关于基板的信息的测量方法和用于光刻设备中的基板技术

一种用于测量由基板提供的信息的方法，该基板包括由光刻设备产生的特征，该方法包括：　　　　将光束投影到设置在基板上的特征上方和／或附近的标记器上；以及　　　　由传感器检测所述标记器提供的信息；　　　　其中涂层设置在基板上，使得涂层位于光束和所述特征之间，以基本防止光束被特征反射以及防止导致由标记器提供的信息的不精确读出。

【技术实现步骤摘要】
关于基板的信息的测量方法和用于光刻设备中的基板相关申请的交叉参考本申请要求2004年12月29日申请的、标题为“A METHOD FORMEASURING INFORMATION ABOUT A SUBSTRATE，AND A SUBSTRATEFOR USE IN A LITHOGRAPHIC APPARATUS”的美国临时专利申请序列No.60/639/847的优先权，这里并入其全部内容作为参考。
本专利技术涉及一种关于基板的信息的测量方法、用于光刻设备中的基板以及光刻设备和基板的组合体。
技术介绍
光刻设备是将希望的图案施加到基板的目标部分上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在那种情况下，构图装置，如掩模，可用于产生对应于IC的单独层的电路图案，且可以将该图案成像到具有由辐射敏感材料(光刻胶)制成的层的基板(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括部分、一个或几个管芯)上。通常，单基板包含一组相继暴光出的相邻目标部分。公知的光刻设备包括所谓的步进机(stepper)和所谓的扫描仪，在所谓的步进机中通过一口气将整个图案曝光到目标部分上来辐照各个目标部分，在所谓的扫描仪中通过经由给定方向(该扫描方向)上的投影束扫描图案来照射各个目标部分，同时同步地与该方向平行或反平行的扫描基板。虽然在本文中对IC制造中使用光刻设备进行了具体提及，但应当理解，在此描述的光刻设备具有其它的应用，如集成光学系统的制造、磁畴存储器的制导和检测图案、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域熟练技工将意识到，在这种可选应用的上下文中，在此任意使用的术语“晶片”或“管芯”可认为是分别与更常用的术语“基板”或“目标部分”同义。在曝光之前或之后，例如，可用轨迹器(一般将一层光刻胶涂敷到基板上并且显影该曝光的光刻胶的工具)或度量或检查工具处理在此提到的基板。如果可应用，在此可将该公开应用到这种和其它基板处理工具上。而且，例如，为了产生多层IC，可不止一次地处理基板，-->因而在此使用的术语基板还可以指代已包含多个处理层的基板。在此使用的术语“辐射”和“光束”包括所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如，具有365、248、193、157或126nm的波长)和远紫外(EUV)辐射(例如，具有5-20nm范围的波长)以及粒子束，如离子束或电子束。在此使用的术语“构图装置”应当广义地解释为涉及可以用于给光束在其截面赋予图案的投影束的器件，以在基板的目标部分中产生图案。应当注意到，赋予投影束的图案可以不完全对应于基板的目标部分中所希望的图案。通常，赋予投影束的图案会对应于目标部分中所产生的器件如集成电路中的特定功能层。构图装置可以是透射的或反射的。构图装置的例子包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻中是公知的，且包括的掩模类型例如是二元的、交互相移和衰减相移，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的例子使用小反射镜矩阵结构，每一个小反射镜都可以独立地倾斜，以在不同方向上反射入射的辐射束；以该方式，构图被反射的光束。