【技术实现步骤摘要】
一种输出电流可监控的过流后强制关断的长寿命输出电路
[0001]本专利技术涉及电子控制电路,具体涉及一种输出电流可监控的过流后强制关断的长寿命输出电路。
技术介绍
[0002]传统的电子控制电路对输出负载端的控制通常采用继电器的形式实现通断,存在如下缺点:A、寿命短,典型的机械寿命为10万次;B、无输出电流采样监控电路;C、输出过流后无法强制关断输出。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于提出一种输出电流可监控的过流后强制关断的长寿命输出电路。
[0004]实现本专利技术目的的技术解决方案为:一种输出电流可监控的过流后强制关断的长寿命输出电路,包括MOSFET电子开关电路、电流采样信号放大电路、电流过流强制关断电路,以及过流状态反馈电路,其中:MOSFET电子开关电路用于实现负载端的切入和切出;电流采样信号放大电路用于采样负载端的电流并进行放大;电流过流强制关断电路用于将放大后的采样电压信号与三极管自锁电路的阈值电压做比较,大于阈值电压后,强制关断MOSFET;过流状态反馈电路用于输出电路的
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种输出电流可监控的过流后强制关断的长寿命输出电路,其特征在于,包括MOSFET电子开关电路、电流采样信号放大电路、电流过流强制关断电路,以及过流状态反馈电路,其中:MOSFET电子开关电路用于实现负载端的切入和切出;电流采样信号放大电路用于采样负载端的电流并进行放大;电流过流强制关断电路用于将放大后的采样电压信号与三极管自锁电路的阈值电压做比较,大于阈值电压后,强制关断MOSFET;过流状态反馈电路用于输出电路的过流状态指示。2.根据权利要求1所述的输出电流可监控的过流后强制关断的长寿命输出电路,其特征在于,所述MOSFET电子开关电路包括第一开关管(Q1),其中第一开关管(Q1)栅极(1脚)接输入控制端(DQ00),第一开关管(Q1)漏极(2脚)接负载端(DQ00 MOS),第一开关管(Q1)源极(3脚)接电流采样信号放大电路。3.根据权利要求2所述的电流可监控的过流后强制关断的长寿命输出电路,其特征在于,所述电流采样信号放大电路包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、放大器(U1A),其中第二电阻(R2)为采样电阻,第二电阻(R2)一端接第一开关管(Q1)源极,第二电阻(R2)另一端接地;第一电阻(R1)、放大器(U1A)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)组成运放的同向放大电路,...
【专利技术属性】
技术研发人员:李锋,陈方良,陈爱林,
申请(专利权)人:南京华士电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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