光刻装置及器件制造方法制造方法及图纸

技术编号:3194102 阅读:193 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
提供了一种用于修正沉浸光刻装置的曝光参数的方法。在该方法中,使用投射穿过在沉浸光刻装置的投影系统与衬底台之间的液体的测量光束来测量曝光参数,并根据物理特性的变化来确定偏移以至少部分地修正测量的曝光参数,所述物理特性影响用测量光束所做的测量。还提供了一种用来在沉浸光刻装置中测量与液体相连的光学元件的高度的装置和方法,所述液体在投影系统与衬底台之间。

【技术实现步骤摘要】
光刻装置及器件制造方法
本专利技术涉及一种光刻装置以及一种制造器件的方法。
技术介绍
光刻装置是一种将期望的图案施加到衬底上、通常是施加到衬底的目标部分上的机器。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,可选择地称作掩模或光刻版(reticle)的构图器件用于产生形成在IC的单层上的电路图案。该图案可以被转移到衬底(例如硅晶片)的目标部分(例如包括一个或几个管芯(die)的一部分)上。图案的转移一般是通过成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。一般地,单个衬底将包含被连续构图的相邻目标部分的网格。已知的光刻装置包括:所谓的步进器,其中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射每一目标部分;以及所谓的扫描器,其中通过在给定方向(“扫描”方向)上由辐射光束扫描图案、并同时沿与该方向平行或者反向平行地同步扫描衬底来照射每一目标部分。已经提出了将光刻投影(projection)装置中的衬底浸入具有相对较高折射率的液体例如水中,以便填充在投影系统的末级元件与衬底之间的空间。这点能够形成更小的特征的像,因为曝光辐射在液体中具有较短的波长。(液体的效果还可被看作是增加了系统的有效数值孔径(NA)并且还增加了聚焦的深度。)还提出了其它浸液,包括具有悬浮在其中的固体颗粒(例如石英)的水。然而,将衬底或衬底和衬底台浸没在液体池(bath)中(例如参见美国专利US 4,509,852,由此其全部被结合以作为参考)意味着在扫描曝光过程中必须加速大量的液体。这需要额外的或者更强劲的电动机,并且液体中的湍流可能导致不希望和不可预测的影响。为液体供给系统提出的一个解决方案是仅在衬底的局部区域上以及在投影系统的末级元件与衬底(衬底一般具有比投影系统的末级元件更大的表面面积)之间提供液体。在PCT专利申请no.WO 99/49504中公开了一种已经提出-->以安排来用于此的方法,因此其全部被结合以作为参考。如图2和3中所示,由至少一个入口IN将液体优选地沿着衬底相对于末级元件的移动方向来提供到衬底上,并在投影系统下通过后被至少一个出口OUT除去。也就是,当在-X方向上在元件下面扫描衬底时,在元件的+X侧供给液体,而在-X侧吸收液体。图2示意性地示出了下述结构,其中通过入口IN供给液体,并在元件的另一侧由出口OUT吸收,所述出口OUT与低压源连接。在图2的说明中,沿着衬底相对于末级元件的移动方向来供给液体,不过不必是这种情形。在末级元件的周围设置的入口和出口的各种取向及数量都是可能的,在图3中说明了一个例子,其中在末级元件的周围以规则图案设置了四组入口,所述入口在每侧上都具有出口。
技术实现思路
例如提供一种用于修正沉浸光刻装置的曝光参数的方法、装置和/或计算机程序产品将是有利的。依照本专利技术的一个方面,提供一种用于修正沉浸光刻装置的曝光参数的方法,所述方法包括:使用投射穿过在沉浸光刻装置的投影系统与衬底台之间的液体的测量光束来测量曝光参数;以及根据物理特性的变化来确定偏移以至少部分地修正测量的曝光参数,所述物理特性影响用测量光束所做的测量。根据本专利技术的一个方面,提供一种光刻装置,包括:支撑结构,其被构造成保持(hold)构图器件,该构图器件被构造成向辐射光束在其横截面中赋予(impart)图案;衬底台,其被构造成保持衬底;投影系统,其被构造成将构图光束投射到衬底的目标部分上;液体供给系统,其被构造成在投影系统与衬底台之间的空间提供液体;传感器,其被构造成使用投射穿过液体的测量光束来测量曝光参数;以及修正系统,其被构造成根据物理特性的变化来确定偏移以至少部分地修正测量的曝光参数,所述物理特性影响用测量光束所做的测量。