在构图装置的每个例子中，支撑结构可以是框架或台，例如，其可如需要的那样固定或可移动，且其可确保构图装置处于例如相对于投影系统所希望的位置处。在此任意使用的术语“中间掩模版”或“掩模”可以认为是与更常用的术语“构图装置”同义。在此使用的术语“投影系统”应当广义地解释为包括各种类型的投影系统，包括折射光学系统、反射光学系统和反射折射光学系统，只要是适当的，例如，对于所使用的曝光辐射，或其它因素，如使用湿浸流体或使用真空。在此任意使用的术语“透镜”可认为是与更常用的术语“投影系统”同义。照射系统还可包含各种类型的光学组件，包括折射的、反射的和反射折射的光学组件，用于引导、成形或控制辐射的投影束，且这种组件在下面还共同地或单独地称为“透镜”。光刻设备可以是具有两个(双级)或多个基板台(和/或两个或多个掩模台)的类型制成。在这种“多级”机器中，可平行地使用另外的台，或者当一个或多个其它的台用于曝光时，可在一个或多个台上执行预备步骤。光刻设备还可以是其中基板浸到具有较高折射率的液体例如水中以填充投影系统的最后元件和基板之间的空间的类型。浸液还可应用到光刻设备中的其它空间中，例如，掩模和投影系统的第一元件之间。湿浸技术在用于增加投影系统的数值孔径的
中是公知的。-->在使用光刻投影设备的制造工艺中，将图案(例如，在掩模中)成像到至少部分被一层辐射敏感材料(光刻胶)覆盖的基板上。在该成像步骤之前，基板可进行各种工序，如打底、光刻胶涂布和软烘焙。曝光之后，对基板进行其它工序，如曝光后烘焙(PEB)、显影、硬烘焙和成像特征的测量/检查。该列工序用作构图单层器件例如IC的基础。然后可对上述构图的层进行各种工艺，如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，全部用于完成单独层。如果相比上述整个工序需要几个层，或者其它变型，对于每个新层都必须重复。最后，一器件阵列会存在于基板(晶片)上。然后通过如切块或锯切的技术使这些器件彼此分离，以便可以将单独的器件装配在载体上、连接到引脚等。在例如IC的制造工艺期间，设计具体的工艺流程以限定器件结构。该器件的正确工作一般依赖于单独叠层的对准。为此，一般将对准标记暴露在下面不存在器件结构的位置处的光刻胶中。显影之后，对准传感器可用于读出对准标记，用于位置确定。为了对准，可使用对准标记或标记器(marker)结构，可以通过它们与入射光束(或对准束)的相互作用产生一个或多个衍射束。自所述的一个或多个衍射束收集的信息，可以确定标记器相对于掩模上的图案位置的位置。一般，标记器由一些周期结构如包括一序列线和沟槽的光栅构成。在对准位于器件结构顶部上的标记期间，对准光的反射会从器件特定下层出现。由于下面的和/或周围的特征的大小和密度改变了，其公知地引发不同的信号响应，甚至在一个管芯内经常会出现变化的串扰。这种串扰会引起位置移动，其在由对准传感器读出之后会产生不正确的标记位置信息。当然，可使用标记来提供其它信息，如聚焦信息、重叠信息、曝光剂量信息等。由下面和/或周围特征的串扰还会在由标记提供的任何信息中产生错误。
技术实现思路
本专利技术的一个方面在于提供一种在读出期间防止光刻胶标记和下面和/或周围结构之间的串扰的方法。在实施例中，提供了一种测量由基板提供的信息的方法。该基板包括已由光刻设备产生的特征。该方法包括将光束投影到设置在基板上特征的上方和/或附近的标记器上，并且由传感器检测标记器提供的信息。将涂层设置在基板上，以使涂层位于光束和该特征之间，以基本上防止光束被该特征反射以及防止导致由标-->记器提供信息的不正确读出。在实施例中，提供了在光刻设备中使用的基板。该基板包括由光刻设备产生的特征，和在该特征上方和/或附近的一层光刻胶中产生的标记器。设置该标记器以提供关于基板的信息。该基板还包括涂层，该涂层用于基本防止用于检测由标记器提供的信息所使用的光束被该特征反射，并且防止导致由标记器提供的信息的不正确读出。在实施例中，提供了一种光刻设备与光刻设备中所使用的基板的组合体。