本发明专利技术的实施方式提供了一种应用于非制冷红外焦平面读出电路的时序保护电路，其特征在于该电路包括：关键时序信号产生电路，所述关键时序信号产生电路用于产生主时钟信号(mclk)、行选通信息号的时钟信号(RowClk)及行选通信号(Row_Sel<0>)至(Row_Sel<n>)；关键时序信号检测电路，所述关键时序信号检测电路用于检测关键时序信号产生电路所产生的关键时序信号；相关逻辑电路，所述逻辑电路用于对所述关键时序信号检测电路产生的结果进行运算以及输出该检测结果。通过该时序保护电路可以有效地监控各个关键时序信号，当关键时序信号(如时钟信号、行选通信号等)出现异常时，进入保护状态，使所有数字电路复位，避免热敏像元被损坏，确保后续模拟电路正常工作。确保后续模拟电路正常工作。确保后续模拟电路正常工作。
【技术实现步骤摘要】
一种应用于非制冷红外焦平面读出电路的时序保护电路
[0001]本专利技术属于微电子和光电子
，具体涉及一种应用于非制冷红外焦平面读出电路的时序保护电路的设计。
技术介绍
[0002]本部分旨在为权利要求书中陈述的本专利技术的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。
[0003]目前，非制冷红外成像技术在军事、工农业、医学、天文等领域有着重要应用。作为非制冷红外成像技术核心的红外焦平面阵列，包括红外探测器阵列和读出电路两个部分。其中，红外探测器阵列的基本组成单元是热敏像元。热敏像元在接受到目标红外辐射后，其自身的等效电阻会发生改变，等效阻值的改变量与接受到的红外辐射能量相关。读出电路的作用是将热敏像元接受到的红外辐射能量进行处理转换成电信号，并按照一定规律输出。
[0004]随着红外焦平面探测器技术的发展，用户的要求也越来越高，热敏像元的阵列规模不断扩大，同时，热敏像元的尺寸也在不断减小。为保证像元阵列能够正常工作，对读出电路中数字电路产生的关键时序信号进行检测，在保护热敏像元不被损坏的同时，也能确保后续模拟电路的正常工作。
技术实现思路
[0005]在下文中给出了关于本专利技术的简要概述，以便提供关于本专利技术的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本专利技术的穷举性概述。它并不是意图确定本专利技术的关键或重要部分，也不是意图限定本专利技术的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。
[0006]本专利技术的目的是提出一种应用于非制冷红外焦平面读出电路的时序保护电路，当关键时序信号(如时钟信号、行选通信号等)出现异常时，进入保护状态，使所有数字电路复位，避免热敏像元被损坏，确保后续模拟电路正常工作。
[0007]本专利技术的提供了一种应用于非制冷红外焦平面读出电路的时序保护电路，其特征在于该电路包括：关键时序信号产生电路，所述关键时序信号产生电路用于产生主时钟信号(mclk)、行选通信息号的时钟信号(RowClk)及行选通信号(Row_Sel<0>)至(Row_Sel<n>)；关键时序信号检测电路，所述关键时序信号检测电路用于检测关键时序信号产生电路所产生的关键时序信号；相关逻辑电路，所述逻辑电路用于对所述关键时序信号检测电路产生的结果进行运算以及输出该检测结果。
[0008]一个实施例为，所述关键时序信号检测电路包括：参考电压产生电路，所述参考电压产生电路用于产生比较器的参考电压(vref_comp)；充电通路，所述充电通路用于对电路中的电容进行充电；控制开关，所述控制开关用于控制是否导通所述充电通路，包括控制开关(TG1)和(TG2)；比较器电路，所述比较器电路用于比较输入电压与所述参考电压(vref_
comp)的大小。
[0009]另一个实施例为，所述参考电压(vref_comp)通过电阻(R3)和电阻(R4)在输入电压(vin)和地之间进行分压产生。
[0010]再一个实施例为，所述充电通路由电阻(R1)和电容(C1)以及电阻(R2)和电容(C2)组成。
[0011]又一个实施例为，所述控制开关可以为NMOS开关、PMOS开关或者CMOS传输门中的一种或其组合。
[0012]又一个实施例为，所述比较器电路包括比较器(comp1)和比较器(comp2)。
[0013]又一个实施例为，所述关键时序信号检测电路还包括二输入或非门(nor2)；所述控制开关(TG1)的一端连接所述电阻(R1)，所述电阻(R1)的另一端连接所述输入电压(Vin)，所述控制开关(TG1)的另一端连接所述电容(C1)的一端和所述比较器(comp1)的正输入端，所述电容(C1)的另一端接地，所述比较器(comp1)的负输入端接所述参考电压(vref_comp)，所述比较器(comp1)的输出接所述二输入或非门(nor2)的输入端(INA)；所述控制开关(TG2)的一端连接所述电阻(R2)，所述电阻(R2)的另一端连接所述输入电压(Vin)，所述控制开关(TG2)的另一端连接所述电容(C2)的一端和所述比较器(comp2)的正输入端，所述电容(C2)的另一端接地，所述比较器(comp2)的负输入端接所述参考电压(vref_comp)，所述比较器(comp2)的输出接所述二输入或非门nor2的输入端(INB)。
