磁传感器制造技术

磁传感器包括第1至第4电阻部和多个MR元件。多个MR元件各自属于第1至第4组中的任一个。第1至第4组基于MR元件的上表面的面积来规定。第1电阻部、第2电阻部、第3电阻部和第4电阻部分别由第1组、第2组、第3组和第4组构成，或者由第2组、第1组、第4组和第3组构成，或者由第1组、第4组、第3组和第2组构成，或者由第3组、第2组、第1组和第4组构成。第1组和第4组构成。第1组和第4组构成。

【技术实现步骤摘要】
磁传感器


[0001]本专利技术涉及包括多个磁阻效应元件的磁传感器。

技术介绍

[0002]近年来，在各种用途中使用磁传感器。作为磁传感器，已知有使用电阻值与外部磁场相应地变化的磁阻效应元件(以下，也记为MR元件)来生成依赖于外部磁场的检测信号的磁传感器。另外，作为磁传感器，已知具有使用多个MR元件构成的桥接电路的磁传感器。
[0003]具有半桥电路作为桥接电路的磁传感器除了半桥电路以外，还具有被施加规定的电压的电源端口、与地线连接的接地端口、和输出端口。在电源端口与输出端口之间设置有1个以上的MR元件作为第1电阻部。在接地端口与输出端口之间，作为第2电阻部设置有1个以上的MR元件。检测信号与输出端口的电位对应。
[0004]具有惠斯登桥接电路作为桥接电路的磁传感器除了惠斯登桥接电路以外，还具有被施加规定的电压的电源端口、与地线连接的接地端口、第1和第2输出端口。在电源端口与第1输出端口之间，作为第1电阻部设置有1个以上的MR元件。在接地端口与第1输出端口之间，作为第2电阻部设置有1个以上的MR元件。在接地端口与第2输出端口之间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁传感器，其特征在于，是对检测对象的磁场进行检测而生成检测信号的磁传感器，包括：电源端口；接地端口；第1输出端口；第2输出端口；第1电阻部，其设置在所述电源端口与所述第1输出端口之间；第2电阻部，其设置在所述接地端口与所述第1输出端口之间；第3电阻部，其设置在所述接地端口与所述第2输出端口之间；第4电阻部，其设置在所述电源端口与所述第2输出端口之间；和多个磁阻效应元件，其构成所述第1电阻部至所述第4电阻部，所述检测信号是与所述第1输出端口与所述第2输出端口之间的电位差对应的信号，所述多个磁阻效应元件各自属于第1组、第2组、第3组和第4组中的任一个，并且在所述第1组至所述第4组各自中从属有所述多个磁阻效应元件中的1个以上的磁阻效应元件，所述多个磁阻效应元件各自由层叠的多个层构成，并且具有位于所述多个层的层叠方向的端部的上表面，属于所述第1组的所述1个以上的磁阻效应元件的所述上表面的面积的最大值，大于属于所述第2组至所述第4组的全部磁阻效应元件的所述上表面的面积，属于所述第2组的所述1个以上的磁阻效应元件的所述上表面的面积的最小值，小于属于所述第1组、所述第3组和所述第4组的全部磁阻效应元件的所述上表面的面积的值，属于所述第3组的所述1个以上的磁阻效应元件的所述上表面的面积的平均值，小于属于所述第4组的所述1个以上的磁阻效应元件的所述上表面的面积的平均值，所述第1电阻部、所述第2电阻部、所述第3电阻部和所述第4电阻部各自由所述第1组、所述第2组、所述第3组和所述第4组构成，或者由所述第2组、所述第1组、所述第4组和所述第3组构成，或者由所述第1组、所述第4组、所述第3组和所述第2组构成，或者由所述第3组、所述第2组、所述第1组和所述第4组构成。2.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，还包括支承所述多个磁阻效应元件的支承部件，所述支承部件具有平坦的第1面和在与所述第1面垂直的方向上配置于与所述第1面不同的位置的第2面，所述多个磁阻效应元件配置于所述支承部件的所述第1面之上和所述第2面之上的任一者。3.一种磁传感器，其特征在于，是对检测对象的磁场进行检测而生成检测信号的磁传感器，包括：电源端口；接地端口；
第1输出端口；第2输出端口；第1电阻部，其设置在所述电源端口与所述第1输出端口之间；第2电阻部，其设置在所述接地端口与所述第1输出端口之间；第3电阻部，其设置在所述接地端口与所述第2输出端口之间；第4电阻部，其设置在所述电源端口与所述第2输出端口之间；和多个磁阻效应元件，其构成所述第1电阻部至所述第4电阻部，所述检测信号是与所述第1输出端口与所述第2输出端口之间的电位差对应的信号，所述多个磁阻效应元件各自属于第1组、第2组、第3组和第4组中的任一个，并且在所述第1组至所述第4组各自中从属有所述多个磁阻效应元件中的1个以上的磁阻效应元件，所述多个磁阻效应元件各自由层叠的多个层构成，并且具有位于所述多个层的层叠方向的端部的上表面，属于所述第3组的所述1个以上的磁阻效应元件的所述上表面的面积的平均值，大于属于所述第2组的所述1个以上的磁阻效应元件的所述上表面的面积的平均值，属于所述第1组的所述1个以上的磁阻效应元件的所述上表面的面积的平均值，大于属于所述第3组的所述1个以上的磁阻效应元件的所述上表面的面积的平均值，属于所述第4组的所述1个以上的磁阻效应元件的所述上表面的面积的平均值，大于属于所述第1组的所述1个以上的磁阻效应元件的所述上表面的面积的平均值，所述第1电阻部、所述第2电阻部、所述第3电阻部和所述第4电阻部各自由所述第1组、所述第2组、所述第3组和所述第4组构成，或者由所述第2组、所述第1组、所述第4组和所述第3组构成。4.如权利要求3所述的磁传感器，其特征在于，还包括支承所述多个磁阻效应元件的支承部件，所述支承部件具有平坦的第1面和在与所述第1面垂直的方向上配置于与所述第1面不同的位置的第2面，所述多个磁阻效应元件配置于所述支承部件的所述第1面之上和所述第2面之上的任一者。5.一种磁传感器，其特征在于，是对检测对象的磁场进行检测而生成检测信号的磁传感器，包括：电源端口；接地端口；第1输出端口；第2输出端口；第1电阻部，其设置在所述电源端口与所述第1输出端口之间；第2电阻部，其设置在所述接地端口与所述第1输出端口之间；第3电阻部，其设置在所述接地端口与所述第2输出端口之间；第4电阻部，其设置在所述电源端口与所述第2输出端口之间；多个磁阻效应元件，其构成所述第1电阻部至所述第4电阻部；和

【专利技术属性】
技术研发人员：牧野健三，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：