光刻装置和器件制造方法制造方法及图纸

用于湿浸式光刻装置的液体供给系统可以在投影系统的最后一个元件和基底之间提供层流的浸液。控制系统可使溢出的概率最小化，并且引出装置包括配置成使振动最小化的出口阵列。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻装置和制造器件的方法。
技术介绍
光刻装置是将期望的图案施加到基底上通常是基底靶部上的一种装置。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图装置或者可称为掩模或中间掩模版，它可用于产生形成在IC的一个单独层上的电路图案。该图案可以被传送到基底(例如硅晶片)的靶部上(例如包括部分，一个或者多个管芯)。通常这种图案的传送是通过成像在涂敷于基底的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。一般地，单一的基底将包含被相继构图的相邻靶部的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进器，它通过将整个图案一次曝光到靶部上而辐射每一靶部，已知的光刻装置还包括所谓的扫描器，它通过在辐射光束下沿给定的方向(“扫描”方向)扫描所述图案，并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一靶部。还可以通过将图案压印到基底上把图案从构图装置传送到基底上。已经有人提议将光刻投影装置中的基底浸入具有相对较高折射率的液体中，如水，从而填充投影系统的最后一个元件与基底之间的空间。由于曝光辐射在该液体中具有更短的波长，从而能够对更小的特征进行成像。(液体的作用也可以认为是增加了系统的有效NA和增本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻装置，包括：配置成保持基底的基底台；配置成将带图案的辐射光束投影到基底靶部的投影系统；和阻挡元件，其具有围绕投影系统的最后一个元件和基底台之间的空间的表面，所述阻挡元件配置成将液体限制在最后一个元件和基底之间的空间中，所述阻挡元件包括配置成将液体提供到所述空间的液体入口和配置成从所述空间去除液体的液体出口，其中液体入口和／或液体出口围绕所述表面的内周边的一部分延伸。

【技术特征摘要】
US 2005-4-5 11/0986151.一种光刻装置，包括配置成保持基底的基底台；配置成将带图案的辐射光束投影到基底靶部的投影系统；和阻挡元件，其具有围绕投影系统的最后一个元件和基底台之间的空间的表面，所述阻挡元件配置成将液体限制在最后一个元件和基底之间的空间中，所述阻挡元件包括配置成将液体提供到所述空间的液体入口和配置成从所述空间去除液体的液体出口，其中液体入口和/或液体出口围绕所述表面的内周边的一部分延伸。2.如权利要求1所述的光刻装置，其中所述一部分小于大约1/2。3.如权利要求1所述的光刻装置，其中所述一部分小于大约1/3。4.如权利要求1所述的光刻装置，其中所述一部分大于大约1/20。5.如权利要求1所述的光刻装置，其中所述一部分大于大约1/15。6.如权利要求1所述的光刻装置，其中液体入口和液体出口在所述表面上定位成使得它们在所述空间的对面彼此面对。7.如权利要求1所述的光刻装置，其中液体入口和液体出口沿围绕内周边的所述表面的不同部分定位。8.如权利要求1所述的光刻装置，其中液体出口布置成在按照内周边的方向沿其长度提供变化的液体引出速度。9.如权利要求8所述的光刻装置，其中大体上与液体入口相对地提供最大引出速度。10.如权利要求1所述的光刻装置，其中液体出口大体上围绕内周边延伸。11.一种光刻装置，包括配置成保持基底的基底台；配置成将带图案的辐射光束投影到基底靶部的投影系统；和阻挡元件，其具有围绕投影系统的最后一个元件和基底台之间的空间的表面，所述阻挡元件配置成将液体限制在最后一个元件和基底之间的空间中，所述阻挡元件包括配置成将液体提供到所述空间的液体入口，该入口包括利用板元件在阻挡元件中与所述空间隔开的腔室，所述板元件形成至少部分所述表面，并具有多个通孔，该通孔在所述腔室和所述空间之间延伸，以便液体从其中流过。12.如权利要求11所述的光刻装置，其中多个通孔在板元件中形成二维阵列。13.如权利要求11所述的光刻装置，其中通孔的直径不大于板元件的厚度。14.如权利要求11所述的光刻装置，其中通孔的直径不大于板元件厚度的大约0.75倍。15.如权利要求11所述的光刻装置，其中通孔的直径不大于板元件厚度的大约0.5倍。16.如权利要求11所述的光刻装置，其中通孔的密度是每平方毫米至少1个通孔。17.如权利要求11所述的光刻装置，其中通孔的直径范围是大约0.005至大约1毫米。18.如权利要求11所述的光刻装置，其中通孔的直径是大约0.05至大约1毫米。19.如权利要求11所述的光刻装置，其中板的厚度范围是大约0.01至大约5毫米。20.如权利要求11所述的光刻装置，其中板的厚度范围是大约0.1至大约5毫米。21.如权利要求11所述的光刻装置，其中通孔的轴向大体上与基底平行。22.如权利要求11所述的光刻装置，其中通孔的轴向大体上与所述表面垂直。23.如权利要求11所述的光刻装置，其中各通孔的轴向大体上是平行的。24.如权利要求11所述的光刻装置，其中通孔的轴向背离基底朝投影系统倾斜大约5°至大约40°。25.如权利要求11所述的光刻装置，其中液体入口中的流动限制装置配置成在进入腔室入口的液体中形成第一压降。26.如权利要求11所述的光刻装置，其中通孔沿所述周边的一部分延伸。27.一种光刻装置，包括配置成保持基底的基底台；配置成将带图案的辐射光束投影到基底靶部的投影系统；配置成将液体提供到投影系统的最后一个元件和基底之间的空间中的液体供给系统；和控制系统，其配置成动态地改变使用液体供给系统从所述空间引出液体的速度和/或动态地改变使用液体供给系统供给液体的速度，使得所述空间内的液体高度保持在预定的最小值和预定的最大值之间。28.如权利要求27所述的光刻装置，其中控制系统响应于所述空间中液体高度的测量结果动态地改变速度。29.如权利要求28所述的光刻装置，还包括压力传感器，其配置成在所述空间中的预定位置测量液体的压力，由此确定所述空间中的液体高度。30.如权利要求28所述的光刻装置，还包括光和/或声源以及相应的光和声检测器，它们配置成通过反射确定所述空间中的液体高度，...

【专利技术属性】
技术研发人员：M巴克斯，SNL唐德斯，CA胡根达姆，JHW雅各布斯，N坦卡特，NR坎帕，F米各彻尔布林克，E伊弗斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]