该光刻设备包括用于调节辐射束的照射系统，和用于支撑构图装置的支座。构图装置用于给辐射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于测量由基板提供的信息的方法，该基板包括由光刻设备产生的特征，该方法包括：将光束投影到设置在基板上的特征上方和/或附近的标记器上；以及由传感器检测所述标记器提供的信息；其中涂层设置在基板上，使得涂层位于光束和所述特征之间，以基本防止光束被特征反射以及防止导致由标记器提供的信息的不精确读出。2.根据权利要求1的方法，其中该涂层包括设置在标记器顶部上的不透明材料层。3.根据权利要求2的方法，其中不透明层包括金属。4.根据权利要求3的方法，其中该金属包括铝。5.根据权利要求1的方法，其中该涂层包括用于生长不透明金属晶粒的籽晶层。6.根据权利要求5的方法，其中该籽晶层包括钽，且该金属包括铝。7.根据权利要求1的方法，其中该涂层是设置在所述标记器和所述特征之间的抗反射涂层。8.根据权利要求7的方法，其中该抗反射涂层是非光敏的。9.根据权利要求7的方法，其中该抗反射涂层对于光束的波长是抗反射的。10.根据权利要求9的方法，其中光束的波长约为533nm。11.根据权利要求9的方法，其中光束的波长约为632.8nm。12.根据权利要求1的方法，其中该传感器是对准传感器。13.根据权利要求1的方法，其中该传感器是聚焦传感器。14.根据权利要求1的方法，其中该传感器是光学传感器。15.根据权利要求1的方法，其中由所述的标记器提供的信息包括所述标记器在X-Y平面内的位置。16.根据权利要求15的方法，其中该位置包括在光刻设备中基板相对于构图装置的对准位置。17.根据权利要求16的方法，进一步包括基于所述检测调节基板的位置。18.根据权利要求1的方法，其中由所述的标记器提供的信息包括聚焦信息。-->19.根据权利要求18的方法，其中在基板上方绘制焦点和/或水准性能的测试中使用聚焦信息。20.根据权利要求1的方法，其中由所述的标记器提供的信息包括曝光剂量信息。21.根据权利要求1的方法，其中所述的检测包括由所述传感器检测所述标记器衍射的光。22.根据权利要求1的方法，其中在光刻设备中执行该方法。23.根据权利要求1的方法，其中在度量工具中执行该方法。24.一种用于光刻设备中的基板，该基板包括：由光刻设备产生的特征；在该特征上方和/或附近的一层光刻胶中产生的标记器，设置该标记器以提供关于基板的信息；以及涂层，其用于基本防止用于检测由标记器提供的信息所使用的光束被所述特征反射，以及防止导致由标记器提供的信息的不精确读出。25.根据权利要求24的基板，其中该涂层包括沉积在标记器上方的不透明层。26.根据权利要求25的基板，其中该不透明层包括金属。27.根据权利要求26的基板，其中该金属包括铝。28.根据权利要求24的基板，其中该涂层包括用于生长不透明金属晶粒的籽晶层。29.根据权利要求28的基板，其中该籽晶层包括钽，和/或该金属包括铝。30.根据权利要求24的基板，其中该涂层包括设置在该特征和该标记器之间的抗反射涂层。31.根据权利要求30的基板，其中该抗反射涂层是非光敏的。32.根据权利要求30的基板，其中该抗反射涂层对于光束的波长是抗反射的。33.根据权利要求32的基板，其中光束的波长约为533nm。34.根据权利要求32的基板，其中光束的波长约为632.8nm。35.根据权利要求24的基板，其中由所述标记器提供的信息包括所述标记器在X-Y平面上的位置。-->36.根据权利要求35的基板，其中所述标记器的所述位置提供了关于基板相对于光刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·拉巴哈杜尔辛，M·J·A·皮尔特斯，J·豪肖尔德，C·凡德文，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：