【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种例如光刻投影装置的辐射曝光装置,特别涉及包括气体冲洗系统的曝光装置。而且,本专利技术涉及将基板曝光于辐射的方法。
技术介绍
用于在例如电荷耦合器件(CCD)图像传感器以及互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的制造中的彩色滤光器的抗蚀剂类型材料的使用加重了污染问题。举例来说,抗蚀剂中的挥发成分在曝光于辐射的过程中可导致大量放气,例如在光刻图像传感器制造过程中的曝光于辐射的过程中。该放气可能导致投影透镜或其周围区域的污染和损坏,这将反过来需要对其维护的增加以清洁透镜或者甚至更换透镜或周围部件。本专利技术的目的包括提供解决放气问题的方法和装置。在EP 1098226和US 2004-0212791中记载了使用气体清洗罩的光刻系统。
技术实现思路
在一个实施例中,本专利技术提供了一种制造例如图像传感器等器件的方法,包括(a)提供辐射光束;(b)构图该辐射光束;(c)通过投影系统将该带有图案的辐射光束投影在包含辐射敏感层的基板的靶部上;以及(d)将冲洗气体从位于所述靶部周边外的第一出气口流至位于所述投影系统和所述基板之间的空间;其中至少部分所述冲洗气 ...
【技术保护点】
一种制造器件的方法,包括:提供辐射光束;将该辐射光束图案化;通过投影系统将该带有图案的辐射光束投影在包含辐射敏感层的基板的靶部上;以及将冲洗气体从位于所述靶部周边外的第一出气口流至位于所述投影系统和所述基板之间的空间,其中,在所述投影过程中,至少部分所述冲洗气体流向所述靶部。
【技术特征摘要】
US 2004-12-7 60/633727;US 2005-1-18 11/0361861.一种制造器件的方法,包括提供辐射光束;将该辐射光束图案化;通过投影系统将该带有图案的辐射光束投影在包含辐射敏感层的基板的靶部上;以及将冲洗气体从位于所述靶部周边外的第一出气口流至位于所述投影系统和所述基板之间的空间,其中,在所述投影过程中,至少部分所述冲洗气体流向所述靶部。2.根据权利要求1的方法,还包括位于所述靶部的周边外以及位于所述投影系统和所述第一出气口之间的进气口,所述进气口被构造并设置成将气体从所述靶部和所述投影系统之间的区域中抽出。3.根据权利要求1的方法,还包括将来自第二出气口的第二冲洗气体流过位于所述投影系统的末级透镜和所述第一出气口之间的所述带有图案的光束的至少部分,该第二出气口被构造和设置成产生所述第二冲洗气体的基本上呈层流的气流。4.根据权利要求2的方法,还包括将来自第二出气口的第二冲洗气体流过位于所述投影系统的末级透镜和所述第一出气口之间的所述带有图案的光束的至少部分,该第二出气口被构造和设置成产生所述第二冲洗气体的基本上呈层流的气流,其中所述进气口位于所述第一出气口和所述第二出气口之间。5.根据权利要求1的方法,其中所述冲洗气体包括至少1%摩尔氧气。6.根据权利要求5的方法,其中所述冲洗气体为空气。7.根据权利要求1的方法,其中所述第一出气口为径向气流出口。8.根据权利要求1的方法,其中所述第一出气口、所述第二出气口以及所述进气口都设在同一个径向结构中。9.根据权利要求1的方法,其中所述辐射投影光束的波长在220nm-435nm范围内。10.根据权利要求1的方法,其中所述基板包括制造滤色器所需要的一个或多个层。11.一种根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:K西蒙,E范登布林克,GJJ凯塞斯,AHH范迪克,HAM巴詹斯,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]
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