一种带状线结构的威尔金森1:8分配器制造技术

技术编号:31960710 阅读:34 留言:0更新日期:2022-01-19 22:06
本实用新型专利技术提供了一种带状线结构的威尔金森1:8分配器,从上而下依次为第一层印制板、第二层半固化片以及第三层印制板,第一层印制板和第三层印制板通过第二层半固化片进行压合,第二层半固化片为一种玻璃布,在加热状态下软化,在冷却状态下固化,再加上树脂,则将第一层印制板和第三层印制板压合在一起,形成一个带状线结构的威尔金森分配器,压合完成后需对该带状线结构上所有过孔进行树脂塞孔处理,要求不影响过孔接地。本实用新型专利技术可以很好的避免空间干扰问题,解决了在功放组件内由于不可避免的存在腔体效应,从而导致微带线形式的威尔金森分配器会出现端口一致性差的问题。尔金森分配器会出现端口一致性差的问题。尔金森分配器会出现端口一致性差的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种带状线结构的威尔金森1:8分配器


[0001]本技术专利涉及微波通讯领域,尤其涉及大功率功放组件内分配合成网络的设计,具体为一种带状线结构的威尔金森1:8分配器。

技术介绍

[0002]随着雷达技术的发展,雷达发射机的功放组件输出功率要求越来越大,随着半导体技术的发展,S波段功率管输出功率由75W(SI基功率管),发展到350W(LDMOS功率管),最终发展到500W(GaN功率管);而该波段的分布式发射机的T/R组件或者集中式发射机的功放组件输出功率均大于该波段单管的输出功率,存在空间干扰问题,在功放组件内由于存在不可避免的腔体效应问题,从而导致微带线形式的威尔金森分配器会出现端口一致性差的问题,从而需要设计相应的分配合成网络用于组件内部的功率合成。

技术实现思路

[0003]本技术为了解决现有的问题,提供了一种带状线结构的威尔金森1:8分配器。
[0004]本技术提供的一种带状线结构的威尔金森1:8分配器,从上而下依次为第一层印制板、第二层半固化片以及第三层印制板,所示的第一层印制板、第二层半固化片以及第三层印制板固化压合在一起。
[0005]进一步改进,所述的第一层印制板为CLTE

XT04055层压板,厚度为1mm。
[0006]进一步改进,所述的第一层印制板的上端开有8个半圆形缺口,下端开有1个半圆形缺口,板体上开有7个矩形方孔;所述的第一层印制板上开设有多个第一过孔;第一层印制板的正面保留覆铜,反面去除覆铜,所有第一过孔均做金属化处理。
[0007]进一步改进,所述的矩形方孔内焊接100欧姆电阻。
[0008]进一步改进,所述的第三层印制板为CLTE

XT04055层压板,厚度为1mm。
[0009]进一步改进,所述的第三层印制板的上端设有与第一层印制板上端的8个半圆形缺口相对应的8个输出口,下端设有与第一层印制板下端的1个半圆形缺口相对应的1个输入口;所述的第三层印制板上开设有多个与第一层印制板上第一过孔相对应的第二过孔;第三层印制板的正面、反面均保留覆铜,所有第二过孔均做金属化处理。
[0010]进一步改进,所述的第三层印制板上a部为第一级1:2的威尔金森分配器,b、c部为第二级1:2的威尔金森分配器,d部为第三级1:2的威尔金森分配器,b部以a部为对称轴与c部左右对称设置;d部为4个,其中两个以b部为对称轴左右对称设置,另外两个以c部为对称轴左右对称设置。
[0011]进一步改进,所述的第一级1:2的威尔金森分配器、第二级1:2的威尔金森分配器各自左右两边的第二过孔均对称。
[0012]进一步改进,所述的第一层印制板和第三层印制板采用第二层半固化片进行压合,所述的第二层半固化片为一种型号为25N

