碳热还原法制备氮化铝粉体的除碳方法技术

本发明专利技术提供了一种碳热还原法制备氮化铝粉体的除碳方法，包括以下步骤：S1.将碳热还原法制备的氮化铝粉体置于气流分级机中进行分级处理，通过调节进料速率和气流速度，使所述氮化铝粉体中大部分碳随气流进入所述气流分级机的二级收集器中，而氮化铝进入所述气流分级机的一级收集器中；S2.收集所述一级收集器中的氮化铝粉体在空气中高温煅烧除碳。中的氮化铝粉体在空气中高温煅烧除碳。中的氮化铝粉体在空气中高温煅烧除碳。

【技术实现步骤摘要】
碳热还原法制备氮化铝粉体的除碳方法


[0001]本专利技术涉及一种碳热还原法制备氮化铝粉体的除碳方法。

技术介绍

[0002]目前，半导体器件向大功率化、高频化、集成化方向发展，其元器件在工作工程中产生大量热量，而温度过高是造成半导体器件失效的主要原因。因此，为保证电子器件工作过程的稳定性，对芯片载体提出了更高的要求。陶瓷材料绝缘性能好、强度高、热膨胀系数小、优异的化学稳定性和导热性能，非常符合半导体器件封装基板的要求。氮化铝陶瓷(AlN)不仅具有高的热导率(理论可达320W/m
·
K)、良好绝缘性能(＞10
14
Ω
·
cm)、较低的介电常数和介电损耗，优异的力学性能、与硅具有相匹配的线膨胀系数、且具有良好的化学稳定性和无毒等优点，作为大规模集成电路的散热基板和封装材料已得到广泛应用。
[0003]高质量粉体原料是获得高性能AlN陶瓷的先决条件，而碳热还原法具有原料丰富、工艺简单、适合大规模生产的特点，且合成粉体球形度高、纯度高、粒径小、粒度分布窄、分散性好等特点，是工业化生产应用最本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳热还原法制备氮化铝粉体的除碳方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.将碳热还原法制备的氮化铝粉体置于气流分级机中进行分级处理，通过调节进料速率和气流速度，使所述氮化铝粉体中大部分碳随气流进入所述气流分级机的二级收集器中，而氮化铝进入所述气流分级机的一级收集器中；S2.收集所述一级收集器中的氮化铝粉体在空气中高温煅烧除碳。2.如权利要求1所述的碳热还原法制备氮化铝粉体的除碳方法，其特征在于，定义所述进料速率为x g/min，且所述气体速率为y m/s，且满足：y＝17.651*e
0.0029x
。3.如权利要求1所述的碳热还原法制备氮化铝粉体的除碳方法，其特征在于，所述气流分级机中的气体为氮气、氩气或干燥空气。4.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：管军凯，鲁慧峰，何庆，刘佳威，
申请(专利权)人：厦门钜瓷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：