显示装置制造方法及图纸

技术编号:31977941 阅读:8 留言:0更新日期:2022-01-20 01:29
一种显示装置,包括:基底;防腐蚀层,所述防腐蚀层在所述基底上,并且包括无机材料;第一导电层,所述第一导电层在所述防腐蚀层上,并且包括铝或铝合金;第一绝缘膜,所述第一绝缘膜在所述第一导电层上;半导体层,所述半导体层在所述第一绝缘膜上,并且包括晶体管的沟道区域;第二绝缘膜,所述第二绝缘膜在所述半导体层上;以及第二导电层,所述第二导电层在所述第二绝缘膜上,并且包括包含钛的阻挡层和包含铝或铝合金的主导电层,其中,所述半导体层包括氧化物半导体,并且所述阻挡层在所述半导体层和所述主导电层之间,并且与所述晶体管的所述沟道区域重叠。的所述沟道区域重叠。的所述沟道区域重叠。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年7月16日提交的第10

2020

0087975号韩国专利申请的优先权和权益,上述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。


[0003]本公开涉及一种显示装置。

技术介绍

[0004]随着多媒体技术的发展,显示装置正变得越来越重要。因此,已经使用了诸如液晶显示(LCD)装置和有机发光二极管(OLED)显示装置等的各种显示装置。
[0005]典型的显示装置包括代表不同颜色(例如,能够显示不同颜色)的多个像素,并且因此可以实现颜色的显示。为了使像素独立地操作并显示不同的颜色,显示装置可以包括用于传输驱动信号的驱动信号线和设置在像素中的各种功能电极。
[0006]例如,需要驱动信号线具有低电阻、高热稳定性和易加工性。