004036
×
24的玻璃布,在130

170摄氏度加热状态下软化,在自然冷却状态下固化,再加上树脂,则将第一层印制板和第三层印制板压合
在一起,形成一个带状线结构的威尔金森分配器,压合完成后需对该带状线结构上所有过孔进行树脂塞孔处理。
[0013]本技术有益效果在于:
[0014]带状线分配器由于电磁波实际走的路径在带状线的中间层,从而使得电磁波对外辐射比较小,而传统的威尔金森分配器由于电磁波传输在微带线的表层,容易收到干扰或者在大功率情况下对外有一定的辐射,导致整个功放组件出现腔体效应,这就是为什么一般微带线分配器在矢量网络分析仪上测试小信号时技术参数都比较好,而实际应用在组件内部时,会出现较大偏差的原因。本技术为一种带状线威尔金森分配器,则不同,其电磁波在中间层传输,输入输出口存在带状线与微带线之间的转换,方便电路装配中的焊接,从而很好的保证了仿真时的数据与实际电路中数据的一致性,满足用于组件内部的功率合成的需求。
[0015]本技术可以很好的避免空间干扰问题,解决了在功放组件内由于不可避免的存在腔体效应,从而解决了导致微带线形式的威尔金森分配器会出现端口一致性差的问题(因为分配器不同的端口对应的功放模块匹配状态不一致,导致辐射不一致,可能会影响各路的插损及驻波值),且本方案的带状线分配器对外辐射要比一般的带状线要小,不会影响各路的插损及驻波值。
附图说明
[0016]图1为本技术的结构示意图;
[0017]图2为本技术结构的正视图;
[0018]图3为本技术第一层印制板的正面结构示意图;
[0019]图4为本技术第一层印制板的反面结构示意图;
[0020]图5为本技术第三层印制板的正面结构示意图;
[0021]图6为本技术第三层印制板的反面结构示意图;
[0022]图7为本技术a

d部的1:2威尔金森分配器分布结构示意图;
[0023]图8为现有的一般带状线分配器结构示意图。
具体实施方式
[0024]下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步说明。
[0025]如图1

2所示,本技术为一种带状线结构的威尔金森1:8分配器,从上而下依次为第一层印制板17、第二层半固化片18以及第三层印制板19,第一层印制板和第三层印制板通过第二层半固化片进行压合,第二层半固化片为一种玻璃布(型号为25N

004036
×
25),在130

170摄氏度加热状态下软化,在冷却状态下固化,再加上树脂,则将第一层印制板和第三层印制板压合在一起,形成一个带状线结构的威尔金森分配器,压合完成后需对该带状线结构上所有过孔进行树脂塞孔处理,要求不影响过孔接地即可。
[0026]如图3

4所示,第一层印制板17为CLTE

XT04055层压板,厚度为1mm;第一层印制板的上端开有8个相同的半圆形缺口(图3中标注2

9),下端开有1个半圆形缺口(图3中标注1),每两个上端的半圆形缺口之间的下方板体上对应开有矩形方孔,共7个矩形方孔(图3中标注10

16);其中半圆形缺口为第三层印制板的焊接口,为了方便分配器与其他元器件之
间的焊接;矩形方孔为方便焊接第三层印制板的隔离电阻,该矩形方孔不允许做金属化处理,防止焊接隔离电阻时出现短路现象。
[0027]第一层印制板上开设有多个第一过孔20,第一层印制板的正面保留覆铜,反面去除覆铜,所有第一过孔均做金属化处理,正面覆铜目的是接地,反面需要去除是为了形成带状线,金属化过孔目的是上下层直接能很好的接地。
[0028]如图5

7所示,第三层印制板为CLTE

XT04055层压板,厚度为1mm;第三层印制板的正面电路图形由3级1:2威尔金森分配器组成;
[0029]具体为:在第三层印制板上设有a部...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带状线结构的威尔金森1:8分配器,其特征在于:从上而下依次为第一层印制板、第二层半固化片以及第三层印制板,所述的第一层印制板、第二层半固化片以及第三层印制板固化压合在一起。2.根据权利要求1所述的一种带状线结构的威尔金森1:8分配器,其特征在于:所述第一层印制板为CLTE

XT04055层压板,厚度为1mm。3.根据权利要求1或2所述的一种带状线结构的威尔金森1:8分配器,其特征在于:所述的第一层印制板的上端开有8个半圆形缺口,下端开有1个半圆形缺口,板体上开有7个矩形方孔;所述的第一层印制板上开设有多个第一过孔;第一层印制板的正面保留覆铜,反面去除覆铜,所有第一过孔均做金属化处理。4.根据权利要求3所述的一种带状线结构的威尔金森1:8分配器,其特征在于:所述的矩形方孔内焊接100欧姆电阻。5.根据权利要求1所述的一种带状线结构的威尔金森1:8分配器,其特征在于:所述的第三层印制板为CLTE

XT04055层压板,厚度为1mm。6.根据权利要求1或4所述的一种带...

【专利技术属性】
技术研发人员:柯贵树
申请(专利权)人:南京天朗防务科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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