根据本专利技术的一个方面,提供一种用于修正沉浸光刻装置的曝光参数的计-->算机程序产品,包括:软件代码,其被构造成使用投射穿过在沉浸光刻装置的投影系统与衬底台之间的液体的测量光束来测量曝光参数;以及软件代码,其被构造成根据物理特性的变化来确定偏移以至少部分地修正测量的曝光参数,所述物理特性影响用测量光束所做的测量。根据本专利技术的一个方面,提供一种光刻装置,包括:衬底台,其被构造成保持衬底;投影系统,其被构造成将构图光束投射到衬底的目标部分上,该投影系统具有光学元件;液体供给系统,其被构造成在投影系统与衬底台之间的空间提供液体,所述光学元件被构造成与液体相连;传感器,其被构造成测量光学元件的高度。依照本专利技术的一个方面,提供一种修正沉浸光刻装置的成像误差的方法,包括:测量在沉浸光刻装置中投影系统的光学元件的高度,所述光学元件与在投影系统和投影系统的衬底台之间的液体相连;以及通过移动光学元件、移动衬底台或这二者来至少部分地修正图像误差。附图说明现在将参考示意性附图仅通过例子来描述本专利技术的实施例,在附图中相应的参考标记表示相应的部分,以及其中:图1描述依照本专利技术实施例的光刻装置;图2和3描述用于光刻投影装置的液体供给系统;图4描述用于光刻投影装置的另一个液体供给系统;图5描述用于光刻投影装置的另一个液体供给系统;图6示意性地描述辐射光束通过依照本专利技术实施例的光刻装置的投影系统的光学元件的路径;图7描述依照本专利技术实施例的方法的流程图;图8示意性地描述用于测量依照本专利技术实施例的光刻装置的投影系统的光学元件的高度或高度变化的传感器;以及-->图9示意性地描述用于测量依照本专利技术实施例的光刻装置的投影系统的光学元件的高度或高度变化的传感器。具体实施方式图1示意性地描述依照本专利技术一个实施例的光刻装置。该装置包括:-照明系统(照明器)IL,其被构造成调节辐射光束PB(例如UV辐射或DUV辐射);-支撑结构(例如掩模台)MT,其被构造成支撑构图器件(例如掩模)MA并被连接到第一定位器PM,该第一定位器PM被构造成根据特定参数将该构图器件精确定位;-衬底台(例如晶片台)WT,其被构造成保持衬底(例如涂有抗蚀剂的晶片)W并被连接到第二定位器PW,该第二定位器PW被构造成根据特定参数将衬底精确定位;以及-投影系统(例如折射投影透镜系统)PL,其被构造成将由构图器件MA赋予辐射光束PB的图案投射到衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上。照明系统可包括用于导向、整形或控制辐射的各种类型的光学部件,比如折射的、反射的、磁的、电磁的、静电的或其它类型的光学部件,或者它们的任何组合。支撑结构支撑即承受构图器件的重量。它以下述方式来支撑构图器件,即根据构图器件的取向、光刻装置的设计、以及其它条件,举例来说比如构图器件是否被保持在真空环境中。支撑结构可以使用机械的、真空的、静电的或其它夹紧技术来保持构图器件。支撑结构例如可以是框架或平台,其根据需要可以为固定的或可移动的。支撑结构可以确保构图器件例如相对于投影系统处于期望的位置。在此术语“光刻版”或“掩模”的任何使用可被认为与更一般的术语“构图器件”同义。在此使用的术语“构图器件”应被广义地解释为是指任何能够用来向辐射光束在其横截面中赋予图案的器件,例如从而在衬底目标部分中创建图案。应注意到,例如如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征,则向辐射光束赋予的图案可能没有精确地与衬底目标部分中的期望图案相对应。一般地,向辐射光-->束赋予的图案将对应于在器件的目标部分中创建的特定功能层,比如本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种用于修正沉浸光刻装置的曝光参数的方法,所述方法包括:    使用投射穿过在沉浸光刻装置的投影系统与衬底台之间的液体的测量光束来测量曝光参数;和    根据物理特性的变化来确定偏移,以至少部分地修正测量的曝光参数,所述物理特性影响用测量光束所做的测量。

