【技术实现步骤摘要】
一种小型化宽带二倍频器
[0001]本专利技术涉及一种微波及毫米波集成电路中的倍频器,尤其涉及一种小型化宽带二倍频器。
技术介绍
[0002]为了满足日益增长的数据传输和无线通信需求,第五代移动通信技术(5G)的发展速度逐渐加快,已经开始在民生、科技等领域应用。为了更快的数据传输速率,5G频谱划分为FR1和FR2两个区域,FR1的范围是0.45至6GHz,又称为Sub
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6G,FR2的频率范围覆盖24至52GHz,其中一部分属于毫米波频段。尽管5G毫米波频段有着更加丰富的频谱资源,对于数据的传输和通信有着诸多益处,但更高的频率和更复杂的调制方式也对无线通信系统中的收发机提出了更高的要求。
[0003]频率源作为收发机系统中不可或缺的一环,能否提供高纯本振信号成为不可忽视的问题。如何提供大带宽、低相噪的本振信号成为目前学界重点关注的问题之一。目前,本振信号的产生方式主要有两种,一种是振荡器直接产生所需的本振信号,该方式电路结构简单,芯片面积较小,但随着工作频率提升至毫米波频段,超宽带、低相噪的振荡器设 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种小型化宽带二倍频器,其特征在于,包括输入匹配网络、二倍频单元、共源输出级、输出匹配网络;所述输入匹配网络由第一输入匹配网络电容(Cp1)、变压器(XFMR)、第一电阻(R1)、第二输入匹配网络电容(Cp2)以及差模耦合电感(DMind)组成;变压器(XFMR)初级线圈的一端接二倍频器的输入端(IN),另一端接地,第一输入匹配网络电容(Cp1)并联在变压器(XFMR)的初级线圈上,变压器(XFMR)次级线圈的两端连接差模耦合电感(DMind)的两输入端,差模耦合电感(DMind)的另外两输出端分别连接二倍频单元中的第一晶体管(M1)和第二晶体管(M2)的栅极;第一电阻(R1)的一端连接变压器(XFMR)次级线圈的中心抽头,另一端连接第一偏置电压(Vbias1),第二输入匹配网络电容(Cp2)并联在变压器(XFMR)次级线圈的两端;所述二倍频单元由第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)和第一电感(L1)组成,第一晶体管(M1)和第二晶体管(M2)的源极接地,第一晶体管(M1)和第二晶体管(M2)的漏极直接相连后再连接到第一电感(L1)和共源输出级电容(C1),第一电感(L1)的另一端连接电源(VDD);所述共源输出级由共源输出级电容(C1)、第二电阻(R2)及第三晶体管(M3)组成,共源输出级电容(C1)一端直接连接第一晶体管(M1)和第二晶体管(M2)的漏极,另一端连接输出匹配网络的第三晶体管(M3)的栅极,第二电阻(R2)一端连接第二偏置电压(Vbias2),另一端连接第三晶体管(M3)的栅极;所述输出匹配网络由第二电感(L2)与输出匹配网络电容(C2)组成,第二电感(L2)一端连接第三晶体管(M3)的漏极,另一端连接电源(VDD),输出匹配网络...
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