化学机械抛光浆料组合物及使用其抛光钨图案晶片的方法技术

一种用于抛光钨图案晶片的CMP浆料组合物以及使用其抛光钨图案晶片的方法。所述CMP浆料组合物包含：选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一种溶剂；研磨剂；以及杀生物剂，其中所述研磨剂包含用选自含两个氮原子的硅烷及含三个氮原子的硅烷中的至少一者改性的二氧化硅，并且所述杀生物剂包含式3的化合物。所述CMP浆料组合物可在抛光钨图案晶片时提高钨图案晶片的抛光速率及平整度。片的抛光速率及平整度。

【技术实现步骤摘要】
化学机械抛光浆料组合物及使用其抛光钨图案晶片的方法
[0001]相关申请的交叉参考
[0002]本申请主张在2020年7月22日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10
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2020
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0091278号的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容并入本文供参考。


[0003]本专利技术涉及一种用于抛光钨图案晶片的化学机械抛光浆料组合物、以及一种使用其抛光钨图案晶片的方法。更具体来说，本专利技术涉及一种可提高钨图案晶片的抛光速率及平整度、同时提高相对于包括真菌和/或细菌在内的微生物的稳定性的用于抛光钨图案晶片的化学机械抛光浆料组合物、以及一种使用其抛光钨图案晶片的方法。

技术介绍

[0004]化学机械抛光(chemical mechanical polishing，CMP)组合物及抛光(或平整)衬底的表面的方法在相关技术中是众所周知的。用于抛光半导体衬底上的金属层(例如，钨层)的抛光组合物可包含悬浮在水溶液中的研磨颗粒及化学促进剂(例如，氧化剂、催化剂及类似物)。
[0005]使用CMP组合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于抛光钨图案晶片的化学机械抛光浆料组合物，包含：选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一种溶剂；研磨剂；以及杀生物剂，其中所述研磨剂包含用选自含两个氮原子的硅烷及含三个氮原子的硅烷中的至少一者改性的二氧化硅，并且所述杀生物剂包含式3的化合物：[式3]其中R是碳或二价至四价有机基团；X4是卤素或含卤素的单价有机基团；X5是氰基、硝基、含氰基的单价有机基团或含硝基的单价有机基团；且Y6及Y7各自独立地为氢原子、卤素、氰基、硝基、羟基、经取代或未经取代的C1到C
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烷基、经取代或未经取代的C6到C
20
芳基、经取代或未经取代的C3到C
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环烷基、经取代或未经取代的C7到C
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芳烷基、经取代或未经取代的C1到C
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烷氧基、经取代或未经取代的C6到C
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芳氧基、或
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C(＝O)
‑
NZ1Z2，Z1及Z2各自独立地为氢原子、经取代或未经取代的C1到C
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烷基、或经取代或未经取代的C6到C
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芳基。2.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物，其中所述式3的化合物包括式4的化合物：[式4]其中X4及X5各自独立地与式3中定义的相同，并且Y8及Y9各自独立地为氢原子、卤素、氰基、硝基、羟基、经取代或未经取代的C1到C
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烷基、或
‑
C(＝O)
‑
NZ1Z2，Z1及Z2各自独立地为氢原子、经取代或未经取代的C1到C
20
烷基、或经取代或未经取代的C6到C
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芳基。3.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物，其中所述式3的化合物包括选自式7到式9中的至少一者：[式7]
[式8][式9]4.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物，其中所述杀生物剂在所述化学机械抛光浆料组合物中以0.001重量％到1重量％的量存在。5.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物，其中所述化学机械抛光浆料组合物的pH值为3到6。6.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物，其中所述含两个氮原子的硅烷包含式1的化合物、衍生自式1的化合物的阳离子或式1的化合物的盐：[式1]其中X1、X2及X3各自独立地为氢原子、羟基、经取代或未经取代的C1到C
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烷基、经取代或未经取代的C6到C
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芳基、经取代或未经取代的C3到C
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环烷基、...

【专利技术属性】
技术研发人员：李义郞，具仑永，金元中，金亨默，朴泰远，李锺元，赵娟振，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：