用于工艺量测的差分目标设计和方法技术

一种评估图案化工艺的方法，该方法包括：获得第一量测目标的第一测量的结果；获得第二量测目标的第二测量的结果，第二量测目标与第一量测目标具有结构差异，结构差异生成在第一与第二量测目标之间的、图案化工艺的工艺参数的灵敏度差异和/或偏移；以及由计算机系统，基于第一和第二测量的结果，确定与图案化工艺有关的值。关的值。关的值。

【技术实现步骤摘要】
用于工艺量测的差分目标设计和方法
[0001]本申请是申请日为2017年8月16日、申请号为201780555646.1、专利技术名称为“用于工艺量测的差分目标设计和方法”的中国专利技术专利申请的分案申请。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请要求于2016年9月12日提交的EP申请16188370.7的优先权，其全部内容通过引用并入本文。


[0004]本公开涉及用于量测的方法和装置，可用于例如通过光刻技术制造器件中，以及涉及使用光刻技术制造器件的方法。

技术介绍

[0005]光刻装置是一种将期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。例如，光刻装置可以用在集成电路(IC)的制造中。在那种情况下，可以使用图案形成装置(备选地称为掩模或掩模版)来生成要在IC的单独层上形成的电路图案。这个图案可以转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分、一个或几个裸片)上。图案的转移通常经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来实现。通常，单个衬底将包含相继被图案化的相邻的目标部分的网本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种评估图案化工艺的方法，所述方法包括：获得第一量测目标的第一测量的结果；获得第二量测目标的第二测量的结果，所述第二量测目标与所述第一量测目标具有结构差异，其中所述结构差异被配置为引起在所述第一量测目标与所述第二量测目标之间的、所述图案化工艺的工艺参数的灵敏度差异和/或偏移；获得第三量测目标的第三测量的结果；基于所述第一测量的结果和所述第三测量的结果确定第一信号；基于所述第二测量的结果和所述第三测量的结果确定第二信号；基于所述第一信号和所述第二信号的第一组合确定工艺参数的变化；以及基于所述第一信号和所述第二信号的第二组合确定另一工艺参数的变化。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一信号是基于所述第一测量的结果和所述第三测量的结果的第一差分信号，并且其中所述第二信号是基于所述第二测量的结果和所述第三测量的结果的第二差分信号。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述工艺参数的变化从所述另一工艺参数的变化解耦。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一组合包括所述第一信号与所述第二信号的差。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述工艺参数包括所述图案化工艺的图案化步骤的焦距。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二组合包括所述第一信号与所述第二信号的和。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述另一工艺参数包括所述图案化工艺的图案化步骤的剂量。8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：基于所述工艺参数的变化和所述另一工艺参数的变化导出工艺窗口标记信号。9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：将所述工艺参数的变化以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：B，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：