一种铜铬黑原料的处理方法及铜铬黑技术

本发明专利技术公开了一种铜铬黑原料的处理方法及铜铬黑，属于金属材料领域。该铜铬黑原料的处理方法包括：在空气气氛下，对所述铜络黑原料进行煅烧处理，并保温第一设定时间，得到处理后的铜络黑；其中，所述煅烧处理的温度为600℃

【技术实现步骤摘要】
一种铜铬黑原料的处理方法及铜铬黑


[0001]本专利技术涉及金属材料领域，特别涉及一种铜铬黑原料的处理方法及铜铬黑。

技术介绍

[0002]铜铬黑通常由氧化铜与三氧化二铬在高温下化合反应而生成，其主要成分为CuCr2O4尖晶石，通常被用于制备高辐射率的陶瓷材料。
[0003]目前市售的铜铬黑原料存在有杂质，且尖晶石相转化不完全，导致其辐射率相对较低。
[0004]相关技术并未针对如何提高铜铬黑原料的辐射率给出有效的措施。

技术实现思路

[0005]鉴于此，本专利技术提供一种铜铬黑原料的处理方法及铜铬黑，可以解决上述技术问题。
[0006]具体而言，包括以下的技术方案：
[0007]一方面，提供了一种铜铬黑原料的处理方法，所述铜铬黑原料的处理方法包括：在空气气氛下，对所述铜络黑原料进行煅烧处理，并保温第一设定时间，得到处理后的铜络黑；
[0008]其中，所述煅烧处理的温度为600℃-1000℃。
[0009]在一种可能的实现方式中，所述铜铬黑原料的处理方法还包括：提供掺杂剂；
[0010]将所述铜络黑原料与所述掺杂剂在球磨混料装置中混合第二设定时间，得到混合物料；
[0011]在空气气氛下，对所述混合物料进行所述煅烧处理；
[0012]其中，所述掺杂剂选自镍化合物、锰的化合物、稀土金属的化合物中的至少一种。
[0013]在一种可能的实现方式中，按重量份计，所述铜络黑原料为95-100份，所述掺杂剂为0.1-5份。
[0014]在一种可能的实现方式中，所述镍的化合物选自氧化镍、硝酸镍和碳酸镍中的至少一种。
[0015]在一种可能的实现方式中，所述锰的化合物选自氧化锰、硝酸锰和碳酸锰中的至少一种。
[0016]在一种可能的实现方式中，所述稀土金属的化合物中所包括的稀土金属为钇、镧、或者铈。
[0017]在一种可能的实现方式中，所述稀土金属的化合物包括：稀土金属的氧化物、稀土金属的硝酸盐和稀土金属的碳酸盐中的至少一种。
[0018]在一种可能的实现方式中，所述第一设定时间为3-7小时。
[0019]在一种可能的实现方式中，所述第二设定时间为12-24小时。
[0020]另一方面，本专利技术实施例提供了一种铜铬黑，所述铜铬黑采用上述的任一种处理
方法制备得到。
[0021]本专利技术实施例提供的技术方案的有益效果至少包括：
[0022]本专利技术实施例提供的铜铬黑原料的处理方法，在空气气氛下，对铜络黑原料进行了煅烧处理，保持煅烧温度为600℃-1000℃，以对铜络黑原料实现进一步的热处理，从而将其中未完全转化成尖晶石型CuCr2O4的成分，来提高铜铬黑原料中尖晶石型CuCr2O4成份的含量，使其纯度得以提升，进而使处理后的铜络黑的辐射率得以提升。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1为本专利技术实施例提供的相关技术中市售铜铬黑原料的XRD图；
[0025]图2为本专利技术实施例提供的相关技术中市售铜铬黑原料的放大倍数为10K的SEM图；
[0026]图3为本专利技术实施例提供的相关技术中市售铜铬黑原料的放大倍数为50K的SEM图；
[0027]图4为本专利技术实施例提供的实施例1中处理后的铜铬黑的XRD图；
[0028]图5为本专利技术实施例提供的实施例1中处理后的铜铬黑的放大倍数为10K的SEM图；
[0029]图6为本专利技术实施例提供的实施例1中处理后的铜铬黑的放大倍数为50K的SEM图；
[0030]图7为本专利技术实施例提供的实施例2中处理后的铜铬黑的XRD图；
[0031]图8为本专利技术实施例提供的实施例2中处理后的铜铬黑的放大倍数为10K的SEM图；
[0032]图9为本专利技术实施例提供的实施例2中处理后的铜铬黑的放大倍数为50K的SEM图；
