显示设备及制造显示设备的方法技术

技术编号:31978271 阅读:27 留言:0更新日期:2022-01-20 01:31
公开了显示设备及制造显示设备的方法,显示设备包括衬底和像素,衬底包括多个像素区域,多个像素区域各自具有发射区域,像素设置在像素区域中的每个中,其中像素包括:至少一个发光元件,在衬底的第一表面上;第一绝缘层,在发光元件上;至少一个晶体管,在第一绝缘层上并且电连接到发光元件;第二绝缘层,在晶体管上;公共电极,在第二绝缘层上;以及像素电极,在公共电极上的第三绝缘层上并且电连接到晶体管,其中,发光元件包括定位在衬底上的半导体结构以及在半导体结构上彼此间隔开的第一电极和第二电极。一电极和第二电极。一电极和第二电极。

【技术实现步骤摘要】
显示设备及制造显示设备的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年7月17日在韩国知识产权局提交的第10

2020

0089069号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部公开内容通过引用以其整体并入本文中。


[0003]本公开的一些示例性实施方式的方面涉及具有发光元件的显示设备及制造显示设备的方法。

技术介绍

[0004]随着对信息显示的兴趣增加以及对使用便携式信息介质的需求增加,对显示设备的需求也显著增加并且正在进行其商业化。
[0005]在本
技术介绍
部分中公开的上述信息仅用于增强对
技术介绍
的理解,并且因此在本
技术介绍
部分中讨论的信息不一定构成现有技术。

