阻燃剂及包含该阻燃剂的半导体密封用环氧树脂组合物制造技术

技术编号:3192006 阅读:147 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术的目的在于提供一种阻燃剂以及包含该阻燃剂的半导体元件密封用环氧树脂,它们无毒,不会降低半导体装置的可靠性。所述阻燃剂,包括:多孔无机微粒、所述多孔无机微粒负载的用下述平均组成式(1)表示的磷腈化合物、以及,包覆负载所述磷腈化合物的多孔无机微粒的树脂层,所述树脂,在热天平中,空气下从室温开始以10℃/分钟的速度升温时,由热分解引起的重量减少到10重量%时的温度为300℃~500℃。[其中,X为单键、或为选自CH↓[2]、C(CH↓[3])↓[2]、SO↓[2]、S、O及O(CO)O中的基团,n为3≤n≤1000的整数,d及e为满足2d+e=2n的数值]。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体密封用树脂的阻燃剂,更详细地说,涉及使多孔无机微粒负载磷腈化合物,并用一定的热分解性树脂层包覆该粒子而形成的阻燃剂以及包含该阻燃剂的半导体密封用树脂。
技术介绍
二极管、晶体三极管、IC、LSI、超LSI等半导体元件主要由环氧树脂组合物密封。所得到的半导体装置由于在家电产品、计算机等生活环境的所有场所使用,为防止火灾,要求具有阻燃性。为了赋予阻燃性,一般把卤化环氧树脂与三氧化锑进行混合。该卤化环氧树脂与三氧化锑的混合物在气相中自由基捕集效果大、空气隔绝效果好,结果可以得到高阻燃效果。然而,卤化环氧树脂存在的问题是燃烧时产生有毒气体,另外,由于三氧化锑也具有毒性,因此,当考虑到对人体、环境的影响时,在树脂组合物中优选完全不含这些阻燃剂。尤其是,卤化环氧树脂在高温下产生的Br自由基与半导体装置的Au线和Al线的结合部的Au-Al合金反应,形成Al-Br化合物,因此,半导体装置耐热性变差。作为卤化环氧树脂或三氧化锑的替代物,曾经研究了Al(OH)3、Mg(OH)2等氢氧化物、红磷、磷酸酯等磷类阻燃剂等。然而,这些氢氧化物阻燃效果低,为了制成阻燃组成,在环氧树脂组合物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阻燃剂,包括:多孔无机微粒、所述多孔无机微粒负载的用下述平均组成式(1)表示的磷腈化合物、以及,包覆负载所述磷腈化合物的多孔无机微粒的树脂层,所述树脂,用热天平,在空气下,从室温开始以10℃/分钟的速度升温时,由热分解引起的重量减少到10重量%时的温度为300℃~500℃。【化1】***(1)[其中,X为单键、或为选自CH↓[2]、C(CH↓[3])↓[2]、SO↓[2]、S、O及O(CO)O中的基团,n为3≤n≤1000的整数,d及e为满足2d+e=2n的数值]。

【技术特征摘要】
JP 2005-4-4 107407/05;JP 2006-3-24 082688/061.一种阻燃剂,包括多孔无机微粒、所述多孔无机微粒负载的用下述平均组成式(1)表示的磷腈化合物、以及,包覆负载所述磷腈化合物的多孔无机微粒的树脂层,所述树脂,用热天平,在空气下,从室温开始以10℃/分钟的速度升温时,由热分解引起的重量减少到10重量%时的温度为300℃~500℃。化1[其中,X为单键、或为选自CH2、C(CH3)2、SO2、S、O及O(CO)O中的基团,n为3≤n≤1000的整数,d及e为满足2d+e=2n的数值]。2.按照权利要求1所述的阻燃剂,其特征在于,所述多孔无机微粒选自平...

【专利技术属性】
技术研发人员:长田将一
申请(专利权)人:信越化学工业株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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