一种保护电路以及供电系统技术方案

本发明专利技术实施例提供一种保护电路以及供电系统，包括：电流控制模块、选通模块、电流采样模块、隔离二极管、上拉电阻和偏置模块；若保护电路的输出端与市电交流电源电连接，电流控制模块升温，选通模块导通且保护电路的输出端输出电流减小，电流控制模块停止升温，直至保护电路的输出端的输出电流小于预设电流值。本发明专利技术实施例提供的保护电路，当工程线缆误操作与市电交流电源电连接时，可以使保护电路的输出电流降低，避免供电电源被市电交流电源击穿损坏，进而保护工程线缆不被烧毁。进而保护工程线缆不被烧毁。进而保护工程线缆不被烧毁。

【技术实现步骤摘要】
一种保护电路以及供电系统


[0001]本专利技术实施例涉及电力电子
，尤其涉及一种保护电路以及供电系统。

技术介绍

[0002]在一些复杂的电气工程中，通常需要将该工程中的线缆与市电供电电路统一布线，而且在布线过程中需要进行接线施工，因此会出现将为工程线缆供电的直流电源直接短路到交流市电的误操作，这将导致直流电源被市电交流电源击穿损坏，进而可能引起工程线缆的损坏，造成极为危险的严重事故。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种保护电路以及供电系统，以实现在电气工程中的线缆误接入交流市电时，保护为线缆供电的直流供电电源以及线缆不被损坏和烧毁。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供了一种保护电路，包括：电流控制模块、选通模块、电流采样模块、隔离二极管、上拉电阻和偏置模块；
[0005]所述电流控制模块的输入端与所述上拉电阻的第一端电连接，且与直流供电电源电连接；所述电流控制模块的控制端、所述选通模块的输入端以及所述上拉电阻的第二端均与所述偏置模块的第一端电连接；所述电流控制模块的输出端、所述选通模块的控制端以及所述电流采样模块的输入端均与所述偏置模块的第二端电连接；所述选通模块的输出端以及所述电流采样模块的输出端均与所述隔离二极管的正极电连接；所述隔离二极管的负极为所述保护电路的输出端；
[0006]若所述保护电路的输出端与市电交流电源电连接，所述电流控制模块升温，所述选通模块导通且所述保护电路的输出端输出电流减小，所述电流控制模块停止升温，直至所述保护电路的输出端的输出电流小于预设电流值。
[0007]可选的，所述电流采样模块包括热敏电阻和第一电阻；所述热敏电阻的第一端为所述电流采样模块的输入端，所述第一电阻的一端与所述热敏电阻的第二端电连接，所述第一电阻的另一端为所述选通模块的输出端。
[0008]所述电流控制模块包括功率晶体管；所述偏置模块包括稳压二极管；
[0009]所述功率晶体管的第一端为所述电流控制模块的输入端；所述功率晶体管的控制端为所述电流控制模块的控制端；所述功率晶体管的第二端为所述电流控制模块的输出端；所述稳压二极管的负极为所述偏置模块的第一端；所述稳压二极管的正极为所述偏置模块的第二端。
[0010]可选的，所述电流控制模块包括第一三极管；所述偏置模块包括第二电阻；
[0011]所述第一三极管的第一端为所述电流控制模块的输入端；所述第一三极管的控制端为所述电流控制模块的控制端；所述第一三极管的第二端为所述电流控制模块的输出端；所述第二电阻的第一端为所述偏置模块的第一端；所述第二电阻的第二端为所述偏置模块的第二端。
[0012]可选的，所述选通模块包括第二三极管；所述第二三极管的第一端为所述选通模块的输入端；所述第二三极管的第二端为所述选通模块的输出端；所述第二三极管的控制端为所述选通模块的控制端。
[0013]可选的，所述电流控制模块的耐压值大于所述市电交流电源的电压峰值的绝对值与所述的直流供电电源的电压值之和。
[0014]可选的，所述隔离二极管的耐压值大于所述市电交流电源的电压峰值的绝对值与所述的直流供电电源的电压值之和。
[0015]可选的，所述电流控制模块与所述选通模块之间的距离，以及所述电流控制模块与所述电流采样模块之间的距离小于预设距离值。
[0016]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种供电系统，包括：直流供电电源和上述的保护电路。
[0017]本专利技术实施例提供的保护电路，当工程线缆在误操作的情况下与市电交流电源电连接时，其中的电流控制模块由于两端的电压差较大而升温，使得选通模块导通阈值降低、电流采样模块的限流作用增强，从而使保护电路的输出电流降低，保护直流供电电源不被损坏，进而保护工程线缆不会烧毁。
附图说明
[0018]图1为本专利技术实施例提供的一种保护电路的结构图；
[0019]图2为本专利技术实施例提供的又一种保护电路的结构图；