[0014]又一个实施例为，所述控制门开关(TG1)由关键时序信号(CLK)控制是否导通，当关键时序信号的高电平到来时，控制开关(TG1)导通；所述控制门开关(TG2)由关键时序信号(CLK)经过反相器(inv)产生的信号控制是否导通，当关键时序信号的低电平到来时，控制开关(TG2)导通。
[0015]又一个实施例为，当所述控制开关(TG1)导通时，所述输入电压(vin)经过所述电阻(R1)给所述电容(C1)充电，当所述比较器(comp1)的正输入端电压逐渐增大高于所述参考电压(vref_comp)时，所述二输入或非门or2的输入端(INA)由低电平转换为高电平；当所述控制开关(TG2)导通时，所述输入电压(vin)经过所述电阻(R2)给所述电容(C2)充电，当所述比较器(comp2)的正输入端电压逐渐增大高于参考电压(vref_comp)时，所述二输入或非门or2的输入端(INB)由低电平转换为高电平。
[0016]又一个实施例为，所述相关逻辑电路包括四输入与门、缓冲器(buffe)；所述四输入与门的输入端连接所述时序信号检测电路，用于接收所述关键时序信号检测电路产生的检测结果；所述四输入与门的输出端连接缓所述冲器(buffer)的输入端，所述缓冲器(buffer)的输出端为保护电路的输出信号(rstb_pro)。
[0017]又一个实施例为，当所述四输入与门的至少一个输入端任何一端为低电平信号时，所述保护电路的输出信号(rstb_pro)为低电平，所有数字电路进入复位状态。
[0018]本申请所述的技术方案通过采用关键时序信号检测电路对各个时序信号进行监测，可以对读出电路中数字电路产生的关键时序信号进行检测，在保护热敏像元不被损坏的同时，也能确保后续模拟电路的正常工作。
附图说明
[0019]通过参考附图阅读下文的详细描述，本专利技术示例性实施方式的上述以及其他目
的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本专利技术的若干实施方式，其中：
[0020]图1示意性地示出了根据本专利技术实施方式的应用于非制冷红外焦平面读出电路的时序保护电路；
[0021]图2示意性地示出了根据本专利技术另一实施例的关键时序信号示意图；
[0022]图3示意性地示出了根据本专利技术又一实施例的关键时序信号检测电路示意图；
[0023]图4示意性地示出了根据本专利技术再一实施例的相关逻辑电路示意图。
[0024]在附图中，相同或对应的标号表示相同或对应的部分。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种应用于非制冷红外焦平面读出电路的时序保护电路，其特征在于该电路包括：关键时序信号产生电路，所述关键时序信号产生电路用于产生主时钟信号(mclk)、行选通信息号的时钟信号(RowClk)及行选通信号(Row_Sel<0>)至(Row_Sel<n>)；关键时序信号检测电路，所述关键时序信号检测电路用于检测关键时序信号产生电路所产生的关键时序信号；相关逻辑电路，所述逻辑电路用于对所述关键时序信号检测电路产生的结果进行运算以及输出该检测结果。2.根据权利要求1所述的时序保护电路，其特征在于，所述关键时序信号检测电路包括：参考电压产生电路，所述参考电压产生电路用于产生比较器的参考电压(vref_comp)；充电通路，所述充电通路用于对电路中的电容进行充电；控制开关，所述控制开关用于控制是否导通所述充电通路，包括控制开关(TG1)和(TG2)；比较器电路，所述比较器电路用于比较输入电压与所述参考电压(vref_comp)的大小。3.根据权利要求2所述的时序保护电路，其特征在于，所述参考电压(vref_comp)通过电阻(R3)和电阻(R4)在输入电压(vin)和地之间进行分压产生。4.根据权利要求2所述的时序保护电路，其特征在于，所述充电通路由电阻(R1)和电容(C1)以及电阻(R2)和电容(C2)组成。5.根据权利要求2所述的时序保护电路，其特征在于，所述控制开关可以为NMOS开关、PMOS开关或者CMOS传输门中的一种或其组合。6.根据权利要求2所述的时序保护电路，其特征在于，所述比较器电路包括比较器(comp1)和比较器(comp2)。7.根据权利要求1
‑
6的任一权利要求所述的时序保护电路，其特征在于，所述关键时序信号检测电路还包括二输入或非门(nor2)；所述控制开关(TG1)的一端连接所述电阻(R1)，所述电阻(R1)的另一端连接所述输入电压(Vin)，所述控制开关(TG1)的另一端连接所述电容(C1)的一端和所述比较器(comp1)的正输入端，所述电容...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭果，方辉，马丽丽，李海博，郭健海，
申请(专利权)人：北方广微科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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