一种紧凑型SVG功率装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种紧凑型SVG功率装置，包括外壳、第一功率子模块、第二功率子模块、第一交流母排和第二交流母排，外壳内设置有绝缘隔板以将外壳内上下分隔成第一腔室和第二腔室，第一功率子模块设置在第一腔室中，第二功率子模块设置在第二腔室中，第一功率子模块包括交流侧，第二功率子模块包括交流侧，第一功率子模块的交流侧的一端与第二功率子模块的交流侧的一端连接以使得第一功率子模块和第二功率子模块串联，第一交流母排和第二交流母排均设置在外壳上，第一交流母排与第一功率子模块的交流侧的另一端连接，第二交流母排与第二功率子模块的交流侧的另一端连接，从而可以尽可能地缩减SVG功率装置的体积，从而减少占用空间。减少占用空间。减少占用空间。

【技术实现步骤摘要】
一种紧凑型SVG功率装置


[0001]本技术涉及电气
，特别涉及一种紧凑型SVG功率装置。

技术介绍

[0002]近年来高压无功补偿器(SVG)广泛使用于风电及光伏等清洁发电领域，SVG功率装置，一般由多个功率子模块的交流侧依次串联构成，而多个SVG功率装置则可以组装形成功率桥臂，以用于构成高压无功补偿器。
[0003]传统的SVG功率装置，内部的多个功率子模块一般无序分布，但是由于需要考虑功率子模块之间需要电气隔离以及足够的散热空间，因此导致SVG功率装置整体体积较大，使得高压无功补偿器(SVG)占用较多位置，造成应用时占地成本较高。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种紧凑型SVG功率装置，合理布局，减少体积，占用空间少。
[0005]根据本技术的第一方面实施例的一种紧凑型SVG功率装置，包括：外壳，内设置有绝缘隔板以将所述外壳内上下分隔成第一腔室和第二腔室；第一功率子模块和第二功率子模块，所述第一功率子模块设置在所述第一腔室中，所述第二功率子模块设置在所述第二腔室中，所述第一功率子模块包括交流侧，所述第二功率子模块包括交流侧，所述第一功率子模块的交流侧的一端与所述第二功率子模块的交流侧的一端连接以使得所述第一功率子模块和所述第二功率子模块串联；第一交流母排和第二交流母排，均设置在所述外壳上，所述第一交流母排与所述第一功率子模块的交流侧的另一端连接，所述第二交流母排与所述第二功率子模块的交流侧的另一端连接。
[0006]根据本技术实施例的一种紧凑型SVG功率装置，至少具有如下有益效果：
[0007]本技术SVG功率装置，在外壳内设置绝缘隔板，将外壳内上下分隔成第一腔室和第二腔室，第一功率子模块和第一功率子模块各自设置于第一腔室和第二腔室中，而第一功率子模块的交流侧的一端穿过绝缘隔板与第二功率子模块的交流侧的一端连接，从而形成串联，并且通过第一交流母排和第二交流母排可以与外界的其他设备连接，从而可以对SVG功率装置进行利用，绝缘隔板可以对第一功率子模块和第一功率子模块实行有效绝缘，并且第一腔室和第二腔室两个腔室独立散热，从而可以尽可能地缩减SVG功率装置的体积，从而减少占用空间。
[0008]根据本技术的一些实施例，所述第一功率子模块包括第一IGBT模组、第一电容组件以及第一控制组件，所述第一IGBT模组包括交流侧、直流侧以及受控侧，所述第一控制组件与所述第一IGBT模组的受控侧连接，所述第一IGBT模块的直流侧与所述第一电容组件连接；所述第二功率子模块包括第二IGBT模组、第二电容组件以及第二控制组件，所述第二IGBT模组包括交流侧、直流侧以及受控侧，所述第一控制组件与所述第二IGBT模组的受控侧连接，所述第二IGBT模块的直流侧与所述第二电容组件连接；所述第一IGBT模块的交
流侧的一端与所述第二IGBT模块的交流侧的一端连接，所述第一交流母排与所述第一IGBT模块的交流侧的另一端连接，所述第二交流母排与所述第二IGBT模块的交流侧的另一端连接。
[0009]根据本技术的一些实施例，所述绝缘隔板于所述第一腔室内竖立设置有第一安装隔板，所述第一电容组件设置在所述第一安装隔板的一侧面上，所述第一控制组件设置在所述第一安装隔板的另一侧面上。
[0010]根据本技术的一些实施例，所述外壳上设置有分别连通所述第一腔室的第一通风口组和第二通风口组，沿所述第一通风口组至所述第二通风口组的方向，第一IGBT模组与第一安装隔板前后设置。
[0011]根据本技术的一些实施例，所述外壳内于所述第一腔室中设置有第一散热组件，所述第一IGBT模组设置在所述第一散热组件上。
