遇磁场既可断裂的双层膜磁过敏材料制造技术

本发明专利技术公开了一种遇磁场既可断裂的双层膜磁过敏材料，解决了在突发磁场情况下，对仪器、仪表、元器件等的保护所用材料问题。技术方案：是以硅片或玻璃片作为衬底，衬底厚度为２０－１５０微米（μｍ）；在衬底上有一层通过磁控溅射方法镀上的磁性膜；磁性膜是巨磁致伸缩膜，其成分为Ｔｂ↓［０．２５］Ｄｙ↓［０．７５］Ｆｅ↓［２］，其厚度为５－３０微米（μｍ），有磁场接近时，该材料断裂。本发明专利技术为简单的双层膜，其结构简单，制作工艺简单，成本低廉，技术成熟，产品质量易控，便于器件化及工业化实施推广等。它对磁场具有敏感、记忆性能，当有磁体靠近时，该材料既发生不可逆转的毁灭性变化，类似于于电路中的保险丝，从而对有磁体靠近的某些仪器、仪表、元器件等作出保护，免于磁场破坏。

【技术实现步骤摘要】
遇磁场既可断裂的双层膜磁过敏材料
本专利技术涉及一种具有磁场敏感性的材料，具体涉及一种用于在磁场条件下具有保护和记忆功能的双层膜磁过敏材料。
技术介绍
从专利检索情况及我们的实际调查情况来看，目前还没有遇磁场既可断裂的磁过敏材料，而且至今也无相关性的报道。但是，这种材料在实际中却有很重要的应用价值，例如，可用于在突发强磁场条件下仪器、仪表、元器件等方面的保护，也可以用于对磁化历史的指示或记忆等。
技术实现思路
针对目前还没有一种遇磁场既可断裂的材料，本专利技术拟解决的技术问题是提供一种对磁场具有敏感、记忆性能，当有磁体靠近时，该材料既发生不可逆转的毁灭性变化，类似于于电路中的保险丝，从而对有磁体靠近的某些仪器、仪表、元器件等作出保护，免于磁场破坏的、遇磁场既可断裂的双层膜磁过敏材料。本专利技术解决所述遇磁场既可断裂的双层膜磁过敏材料技术问题的技术方案是，设计一种遇磁场既可断裂的双层膜磁过敏记忆材料，其特征是以硅片或玻璃片作为衬底，衬底厚度为20-150微米(μm)；在衬底上有一层通过磁控溅射方法镀上的磁性膜；磁性膜是巨磁致伸缩膜，其成份为Tb0.25Dy0.75Fe2其厚度为5-30微米(μm)，有磁场接近时，该材料片断裂。本专利技术的优点和积极效果是：双层膜磁过敏材料为简单的双层膜，其结构简单，制作工艺简单，成本低廉，技术成熟，产品质量容易控制，便于器件化及工业化实施推广等。对磁场敏感，对“磁化经历”指示明确，并可以根据实际情况调整双层膜的厚度比以适应不同的磁场要求，达到不同的灵敏度。双层膜磁过敏材料的体积可以根据实际情况做的很小。本专利技术的双层膜磁过敏材料遇磁场既可断裂，不仅可以用于在突发磁场情况下，对仪器、仪表、元器件等的保护，而且也可以用于检测磁化历史。如果某一空间曾经历过磁-->场，那么存在于该空间的本专利技术的材料片则会发生断裂，从而留下记忆或指示。附图说明图1为本专利技术中的遇磁场既可断裂的双层膜磁过敏材料结构示意图；其中1为衬底，2为磁性膜具体实施方式下面结合实施例及其附图对本专利技术作进一步详细说明：本专利技术提供一种遇磁场既可断裂的双层膜磁过敏材料，其结构如图1所示。该双层膜磁过敏材料以20-150微米(μm)厚的硅片(或玻璃片)作为衬底(1)，在衬底(1)上通过磁控溅射方法镀上一层5-30微米(μm)厚的磁性膜(2)，该磁性膜的成份为Tb0.25Dy0.75Fe2，是巨磁致伸缩膜。这种磁性膜具有很大的磁致伸缩特性，尤其在高真空(2×10-6torr)下经历200-500摄氏度的温度退火以后，其饱和磁化场可以降到50毫特斯拉(mT)以下，也就是说当磁场接近(小于)50毫特斯拉时，磁致伸缩膜的形变既可以达到最大值。由于硅片(或玻璃片)不具有磁致伸缩性质，在磁场的作用下，其本身的形状尺寸不发生变化，当镀在其上的磁致伸缩膜在磁场的作用下伸长或缩短时，该双层膜会发生弯曲，当弯曲力超过硅片(或玻璃片)的弹性限度时，该双层膜既发生断裂。双层膜磁过敏材料的磁场灵敏度随着双层膜厚度比的变化而改变，因此，可以根据实际情况调整双层膜的厚度比以适应不同的磁场要求，达到不同的灵敏度。特别指出的是，该双层膜磁过敏材料在一般震动的影响下是安全的，不会发生断裂。实施例1取20微米(μm)厚的硅片(或玻璃片)作为衬底，在衬底上通过磁控溅射方法镀上一层5微米(μm)厚的巨磁致伸缩膜，这种磁性膜具有很大的磁致伸缩特性，该磁性膜的成份为Tb0.25Dy0.75Fe2。将这种膜材料在高真空(2×10-6torr)，200摄氏度的温度下退火一个小时，其饱和磁化场可以降到50毫特斯拉(mT)以下，当遇到接近50毫特斯拉(mT)的磁场时，该材料片既断裂。实施例2取60微米(μm)厚的硅片(或玻璃片)作为衬底，在衬底上通过磁控溅射方法镀上一层10微米(μm)厚的巨磁致伸缩膜，再在高真空(2×10-6torr)的条件下用300摄氏度的温度退火一个小时，其余与实施例1相同。-->实施例3取150微米(μm)厚的硅片作为衬底，在衬底上通过磁控溅射方法镀上一层30微米(μm)厚的巨磁致伸缩膜，再用500摄氏度的温度退火退火一个小时。其余与实施例1相同。实施例4取60微米(μm)厚的硅片(或玻璃片)作为衬底，在衬底上通过磁控溅射方法镀上一层30微米(μm)厚的巨磁致伸缩膜，这种磁性膜具有很大的磁致伸缩特性，该磁性膜的成份为Tb0.25Dy0.75Fe2。将其在高真空(2×10-6torr)的条件下用300摄氏度的温度退火一个小时，当遇到接近100毫特斯拉(mT)的磁场时，该材料片既断裂。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种遇磁场既可断裂的双层膜磁过敏材料，其特征是以硅片或玻璃片作为衬底，衬底厚度为２０－１５０微米（μｍ）；在衬底上有一层通过磁控溅射方法镀上的磁性膜；磁性膜是巨磁致伸缩膜，其成份为Ｔｂ↓［０．２５］Ｄｙ↓［０．７５］Ｆｅ↓［２］，其厚度为５－３０微米（μｍ），有磁场接近时，该材料断裂。

【技术特征摘要】
1、一种遇磁场既可断裂的双层膜磁过敏材料，其特征是以硅片或玻璃片作为衬底，衬底厚度为20-150微米(μm)；在衬底上有一层通过磁控溅射方...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝延明，高艳，
申请(专利权)人：天津师范大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]