包括缩合环化合物的发光器件和包括发光器件的电子设备制造技术

提供了一种发光器件和包括该发光器件的电子设备，该发光器件包括由式1表示的缩合环化合物，其中，式1与本说明书中描述的相同。发光器件包括：第一电极；第二电极，面对第一电极；中间层，位于第一电极与第二电极之间并且包括发射层，发射层包括由式1表示的缩合环化合物中的至少一种。式1式1式1式1

【技术实现步骤摘要】
包括缩合环化合物的发光器件和包括发光器件的电子设备
[0001]本申请要求于2020年7月15日在韩国知识产权局提交的第10
‑
2020
‑
0087708号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。


[0002]本公开的一个或更多个实施例涉及一种包括缩合环化合物的发光器件以及一种包括该发光器件的电子设备。

技术介绍

[0003]在发光器件之中，有机发光器件(OLED)是自发光器件，该自发光器件与其它发光器件相比，具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异特性，并且产生全色图像。
[0004]OLED可以包括位于基底上的第一电极以及顺序地堆叠在第一电极上的空穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极。从第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区域朝向发射层移动，从第二电极提供的电子可以通过电子传输区域朝向发射层移动。载流子(诸如空穴和电子)在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁(例如，弛豫)到基态，从而产生光。

技术实现思路

[0005]一个或更多个实施例涉及一种包括缩合环化合物的发光器件以及一种包括该发光器件的电子设备。
[0006]实施例的另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或者可以通过实践所给出的公开的实施例而获知。
[0007]根据一个或更多个实施例，提供了一种发光器件，所述发光器件包括：第一电极；
[0008]第二电极，面对第一电极；以及
[0009]中间层，位于第一电极与第二电极之间并且包括发射层，
[0010]其中，中间层还包括位于第一电极与发射层之间的空穴传输区域，
[0011]空穴传输区域包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或它们的组合，并且
[0012]发射层包括至少一种由式1表示的缩合环化合物，
[0013]式1
[0014][0015]式201
[0016][0017]式202
[0018][0019]其中，在式1中，
[0020]环A1至环A4均独立地为C5‑
C
30
碳环基或C2‑
C
30
杂环基，
[0021]X1为O、S、Se、C(R
1a
)(R
1b
)、Si(R
1a
)(R
1b
)或N(R
1a
)，
[0022]X2为O、S、Se、C(R
2a
)(R
2b
)、Si(R
2a
)(R
2b
)或N(R
2a
)，
[0023]X3为O、S、Se、C(R
3a
)(R
3b
)、Si(R
3a
)(R
3b
)或N(R
3a
)，
[0024]X4为O、S、Se、C(R
4a
)(R
4b
)、Si(R
4a
)(R
4b
)或N(R
4a
)，
[0025]Y1和Y2均独立地为B、P(＝O)或P(＝S)，
[0026]R1至R4、R
1a
至R
4a
和R
1b
至R
4b
均独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
烷基、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C2‑
C
60
烯基、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C2‑
C
60
炔基、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
烷氧基、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C3‑
C
60
碳环基、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
杂环基、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C6‑
C
60
芳氧基、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，
[0027]d1至d4均独立地为1至20范围内的整数，并且
[0028]从R1至R4、R
1a
至R
4a
和R
1b
至R
4b
中选择的两个或更多个基团可选地连接在一起，以形成未被取代或取代有至少一个R
10a
的C5‑
C
30
碳环基或者未被取代或取代有至少一个R
10a
的C2‑
C
30
杂环基，并且
[0029]在式201和式202中，
[0030]L
201
至L
204
均独立地为未被取代或取代有至少一个R
10a
的C3‑
C
60
碳环基或者未被取代或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
杂环基，
[0031]L
205
为*
‑
O
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
N(Q
201
)
‑
*'、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
20
亚烷基、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C2‑
C
20
亚烯基、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C3‑
C
60
碳环基或者未被取代或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
杂环基，
[0032]*和*'均表示与相邻原子的结合位，
[0033]xa1至xa4均独立地为0至5范围内的整数，
[0034]xa5为1至10范围内的整数，
[0035]R
201...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，所述发光器件包括：第一电极；第二电极，面对所述第一电极；中间层，位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括发射层，其中，所述中间层还包括位于所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区域，所述空穴传输区域包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或它们的组合，并且所述发射层包括至少一种缩合环化合物，所述至少一种缩合环化合物由式1表示：式1式201式202其中，在式1中，环A1至环A4均独立地为C5‑
C
30
碳环基或C2‑
C
30
杂环基，X1为O、S、Se、C(R
1a
)(R
1b
)、Si(R
1a
)(R
1b
)或N(R
1a
)，X2为O、S、Se、C(R
2a
)(R
2b
)、Si(R
2a
)(R
2b
)或N(R
2a
)，X3为O、S、Se、C(R
3a
)(R
3b
)、Si(R
3a
)(R
3b
)或N(R
3a
)，X4为O、S、Se、C(R
4a
)(R
4b
)、Si(R
4a
)(R
4b
)或N(R
4a
)，Y1和Y2均独立地为B、P(＝O)或P(＝S)，R1至R4、R
1a
至R
4a
和R
1b
至R
4b