【技术特征摘要】
US 2004-12-30 11/0256031.一种用于修正沉浸光刻装置的曝光参数的方法,所述方法包括:使用投射穿过在沉浸光刻装置的投影系统与衬底台之间的液体的测量光束来测量曝光参数;和根据物理特性的变化来确定偏移,以至少部分地修正测量的曝光参数,所述物理特性影响用测量光束所做的测量。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述物理特性包括液体的(a)温度、或(b)压力、或(c)组分、或(d)任何的(a)-(c)的组合。3.根据权利要求1所述的方法,其中所述物理特性包括冲洗气体的或投影系统的光学元件上的或这二者的(a)温度、或(b)压力、或(c)组分、或(d)任何的(a)-(c)的组合。4.根据权利要求1所述的方法,其中所述曝光参数包括使用投影系统投射的构图光束的焦点、保持在衬底台上的衬底的高度、或这二者。5.根据权利要求1所述的方法,其中所述曝光参数包括使用投影系统投射的构图光束的横向位置、保持在衬底台上的衬底的X-Y位置、或这二者。6.根据权利要求1所述的方法,其中所述物理特性包括测量光束的波长、使用投影系统投射的构图光束的波长、或这二者。7.根据权利要求1所述的方法,其中所述偏移包括物理特性的变化与曝光参数相对于物理特性的变化率的乘积。8.根据权利要求1所述的方法,包括将所述测量光束和用于曝光衬底的构图光束投射穿过投影系统的光学元件。9.根据权利要求1所述的方法,其中根据物理特性的变化确定偏移包括根据物理特性对于测量光束的波长的变化与物理特性对于使用投影系统投射的构图光束的波长的变化之间的差来确定偏移。10.一种光刻装置,包括:支撑结构,其被构造成保持构图器件,所述构图器件被构造成向辐射光束在其横截面中赋予图案;衬底台,其被构造成保持衬底;投影系统,其被构造成将构图光束投射到衬底的目标部分上;-->液体供给系统,其被构造成在投影系统与衬底台之间的空间提供液体;传感器,其被构造成使用投射穿过液体的测量光束来测量曝光参数;和修正系统,其被构造成根据物理特性的变化来确定偏移以至少部分地修正测量的曝光参数,所述物理特性影响用测量光束所做的测量。11.根据权利要求10所述的装置,其中所述物理特性包括液体的(a)温度、或(b)压力、或(c)组分、或(d)任何的(a)-(c)的组合。12.根据权利要求10所述的装置,其中所述物理特性包括冲洗气体的或投影系统的光学元件上的或这二者的(a)温度、或(b)压力、或(c)组分、或(d)任何的(a)-(c)的组合。13.根据权利要求11所述的装置,进一步包括构造成测量液体的温度的温度传感器、构造成测量液体的压力的压力传感器、或这二者。14.根据权利要求10所述的装置,其中所述曝光参数包括构图光束的焦点、衬底的高度、或这二者。15.根据权利要求10所述的装置,其中所述曝光参数包括构图光束的横向位置、衬底的X-Y位置、或这二者。16.根据权利要求10所述的装置,其中所述物理特性包括测量光束的波长、构图光束的波长、或这二者。17.根据权利要求10所述的装置,其中所述偏移包括物理特性的变化与曝光参数相对于物理特性的变化率的乘积。18.根据权利要求10所述的装置,其中所述传感器被构造成将测量光束投射经过构图光束所投射经过的投影系统的光学元件。19.根据权利要求10所述的装置,所述修正系统被构造成根据物理特性对于测量光束的波长的变化与物理特性对于构图光束的波长的变化之间的差来确定偏移。20.一种用于修正沉浸光刻装置的曝光参数的计算机程序产品,包括:软件代码,其被构造成使用投射穿过在沉浸光刻装置的投影系统与衬底台之间的液体的测量光束...

【专利技术属性】
技术研发人员:JJM巴塞尔曼斯SNL董德尔斯CA霍根达姆JJSM梅藤斯JCH穆尔肯斯B斯特里夫卡克
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]

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