[0020]图3为本专利技术实施例提供的一种供电系统的结构图。
具体实施方式
[0021]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0022]图1为本专利技术实施例提供的一种保护电路的结构图，如图1所示，该保护电路包括电流控制模块100、选通模块200、电流采样模块300、隔离二极管400、上拉电阻500和偏置模块600。
[0023]其中，电流控制模块100的输入端与上拉电阻500的第一端电连接，且用与直流供电电源700电连接。电流控制模块100的控制端、选通模块200的输入端以及上拉电阻500的第二端均与偏置模块600的第一端电连接。电流控制模块100的输出端、选通模块200的控制端以及电流采样模块300的输入端均与偏置模块600的第二端电连接。选通模块200的输出端以及电流采样模块300的输出端均与隔离二极管400的正极电连接。隔离二极管400的负极为保护电路的输出端。
[0024]电流控制模块100例如可以包括功率晶体管Q1，偏置模块600包括稳压二极管ZD1。功率晶体管Q1的第一端为电流控制模块的输入端，功率晶体管Q1的控制端为电流控制模块的控制端，功率晶体管Q1的第二端为电流控制模块的输出端。稳压二极管ZD1的负极为偏置模块的第一端，稳压二极管ZD1的正极为偏置模块的第二端。选通模块包括第二三极管Q2，第二三极管Q2的第一端为选通模块的输入端，第二三极管Q2的第二端为选通模块的输出
端，第二三极管Q2的控制端为选通模块的控制端。电流采样模块300例如可以包括热敏电阻RT1和第一电阻R1。热敏电阻RT1的第一端为电流采样模块的输入端，第一电阻R1的一端与热敏电阻RT1的第二端电连接，第一电阻R1的另一端为选通模块的输出端。在本实施例中，示例性的，功率晶体管Q1第一端为漏极D，第二端为源极S，控制端为栅极G。示例性的，第二三极管Q2可以为NPN型三极管，其基极B为控制端，集电极C为第一端，发射极E为第二端。
[0025]当直流供电电源700接入后，直流供电电源700输入电压通过上拉电阻500、稳压二极管ZD1、热敏电阻RT1、第一电阻R1、隔离二极管400的回路，在稳压二极管ZD1上形成电压U，此电压使功率晶体管Q1处于开启状态。直流供电电源700通过功率晶体管Q1、热敏电阻RT1、第一电阻R1和隔离二极管400正常传输到保护电路的输出端。其中，热敏电阻RT1、第一电阻R1和第二三极管Q2构成了输出限流电路。当保护电路的输出电流在热敏电阻RT1以及第一电阻R1上形成的压降达到第二三极管Q2的基极与发射极导通电压(通常为0.6V左右)时，第二三极管Q2将导通，将功率晶体管Q1的控制端电压拉低从而使功率晶体管Q1达到临界导通状态。因此该电路的最大输出电流为：
[0026]Iout＝V
BE
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种保护电路，其特征在于，包括：电流控制模块、选通模块、电流采样模块、隔离二极管、上拉电阻和偏置模块；所述电流控制模块的输入端与所述上拉电阻的第一端电连接，且与直流供电电源电连接；所述电流控制模块的控制端、所述选通模块的输入端以及所述上拉电阻的第二端均与所述偏置模块的第一端电连接；所述电流控制模块的输出端、所述选通模块的控制端以及所述电流采样模块的输入端均与所述偏置模块的第二端电连接；所述选通模块的输出端以及所述电流采样模块的输出端均与所述隔离二极管的正极电连接；所述隔离二极管的负极为所述保护电路的输出端；若所述保护电路的输出端与市电交流电源电连接，所述电流控制模块升温，所述选通模块导通且所述保护电路的输出端输出电流减小，所述电流控制模块停止升温，直至所述保护电路的输出端的输出电流小于预设电流值。2.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述电流控制模块与所述选通模块之间的距离，以及所述电流控制模块与所述电流采样模块之间的距离小于预设距离值。3.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述电流采样模块包括热敏电阻和第一电阻；所述热敏电阻的第一端为所述电流采样模块的输入端，所述第一电阻的一端与所述热敏电阻的第二端电连接，所述第一电阻的另一端为所述选通模块的输出端。4.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述电流控制模块包括功率晶体管；所述偏置模...

【专利技术属性】
技术研发人员：卫强，
申请(专利权)人：深圳市镭润科技有限公司，
类型：发明
国别省市：