均独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
烷基、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C2‑
C
60
烯基、未被
取代或取代有至少一个R
10a
的C2‑
C
60
炔基、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
烷氧基、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C3‑
C
60
碳环基、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
杂环基、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C6‑
C
60
芳氧基、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，d1至d4均独立地为1至20范围内的整数，并且从R1至R4、R
1a
至R
4a
和R
1b
至R
4b
中选择的两个或更多个基团可选地连接在一起，以形成未被取代或取代有至少一个R
10a
的C5‑
C
30
碳环基或者未被取代或取代有至少一个R
10a
的C2‑
C
30
杂环基，并且在式201和式202中，L
201
至L
204
均独立地为未被取代或取代有至少一个R
10a
的C3‑
C
60
碳环基或者未被取代或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
杂环基，L
205
为*
‑
O
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
N(Q
201
)
‑
*'、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
20
亚烷基、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C2‑
C
20
亚烯基、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C3‑
C
60
碳环基或者未被取代或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
杂环基，*和*'均表示与相邻原子的结合位，xa1至xa4均独立地为0至5范围内的整数，xa5为1至10范围内的整数，R
201
至R
204
和Q
201
均独立地为未被取代或取代有至少一个R
10a
的C3‑
C
60
碳环基或者未被取代或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
杂环基，R
201
和R
202
可选地经由单键、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C5亚烷基或者未被取代或取代有至少一个R
10a
的C2‑
C5亚烯基彼此连接，以形成未被取代或取代有至少一个R
10a
的C8‑
C
60
多环基，并且R
203
和R
204
可选地经由单键、未被取代或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C5亚烷基或者未被取代或取代有至少一个R
10a
的C2‑
C5亚烯基彼此连接，以形成未被取代或取代有至少一个R
10a
的C8‑
C
60
多环基，并且na1为1至4范围内的整数，R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基；均未被取代或取代有氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或它们的任何组合的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基；均未被取代或取代有氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或它们的任何组合的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基或C6‑
C
60
芳硫基；或者
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，并且
Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
均独立地为：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；氰基；硝基；C1‑
C
60
烷基；C2‑
C
60
烯基；C2‑
C
60
炔基；C1‑
C
60
烷氧基；或者均未被取代或取代有氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合的C3‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中：所述第一电极是阳极，所述第二电极是阴极，所述中间层还包括位于所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区域，所述空穴传输区域包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或它们的任何组合，并且所述电子传输区域包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或它们的任何组合。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，环A1至环A4均独立地为苯基团、萘基团、咔唑基团、芴基团、二苯并噻吩基团或二苯并呋喃基团。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，X3为N(R
3a
)或O。5.根据权利要求1所述的发光器件，其中：(i)X1为O，X2为O，X3为O，并且X4为O；(ii)X1为O，X2为O，X3为N(R
3a
)，并且X4为O；(iii)X1为N(R
1a
)，X2为O，X3为O，并且X4为O；(iv)X1为N(R
1a
)，X2为O，X3为N(R
3a
)，并且X4为O；(v)X1为O，X2为N(R
2a
)，X3为N(R
3a
)，并且X4为O；(vi)X1为O，X2为O，X3为N(R
3a
)，并且X4为N(R
4a
)；(vii)X1为S，X2为O，X3为N(R
3a
)，并且X4为O；(viii)X1为S，X2为S，X3为N(R
3a
)，并且X4为N(R
4a
)；(ix)X1为N(R
1a
)，X2为N(R
2a
)，X3为N(R
3a
)，并且X4为O；(x)X1为N(R
1a
)，X2为O，X3为N(R
3a
)，并且X4为N(R
4a
)；(xi)X1为N(R
1a
)，X2为S，X3为N(R
3a
)，并且X4为N(R
4a
)；或者(xii)X1为N(R
1a
)，X2为N(R
2a
)，X3为N(R
3a
)，并且X4为N(R
4a
)。6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，R1至R4、R
1a
至R
4a
和R
1b
至R
4b
均独立地选自于：氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1‑
C
20
烷基和C1‑
C
20
烷氧基；均取代有从氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴俊河，黄晳焕，朴宣映，白长烈，沈文基，李孝荣，郑旼静，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：