技术实现思路

[0006]本公开的一些示例性实施方式的方面涉及能够提高可靠性的显示设备及制造显示设备的方法。
[0007]根据本公开的一些示例性实施方式,显示设备包括:衬底,包括多个像素区域,多个像素区域各自具有发射区域;以及像素,设置在像素区域中的每个中。像素可包括:至少一个发光元件,定位在衬底的第一表面上;第一绝缘层,在发光元件上;至少一个晶体管,在第一绝缘层上并且电连接到发光元件;第二绝缘层,在晶体管上;公共电极,在第二绝缘层上;以及像素电极,定位在公共电极上的第三绝缘层上并且电连接到晶体管。发光元件可以包括在衬底上的半导体结构以及在半导体结构上彼此间隔开的第一电极和第二电极。
[0008]根据一些示例性实施方式,半导体结构可以包括第一半导体层、在第一半导体层上的有源层和在有源层上的第二半导体层。第一电极可以电连接到第一半导体层和第二半导体层中的一个,并且第二电极可以电连接到第一半导体层和第二半导体层中的其余一个。
[0009]根据一些示例性实施方式,当从剖面观察时,第一电极可以定位在一个半导体层和第一绝缘层之间。此外,当从剖面观察时,第二电极可以定位在第一绝缘层和其余的半导体层之间。
[0010]根据一些示例性实施方式,半导体结构可以包括台面界面。
[0011]根据一些示例性实施方式,像素还可以包括将像素电极和晶体管电连接的接触线以及将晶体管和第一电极电连接的桥接图案。
[0012]根据一些示例性实施方式,接触线和桥接图案可以设置在相同的层上,并且可以包括相同的材料。
[0013]根据一些示例性实施方式,公共电极可以在接触线和桥接图案中的每个之上,且第二绝缘层插置在公共电极与接触线和桥接图案之间。
[0014]根据一些示例性实施方式,公共电极可以电连接到第二电极。
[0015]根据一些示例性实施方式,像素还可以包括至少一个焊盘电极,该至少一个焊盘电极在第三绝缘层上与像素电极电间隔开并且电连接到公共电极和第二电极。
[0016]根据一些示例性实施方式,显示设备还可以包括:光学转换图案层,在衬底的第二表面上以与发射区域对应;以及遮光图案,在衬底的第二表面上以与发射区域的外围对应。这里,遮光图案可以是黑色矩阵。
[0017]根据一些示例性实施方式,显示设备还可以包括基础层,基础层在衬底的第二表面上并且具有与发射区域对应的开口。这里,光学转换图案层可以定位在开口中。
[0018]根据一些示例性实施方式,光学转换图案层可以包括:颜色转换层,在开口中在衬底的第二表面上,并且包括颜色转换颗粒;以及滤色器图案,在颜色转换层上。
[0019]根据一些示例性实施方式,遮光图案可以在基础层上并且可以不与开口重叠。
[0020]根据一些示例性实施方式,显示设备还可以包括坝结构,坝结构在衬底的第二表面上并且限定与发光元件重叠的开口。这里,光学转换图案层可以定位在开口中。
[0021]根据一些示例性实施方式,遮光图案可以定位在坝结构上。
[0022]根据一些示例性实施方式,显示设备还可以包括反射构件,当从剖面观察时,反射构件在发光元件和晶体管之间。
[0023]根据本公开的一些示例性实施方式,在制造显示设备的方法中,该方法包括:在基础层上设置衬底;将至少一个半导体结构所转移至的转移基础衬底布置在衬底之上,从而将半导体结构再转移至衬底上;固化衬底,并且然后分离转移基础衬底;在半导体结构上形成彼此间隔开的第一电极和第二电极;在第一电极和第二电极上形成第一绝缘层;在第一绝缘层上形成至少一个晶体管;在晶体管上的第二绝缘层上形成电连接到第二电极的公共电极;在公共电极上的第三绝缘层上形成电连接到第一电极和晶体管的像素电极。这里,半导体结构以及第一电极和第二电极可以构成发光元件。
附图说明
[0024]图1是示意性地示出根据本公开的一些示例性实施方式的显示设备的后方立体图。
[0025]图2是图1的显示面板的示意性平面图。
[0026]图3是示出根据一些示例性实施方式的包括在图2中所示的一个像素中的组件的电联接关系的电路图。
[0027]图4A至图4C示意性地示出了根据本公开的一些示例性实施方式的像素,并且是示出了图3中所示的驱动晶体管和发光元件之间的联接结构的示意性剖视图。
[0028]图5A是示意性地示出图4A的半导体结构的侧方剖视图,并且图5B是示意性地示出根据一些示例性实施方式的图4A的发光元件的侧方剖视图。
[0029]图6A是示意性地示出根据一些示例性实施方式的基于图4A的像素电极和焊盘电极的像素的平面图。
[0030]图6B是示意性地示出根据一些示例性实施方式的基于图4B的像素电极和焊盘电
极的像素的平面图。
[0031]图7A至图7L是依次示出根据一些示例性实施方式的制造像素的方法的示意性剖视图。
[0032]图8A至图8E是依序示出根据公开的一些示例性实施方式的半导体结构的转移方法的示意性剖视图。
[0033]图9和图10是示意性地示出根据本公开的一些示例性实施方式的像素的剖视图。
具体实施方式
[0034]由于本公开允许各种变化和多个实施方式,因此一些示例性实施方式的方面将在附图中示出并在书面描述中详细描述。然而,这并不旨在将本公开限制于特定的实践模式,并且应当理解,不背离本公开内容的精神和技术范围的所有改变、等同和替代都包含在本公开中。
[0035]在本公开全文中,在本公开的各附图和实施方式中,相同的附图标记表示相同的部件。为了说明的清楚起见,附图中的元件的尺寸可能被放大。应当理解,尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如,在不背离本公开的教导的情况下,以下讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地,第二元件也可以被称为第一元件。在本公开中,单数形式也旨在包括复数形式,除非上下文另外清楚地指示。
[0036]还应当理解,当在本说明书中使用时,术语“包括(comprise)”、“包括(include)”、“具有(have)”等指定所陈述本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.显示设备,包括:衬底,包括多个像素区域,所述多个像素区域各自具有发射区域;以及像素,设置在所述多个像素区域中的每个中,其中,所述像素包括:至少一个发光元件,在所述衬底的第一表面上;第一绝缘层,在所述发光元件上;至少一个晶体管,在所述第一绝缘层上并且电连接到所述发光元件;第二绝缘层,在所述晶体管上;公共电极,在所述第二绝缘层上;以及像素电极,在所述公共电极上的第三绝缘层上并且电连接到所述晶体管,其中,所述发光元件包括在所述衬底上的半导体结构以及在所述半导体结构上彼此间隔开的第一电极和第二电极。2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述半导体结构包括第一半导体层、在所述第一半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二半导体层,其中,所述第一电极电连接到所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一个,以及其中,所述第二电极电连接到所述第一半导体层和所述第二半导体层中的其余一个。3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,从剖视图来看,所述第一电极在所述第一半导体层和所述第一绝缘层之间,以及其中,从所述剖视图来看,所述第二电极定位在所述第二半导体层和所述第一绝缘层之间。4.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述半导体结构包括台面界面。5.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述像素还包括:接触线,将所述像素电极和所述晶体管电连接;以及桥接图案,将所述晶体管和所述第一电极电连接。6.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述接触线和所述桥接图案在相同的层上,并且包括相同的材料。7.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述公共电极在所述接触线和所述桥接图案中的每个之上,且所述第二绝缘层插置在所述公共电极与所述接触线和所述桥接图案之间。8.根据权利要求7所述的显示设备,其中,所述公共电极电连接到所述第二电极。9.根据权利要求8所述的显示设备,其中,所述像素还包括至少一个焊盘电极,所述至少一个焊盘电极在所述第三绝缘层上与所述像素电极电间隔开并且电连接到所述公共电极和所述第二电极。10.根据权利要求9所述的显示设备,还包括:光学转换图案层,在所述衬底的第二表面上以与所述发射区域对应;以及...

【专利技术属性】
技术研发人员:全亨一金敏佑宋大镐杨秉春崔镇宇
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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