技术实现思路

[0007]本公开的实施例的各方面涉及一种能够在实现高分辨率的同时通过改善信号延迟来提供提高的显示质量的显示装置,并且涉及一种制造显示装置的方法。
[0008]然而,本公开的实施例的各方面不受限于或不局限于本文阐述的那些方面。通过参考下面给出的本公开的详细描述,本公开的实施例的上述和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更明显。
[0009]显示装置的实施例包括:基底;防腐蚀层,所述防腐蚀层在所述基底上,并且包括(例如,是)无机材料;第一导电层,所述第一导电层在所述防腐蚀层上,并且包括(例如,是)铝或铝合金;第一绝缘膜,所述第一绝缘膜在所述第一导电层上;半导体层,所述半导体层在所述第一绝缘膜上,并且包括晶体管的沟道区域;第二绝缘膜,所述第二绝缘膜在所述半导体层上;以及第二导电层,所述第二导电层在所述第二绝缘膜上,并且包括包含(例如,是)钛的阻挡层和包含(例如,是)铝或铝合金的主导电层,其中,所述半导体层包括(例如,是)氧化物半导体,并且所述阻挡层在所述半导体层和所述主导电层之间,并且与所述晶体管的所述沟道区域重叠。
[0010]显示装置的实施例包括:基底;半导体层,所述半导体层在所述基底上,并且包括晶体管的沟道区域;第一绝缘膜,所述第一绝缘膜在所述半导体层上;第一导电层,所述第一导电层在所述第一绝缘膜上,并且包括包含(例如,是)钛的阻挡层、包含(例如,是)铝或铝合金的主导电层以及包含(例如,是)钛的覆盖层;第二绝缘膜,所述第二绝缘膜在所述第一导电层上;以及第二导电层,所述第二导电层在所述第二绝缘膜上,并且包括所述晶体管的源极电极和漏极电极,其中,所述半导体层包括氧化物半导体,所述第一导电层包括所述晶体管的栅极电极,并且所述阻挡层在所述半导体层和所述主导电层之间,并且与所述晶
体管的所述沟道区域重叠。
[0011]根据本公开的实施例的前述和其他方面,可以在提供高分辨率的同时通过改善信号延迟来提供提高的显示质量。
[0012]根据以下详细描述、附图和权利要求,本公开的实施例的其他特征和方面可以是明显的。
附图说明
[0013]通过参照附图更详细地描述本公开的实施例,本公开的实施例的上述和其它方面及特征将变得更明显,在附图中:
[0014]图1是根据本公开的实施例的显示装置的平面图;
[0015]图2是图1的显示装置的框图;
[0016]图3是图1的显示装置的像素的等效电路图;
[0017]图4是根据本公开的实施例的显示面板的截面图;
[0018]图5是图4的区域A的放大截面图;
[0019]图6是图4的区域B的放大截面图;
[0020]图7是图4的区域C的放大截面图;
[0021]图8是示出根据本公开的实施例的如何防止或减少氢扩散到具有阻挡层的半导体层中的截面图;
[0022]图9示出图示根据图8的阻挡层的存在与否的驱动电流的变化的曲线图(a)和曲线图(b);
[0023]图10至图12是示出根据本公开的实施例的制造显示装置的方法的截面图;
[0024]图13是根据本公开的另一实施例的显示装置的截面图;
[0025]图14是根据本公开的另一实施例的显示装置的截面图;
[0026]图15是根据本公开的另一实施例的显示装置的截面图;并且
[0027]图16是根据本公开的另一实施例的显示装置的截面图。
具体实施方式
[0028]在下文中,现在将参照其中示出了本公开的一些实施例的附图更充分地描述本公开。然而,本公开可以以许多不同的形式来实现,并且不应被解释为局限于本文阐述的实施例。而是,提供这些实施例使得本公开将是详尽的和完整的,并且将向本领域普通技术人员充分地传达本公开的范围。如本文所使用的,当描述本公开的实施例时,使用术语“可以”是指“本公开的一个或多个实施例”。
[0029]还将理解的是,当层被称为“在”另一层或基底“上”时,该层可以直接在所述另一层或基底上,或者也可以存在中间层。在整个说明书中,相同的附图标记表示相同的组件。在附图中,为了清楚起见,可能夸大了层和区域的厚度。如本文所使用的,术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任何组合和所有组合。
[0030]尽管在本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语可以用于将一个元件与另一元件区分开。因而,在不脱离本公开的教导的情况下,下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。将元件描述为“第一”元件
可能不需要或暗示第二元件或其他元件的存在。术语“第一”、“第二”等在本文中还可以用于区分不同类别或不同组的元件。为了简洁起见,术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类别(或第一组)”、“第二类别(或第二组)”等。如本文所使用的,术语“基本上”、“大约”、“近似”和类似术语用作近似术语而非用作程度术语,并且旨在解释将由本领域普通技术人员认识到的测量值或计算值的固有偏差。
[0031]此外,本文列举的任何数值范围旨在包括被归入列举范围内的相同数值精度的所有子范围。例如,范围“1.0至10.0”旨在包括在所列举的最小值1.0和所列举的最大值10.0之间(并且包括所列举的最小值1.0和所列举的最大值10.0)的所有子范围,即,具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值,诸如,以2.4至7.6为例。本文列举的任何最大数值限制旨在包括其中归入的所有较低数值限制,并且本说明书中列举的任何最小数值限制旨在包括其中归入的所有较高数值限制。因此,申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利,以明确地列举归入本文明确列举的范围内的任何子范围。
[0032]在下文中,将参照附图描述本公开的实施例。
[0033]图1是根据本公开的实施例的显示装置的平面图。图2是图1的显示装置的框图。
[0034]参照图1和图2,作为用于显示运动图像或静止图像的装置的显示装置1不仅可以用作(例如,充当)便携式电子装置的显示屏,还可以用作(例如,充当)本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置,其中,所述显示装置包括:基底;防腐蚀层,所述防腐蚀层在所述基底上,并且包括无机材料;第一导电层,所述第一导电层在所述防腐蚀层上,并且包括铝或铝合金;第一绝缘膜,所述第一绝缘膜在所述第一导电层上;半导体层,所述半导体层在所述第一绝缘膜上,并且包括晶体管的沟道区域;第二绝缘膜,所述第二绝缘膜在所述半导体层上;以及第二导电层,所述第二导电层在所述第二绝缘膜上,并且包括包含钛的阻挡层和包含铝或铝合金的主导电层,其中,所述半导体层包括氧化物半导体,并且所述阻挡层在所述半导体层和所述主导电层之间,并且与所述晶体管的所述沟道区域重叠。2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二导电层包括所述晶体管的栅极电极。3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:第三绝缘膜,所述第三绝缘膜在所述第二导电层上;和第三导电层,所述第三导电层在所述第三绝缘膜上,其中,所述第三导电层包括所述晶体管的源极电极和漏极电极。4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述晶体管的所述源极电极电连接到所述半导体层和所述第一导电层两者。5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述第三导电层包括第一电源线。6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二导电层通过暴露所述第一导电层的接触孔电连接到所述第一导电层,并且其中,所述第二导电层与所述第一导电层直接接触。7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第一导电层还包括包含钛的金属图案作为所述第一导电层的顶层,其中,所述金属图案和所述阻挡层彼此直接接触。8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述阻挡层在平面图中具有与所述主导电层相同的形状。9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述阻挡层在平面图中具有与所述第二绝缘膜相同的形状。10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述阻挡层的侧表面、所述主导电层的侧表面和所述第二绝缘膜的侧表面对齐。11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述阻挡层的厚度在1...

【专利技术属性】
技术研发人员:金连洪高殷慧金恩贤李京垣李善熙林俊亨
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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