[0012]根据本技术的一些实施例，还包括直流连接端组，所述直流连接端组与所述第一IGBT模组的直流侧以及所述第二IGBT模组的直流侧连接，所述第一交流母排和所述第二交流母排设置在所述外壳的前端面，所述直流连接端组设置在所述外壳的后端面。
[0013]根据本技术的一些实施例，所述第一安装隔板上设置有灌胶槽以及封胶层，所述第一控制组件由电子元件构成，所述电子元件设置在灌胶槽中，所述封胶层填覆在所述灌胶槽中。
[0014]根据本技术的一些实施例，所述绝缘隔板于所述第二腔室内竖立设置有第二安装隔板，所述第二电容组件设置在所述第二安装隔板的一侧面上，所述第二控制组件设置在所述第二安装隔板的另一侧面上。
[0015]根据本技术的一些实施例，所述外壳上设置有分别连通所述第二腔室的第三通风口组和第四通风口组，沿所述第三通风口组至所述第四通风口组的方向，第二IGBT模组与第二安装隔板前后设置。
[0016]根据本技术的一些实施例，所述外壳内于所述第二腔室中设置有第二散热组件，所述第二IGBT模组设置在所述第二散热组件上。
[0017]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0018]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0019]图1为本技术SVG功率装置其中一种实施例的其一角度内部示意图；
[0020]图2为本技术SVG功率装置其中一种实施例的另一角度内部示意图；
[0021]图3为本技术SVG功率装置其中一种实施例的第一功率子模块和第二功率子模块的电路示意图；
[0022]图4为本技术SVG功率装置其中一种实施例的外壳前端面的示意图；
[0023]图5为本技术SVG功率装置其中一种实施例的外壳后端面的示意图。
[0024]附图标记：
[0025]外壳100、绝缘隔板110、第一腔室120、第二腔室130、第一安装隔板140、第二安装
隔板150、第一通风口组160、第二通风口组170、第三通风口组180、第四通风口组190、第一功率子模块200、第一IGBT模组210、第一电容组件220、第一控制组件230、第二功率子模块300、第二IGBT模组310、第二电容组件320、第二控制组件330、第一交流母排410、第二交流母排420、第一散热组件500、第二散热组件600、直流测试端子700、光纤通讯端子800。
具体实施方式
[0026]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0027]在本技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种紧凑型SVG功率装置，其特征在于，包括：外壳，内设置有绝缘隔板以将所述外壳内上下分隔成第一腔室和第二腔室；第一功率子模块和第二功率子模块，所述第一功率子模块设置在所述第一腔室中，所述第二功率子模块设置在所述第二腔室中，所述第一功率子模块包括交流侧，所述第二功率子模块包括交流侧，所述第一功率子模块的交流侧的一端与所述第二功率子模块的交流侧的一端连接以使得所述第一功率子模块和所述第二功率子模块串联；第一交流母排和第二交流母排，均设置在所述外壳上，所述第一交流母排与所述第一功率子模块的交流侧的另一端连接，所述第二交流母排与所述第二功率子模块的交流侧的另一端连接。2.根据权利要求1所述的一种紧凑型SVG功率装置，其特征在于：所述第一功率子模块包括第一IGBT模组、第一电容组件以及第一控制组件，所述第一IGBT模组包括交流侧、直流侧以及受控侧，所述第一控制组件与所述第一IGBT模组的受控侧连接，所述第一IGBT模块的直流侧与所述第一电容组件连接；所述第二功率子模块包括第二IGBT模组、第二电容组件以及第二控制组件，所述第二IGBT模组包括交流侧、直流侧以及受控侧，所述第一控制组件与所述第二IGBT模组的受控侧连接，所述第二IGBT模块的直流侧与所述第二电容组件连接；所述第一IGBT模块的交流侧的一端与所述第二IGBT模块的交流侧的一端连接，所述第一交流母排与所述第一IGBT模块的交流侧的另一端连接，所述第二交流母排与所述第二IGBT模块的交流侧的另一端连接。3.根据权利要求2所述的一种紧凑型SVG功率装置，其特征在于：所述绝缘隔板于所述第一腔室内竖立设置有第一安装隔板，所述第一电容组件设置在所述第一安装隔板的一侧面上，所述第一控制组件设置在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙洁，彭国平，史奔，段博，张进，苟鹏飞，吕崇，
申请(专利权)人：广东明阳龙源电力电子有限公司，
类型：新型
国别省市：