【技术实现步骤摘要】
光刻装置及器件制造方法
本专利技术涉及一种光刻装置以及一种制造器件的方法。
技术介绍
光刻装置是一种将期望的图案施加到衬底上、通常是施加到衬底的目标部分上的机器。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,可选择地称作掩模或光刻版(reticle)的构图器件用于产生形成在IC的单层上的电路图案。该图案可以被转移到衬底(例如硅晶片)的目标部分(例如包括一个或几个管芯(die)的一部分)上。图案的转移一般是通过成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。一般地,单个衬底将包含被连续构图的相邻目标部分的网格。已知的光刻装置包括:所谓的步进器,其中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射每一目标部分;以及所谓的扫描器,其中通过在给定方向(“扫描”方向)上由辐射光束扫描图案、并同时沿与该方向平行或者反向平行地同步扫描衬底来照射每一目标部分。已经提出了将光刻投影(projection)装置中的衬底浸入具有相对较高折射率的液体例如水中,以便填充在投影系统的末级元件与衬底之间的空间。这点能够形成更小的特征的像,因为曝光辐射在液体中具有较短的波长。(液体的效果还可被看作是增加了系统的有效数值孔径(NA)并且还增加了聚焦的深度。)还提出了其它浸液,包括具有悬浮在其中的固体颗粒(例如石英)的水。然而,将衬底或衬底和衬底台浸没在液体池(bath)中(例如参见美国专利US 4,509,852,由此其全部被结合以作为参考)意味着在扫描曝光过程中必须加速大量的液体。这需要额外的或者更强劲的电动机,并且液体中的湍流可能导致不希望和不可预测的影响。为液体供给系统提出的 ...
【技术保护点】
一种用于修正沉浸光刻装置的曝光参数的方法,所述方法包括: 使用投射穿过在沉浸光刻装置的投影系统与衬底台之间的液体的测量光束来测量曝光参数;和 根据物理特性的变化来确定偏移,以至少部分地修正测量的曝光参数,所述物理特性影响用测量光束所做的测量。
【技术特征摘要】
US 2004-12-30 11/0256031.一种用于修正沉浸光刻装置的曝光参数的方法,所述方法包括:使用投射穿过在沉浸光刻装置的投影系统与衬底台之间的液体的测量光束来测量曝光参数;和根据物理特性的变化来确定偏移,以至少部分地修正测量的曝光参数,所述物理特性影响用测量光束所做的测量。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述物理特性包括液体的(a)温度、或(b)压力、或(c)组分、或(d)任何的(a)-(c)的组合。3.根据权利要求1所述的方法,其中所述物理特性包括冲洗气体的或投影系统的光学元件上的或这二者的(a)温度、或(b)压力、或(c)组分、或(d)任何的(a)-(c)的组合。4.根据权利要求1所述的方法,其中所述曝光参数包括使用投影系统投射的构图光束的焦点、保持在衬底台上的衬底的高度、或这二者。5.根据权利要求1所述的方法,其中所述曝光参数包括使用投影系统投射的构图光束的横向位置、保持在衬底台上的衬底的X-Y位置、或这二者。6.根据权利要求1所述的方法,其中所述物理特性包括测量光束的波长、使用投影系统投射的构图光束的波长、或这二者。7.根据权利要求1所述的方法,其中所述偏移包括物理特性的变化与曝光参数相对于物理特性的变化率的乘积。8.根据权利要求1所述的方法,包括将所述测量光束和用于曝光衬底的构图光束投射穿过投影系统的光学元件。9.根据权利要求1所述的方法,其中根据物理特性的变化确定偏移包括根据物理特性对于测量光束的波长的变化与物理特性对于使用投影系统投射的构图光束的波长的变化之间的差来确定偏移。10.一种光刻装置,包括:支撑结构,其被构造成保持构图器件,所述构图器件被构造成向辐射光束在其横截面中赋予图案;衬底台,其被构造成保持衬底;投影系统,其被构造成将构图光束投射到衬底的目标部分上;-->液体供给系统,其被构造成在投影系统与衬底台之间的空间提供液体;传感器,其被构造成使用投射穿过液体的测量光束来测量曝光参数;和修正系统,其被构造成根据物理特性的变化来确定偏移以至少部分地修正测量的曝光参数,所述物理特性影响用测量光束所做的测量。11.根据权利要求10所述的装置,其中所述物理特性包括液体的(a)温度、或(b)压力、或(c)组分、或(d)任何的(a)-(c)的组合。12.根据权利要求10所述的装置,其中所述物理特性包括冲洗气体的或投影系统的光学元件上的或这二者的(a)温度、或(b)压力、或(c)组分、或(d)任何的(a)-(c)的组合。13.根据权利要求11所述的装置,进一步包括构造成测量液体的温度的温度传感器、构造成测量液体的压力的压力传感器、或这二者。14.根据权利要求10所述的装置,其中所述曝光参数包括构图光束的焦点、衬底的高度、或这二者。15.根据权利要求10所述的装置,其中所述曝光参数包括构图光束的横向位置、衬底的X-Y位置、或这二者。16.根据权利要求10所述的装置,其中所述物理特性包括测量光束的波长、构图光束的波长、或这二者。17.根据权利要求10所述的装置,其中所述偏移包括物理特性的变化与曝光参数相对于物理特性的变化率的乘积。18.根据权利要求10所述的装置,其中所述传感器被构造成将测量光束投射经过构图光束所投射经过的投影系统的光学元件。19.根据权利要求10所述的装置,所述修正系统被构造成根据物理特性对于测量光束的波长的变化与物理特性对于构图光束的波长的变化之间的差来确定偏移。20.一种用于修正沉浸光刻装置的曝光参数的计算机程序产品,包括:软件代码,其被构造成使用投射穿过在沉浸光刻装置的投影系统与衬底台之间的液体的测量光束...
【专利技术属性】
技术研发人员:JJM巴塞尔曼斯,SNL董德尔斯,CA霍根达姆,JJSM梅藤斯,JCH穆尔肯斯,B斯特里夫卡克,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。