一种驰豫铁电单晶生长用原料的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种驰豫铁电单晶生长用原料的制备方法，包括：将纳米粉体分散在水中，混合均匀形成浆料，浆料通过冷冻干燥制备纳米粉体团聚体；将纳米粉体团聚体与微米粉体混合，获得混合粉体；将混合粉体进行高温煅烧，获得驰豫铁电单晶生长用原料。本发明专利技术提供的制备方法可以实现仅通过一次高温煅烧，获得具有单一钙钛矿结构，无焦绿石相，且组成与设计更加相符的驰豫铁电单晶生长用原料。符的驰豫铁电单晶生长用原料。符的驰豫铁电单晶生长用原料。

【技术实现步骤摘要】
一种驰豫铁电单晶生长用原料的制备方法


[0001]本专利技术涉及压电材料
，特别是涉及一种驰豫铁电单晶生长用原料的制备方法。

技术介绍

[0002]弛豫铁电单晶是国际上最新发展的高性能压电材料，具有实用价值的代表性单晶产品为铌镁酸铅
‑
钛酸铅系弛豫铁电单晶以及在其基础上发展的铌铟酸铅
‑
铌镁酸铅
‑
钛酸铅系弛豫铁电单晶。相应单晶生长用原料铌镁酸铅
‑
钛酸铅的化学式为Pb(Mg
1/3
Nb
2/3
)O3‑
PbTiO3，简称PMN
‑
PT，铌铟酸铅
‑
铌镁酸铅
‑
钛酸铅的化学式为Pb(In
1/2
Nb
1/2
)O3‑
Pb(Mg
1/3
Nb
2/3
)O3‑
PbTiO3，简称PIN
‑
PMN
‑
PT。驰豫铁电单晶的压电性能对单晶生长所用原料的晶体结构和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种驰豫铁电单晶生长用原料的制备方法，包含以下步骤：将纳米粉体分散在水中，混合均匀形成浆料，所述浆料通过冷冻干燥制备纳米粉体团聚体；将所述纳米粉体团聚体与微米粉体混合，获得混合粉体；将所述混合粉体进行高温煅烧，获得驰豫铁电单晶生长用原料。2.根据权利要求1的制备方法，其中，所述纳米粉体选自含MgO纳米粉体和In2O3纳米粉体中的至少一种以及Nb2O5纳米粉体，所述微米粉体选自TiO2微米粉体和PbO微米粉体。3.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述Nb2O5纳米粉体的粒径Dv
90
为50
‑
100nm，所述含MgO纳米粉体的粒径D
V90
为20
‑
50nm，所述In2O3纳米粉体的粒径D
V90
为20
‑
30nm；所述PbO微米粉体的粒径D
V90
为5
‑
10μm，TiO2微米粉体的粒径D
V90
为1
‑
3μm。4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述浆料的固含量为60wt％
‑
80wt％。5.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述浆料还包含粘结剂和分散剂，所述粘结剂选自聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛中的至少一种，所述粘结剂的加入量为浆料的0.02wt％
‑
0.40wt％；所述分散剂选自聚丙烯酸、聚丙烯酰胺和聚乙烯吡咯烷酮中的至少一种。6.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述纳米粉体团聚体的颗粒尺寸为0.01
‑
2mm。7.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述驰豫铁电单晶生长用原料为生长PMN
‑
PT的原料，所述方法包含以下步骤：将含MgO纳米粉体、Nb2...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑彧，李辉，陈红兵，黄存新，
申请(专利权)人：北京中材人工晶体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：