[0033]图10为本专利技术实施例提供的实施例3中处理后的铜铬黑的XRD图；
[0034]图11为本专利技术实施例提供的实施例3中处理后的铜铬黑的放大倍数为10K的SEM图；
[0035]图12为本专利技术实施例提供的实施例3中处理后的铜铬黑的放大倍数为50K的SEM图；
[0036]图13为本专利技术实施例提供的实施例4中处理后的铜铬黑的XRD图；
[0037]图14为本专利技术实施例提供的实施例4中处理后的铜铬黑的放大倍数为10K的SEM图；
[0038]图15为本专利技术实施例提供的实施例4中处理后的铜铬黑的放大倍数为550K的SEM图。
具体实施方式
[0039]为使本专利技术的技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。
[0040]本专利技术实施例所涉及的“铜络黑原料”指的是目前市售的铜络黑，其辐射率相对较低。
[0041]本专利技术实施例所涉及的辐射率是指衡量物体表面以辐射的形式释放能量相对强弱的能力。物体的辐射率等于物体在一定温度下辐射的能量与同一温度下黑体辐射能量之比。辐射率仅仅与物体表面的性质(成分、结构)有关，在定给温度条件下，任何物体的辐射率在数值上等于此物体的吸收率，可以通过本领域通用的测试方法测量得到铜络黑的辐射率。
[0042]本专利技术实施例对某一市购获取的铜络黑原料进行了物性测试，分别如下所示：
[0043](1)对上述铜络黑原料进行XRD(X-ray diffraction，X射线衍射)分析(X射线是原子内层电子在高速运动电子的轰击下跃迁而产生的光辐射)，获取得到该铜络黑原料的XRD图，如图1所示，该铜络黑原料具有较好的结晶度，但是纯度不够，其主相为尖晶石型CuCr2O4，同时还有一些非尖晶石结构的杂质存在。
[0044]进一步地，本专利技术实施例利用扫描电镜对该铜络黑原料进行了电镜扫描，获得了该铜络黑原料的SEM图，分别如图2和图3所示。由图2和图3可知，该铜络黑原料由尖晶石形结构的大颗粒和不规则形貌结构的小颗粒组成，其中，尖晶石形结构的大颗粒的尺寸在500nm左右，应属于尖晶石型CuCr2O4颗粒，不规则形貌结构的小颗粒则属于没有完全转化成尖晶石型CuCr2O4的成份。
[0045]本专利技术实施例对该铜络黑原料在不同温度下的辐射率进行了测试，具体测试结果如下所示：
[0046]室温下(25℃)，该铜络黑原料的辐射率为0.6811；
[0047]600℃下，该铜络黑原料的辐射率为0.8536；
[0048]800℃下，该铜络黑原料的辐射率为0.8945。
[0049]专利技术人对于该铜络黑原料中杂质的产生原因进行了分析，可能是生产厂家在生产时热处理温度过低或保温时间不够，没有完全转化成尖晶石型结构的C本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铜铬黑原料的处理方法，其特征在于，所述铜铬黑原料的处理方法包括：在空气气氛下，对所述铜络黑原料进行煅烧处理，并保温第一设定时间，得到处理后的铜络黑；其中，所述煅烧处理的温度为600℃-1000℃。2.根据权利要求1所述的铜铬黑原料的处理方法，其特征在于，所述铜铬黑原料的处理方法还包括：提供掺杂剂；将所述铜络黑原料与所述掺杂剂在球磨混料装置中混合第二设定时间，得到混合物料；在空气气氛下，对所述混合物料进行所述煅烧处理；其中，所述掺杂剂选自镍化合物、锰的化合物、稀土金属的化合物中的至少一种。3.根据权利要求2所述的铜铬黑原料的处理方法，其特征在于，按重量份计，所述铜络黑原料为95-100份，所述掺杂剂为0.1-5份。4.根据权利要求2所述的铜铬黑原料的处理方法，其特征在于，所述镍的化合...

【专利技术属性】
技术研发人员：常维纯，李春漫，田望，金俞鑫，黄恩涛，刘国豪，朱峰，郭旭，
申请(专利权)人：中国石油天然气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：