次CMP，此时其深宽比由打标时约1：13变化为约1：9.3，同时因刻号处沉积的均为二氧化硅、氮化硅等透光介质，不会影响人工识别。
[0004]晶圆进入接触孔后段工艺(即图2下部虚线框内的工艺)，刻号处会经历多次CMP，其深宽比逐渐变小甚至为零，且刻号处在后续金属互联工艺中，溅射有钛，氮化钛、钨、铝硅铜等不透光介质，人工识别刻号就变得越发困难，严重时无法识别。
[0005]传统技术是采用在溅射工艺中增加压环的办法，即依靠压环阻挡钛，氮化钛、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法，其特征在于，具体步骤如下：S1对每次沉积不透光介质后的晶圆进行预处理，预处理后的晶圆上涂覆光刻胶，涂胶完毕后对晶圆刻号区域进行曝光；S2对步骤S1中的晶圆进行显影处理，去除晶圆刻号区域的光刻胶；S3对步骤S2中的晶圆进行刻蚀，得到刻号清晰的晶圆。2.根据权利要求1所述的一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法，其特征在于，步骤S1中，曝光时使用全透光光刻版进行。3.根据权利要求1所述的一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法，其特征在于，步骤S1中，所述全透光光刻版的正面反面均为普通玻璃，其反面不溅射二氧化铬不透光涂层。4.根据权利要求1所述的一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法，其特征在于，步骤S1...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵璐，卫路兵，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：