钽酸锂晶体的制造方法技术

本发明专利技术提供一种钽酸锂晶体的制造方法，该方法为至少将第一材料与已单一极化的钽酸锂晶体相重迭而在还原性环境和低于居里点的温度Ｔ２’下进行热处理，使该已单一极化的钽酸锂晶体的导电率提高，其中该第一材料含有：在还原性环境和低于居里点的温度Ｔ１’下热处理过的钽酸锂或铌酸锂，或是贮藏氢的贮氢金属。因此，通过提高钽酸锂晶体的导电率，使已产生的表面电荷不产生聚集现象，从而可使由于对碳酸锂晶体施加温度而产生的表面电荷消失，同时，能够维持单一极化构造而发挥有效的压电性。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，该酸锂晶体使用于弹性表面波组件等晶圆上，利用金属电极形成图案而处理电信号的应用中。
技术介绍
钽酸锂使用于利用弹性表面波(SAW)而进行信号处理的SAW装置等利用电特性的应用中。虽然显示适用于此用途的钽酸锂晶体系归因于其晶体构造，SAW装置所必需的压电反应(压电性)，除了压电性之外，一般方法可取得的钽酸锂晶体也产生热电反应(热电性)。钽酸锂晶体的压电性是将钽酸锂晶体作为SAW装置利用时所不可欠缺的特性。另一方面，热电性是通过对钽酸锂晶体施加温度变化，观测于晶体之外侧表面所产生的表面电荷，使晶体带电。此表面电荷系于将钽酸锂晶体作为SAW装置使用时，由钽酸锂晶体所构成的晶圆上，于形成的金属电极间引起火花放电，导致SAW装置在性能上存在明显缺陷。因此，使用钽酸锂晶体的SAW装置的设计上，使表面电荷不产生之考虑、使产生的表面电荷脱离之考虑、或是扩大金属电极彼此间的间隔等之考虑等均是必须的，为了采纳这些考虑，对SAW装置本身之设计上将有限制增多的缺点。另外，使用钽酸锂晶体的SAW装置的制造方法中的金属膜蒸镀、光阻去除步骤，具有对钽酸锂晶体加热之步骤，若于这些步骤对钽酸锂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钽酸锂晶体的制造方法，该方法可使该钽酸锂晶体导电率增大，其特征在于：于低于温度Ｔ１的温度Ｔ２下且在还原性的环境中，使已在温度Ｔ１下还原处理过之物质与钽酸锂晶体接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-3-6 060603/20031.一种钽酸锂晶体的制造方法，该方法可使该钽酸锂晶体导电率增大，其特征在于于低于温度T1的温度T2下且在还原性的环境中，使已在温度T1下还原处理过之物质与钽酸锂晶体接触。2.如权利要求1所述的钽酸锂晶体的制造方法，其特征在于，将温度T1设定为700℃以上。3.如权利要求1或2所述的钽酸锂晶体的制造方法，其特征在于，于含有氢、一氧化碳、一氧化二氮中任一种气体或这些气体中的二种以上构成的混合气体的还原性气体中，在温度T1下进行还原处理。4.如权利要求3所述的钽酸锂晶体的制造方法，其特征在于，于该还原性气体中添加He、Ne、Ar其它稀有气体、氮、二氧化碳中的任一种气体或这些气体中的二种以上构成的混合气体的环境中进行还原处理。5.如权利要求1至4所述的钽酸锂晶体的制造方法，其特征在于，已在温度T1下进行还原处理过之物质使用晶体、陶瓷、金属中的任一种。6.如权利要求5所述的钽酸锂晶体的制造方法，其特征在于，该晶体或该陶瓷使用由具有非化学计量组成之复合氧化物所形成的物质。7.如权利要求5或6所述的钽酸锂晶体的制造方法，其特征在于，该晶体或该陶瓷使用钽酸锂或铌酸锂。8.如权利要求申5所述得钽酸锂晶体的制造方法，其特征在于，该金属使用贮氢合金。9.如权利要求1至8中任一项所述得钽酸锂晶体的制造方法，其特征在于，于温度T2下与已在温度T1下还原处理过之物质相接触的钽酸锂晶体使用已单一极化的晶体。10.如权利要求9所述的钽酸锂晶体的制造方法，其中该已单一极化的晶体使用切片前阶段的晶体。11.如权利要求9所述的钽酸锂晶体的制造方法，其特征在于，该已单一极化的晶体使用已进行切片处理的晶圆、或已进行研磨处理的晶圆。12.如权利要求1至11中任一项所述的钽酸锂晶体的制造方法，其特征在于，该温度T2设定为400～600℃。13.如权利要求12所述的钽酸锂晶体的制造方法，其特征在于，在温度T2下进行处理之后，于温度250℃以下将大气导入。14.如权利要求1至13中任一项所述的钽酸锂晶体的制造方法，其特征在于，于氢、一氧化碳、一氧化二氮或其混合气体所构成的还原性气体中，进行于温度T2下的还原处理。15.如权利要求14所述的钽酸锂晶体的制造方法，其特征在于，于该还原性气体中添加He、Ne、Ar其它稀有气体及氮、二氧化碳或其混合气体所构成的惰性气体的环境中进行还原处理。...

【专利技术属性】
技术研发人员：盐野嘉幸，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]